DE-102018215249-B4 - Bearbeitungsverfahren für einen Wafer

Abstract

Bearbeitungsverfahren für einen Wafer (11) zum Bearbeiten eines Wafers (11), in dem ein Bauelement (15), das mehrere Erhöhungen (17) aufweist, in jeweils einem der Bereiche (19) einer vorderen Oberfläche ausgebildet ist, die durch mehrere sich kreuzende Teilungslinien (13) aufgeteilt ist, die in einer sich kreuzenden Weise ausgebildet sind, wobei das Bearbeitungsverfahren für einen Wafer (11) umfasst: einen Ausbildungsschritt für eine geschnittene Nut (23) zum Ausbilden geschnittener Nuten (23), die jeweils eine Tiefe entsprechend einer fertigen Dicke eines jeden der Bauelementchips (27) aufweisen, durch eine Schneidklinge (14, 15) entlang der Teilungslinien (13) von einer vorderen Oberflächenseite (11a) des Wafers (11); einen Versiegelungsschritt zum Versiegeln der vorderen Oberfläche des Wafers (11) inklusive der geschnittenen Nuten (23) mit einem Versiegelungsmaterial (20), nachdem der Ausbildungsschritt für eine geschnittene Nut (23) durchgeführt wurde; einen Ausrichtungsschritt zum Aufnehmen der vorderen Oberflächenseite (11a) des Wafers (11) durch das Versiegelungsmaterial (20) durch ein Aufnahmemittel (18A) für infrarotes Licht von der vorderen Oberflächenseite (11a) des Wafers (11), Detektieren einer Ausrichtungsmarkierung und Detektieren der Teilungslinie (13), die laserbearbeitet werden soll, basierend auf der Ausrichtungsmarkierung, nachdem der Versiegelungsschritt durchgeführt wurde; einen Ausbildungsschritt für eine laserbearbeitete Nut (25) zum Emittieren eines Laserstrahls einer solchen Wellenlänge, dass er durch das Versiegelungsmaterial (20) absorbiert wird, entlang der Teilungslinien (13) von der vorderen Oberflächenseite (11a) des Wafers (11), und Ausbilden einer laserbearbeiteten Nut (25), die eine Tiefe entsprechend der fertigen Dicke eines jeden der Bauelementchips (27) aufweist, in dem Versiegelungsmaterial (20) in den geschnittenen Nuten (23) durch eine Ablationsbearbeitung, nachdem der Ausrichtungsschritt durchgeführt wurde; einen Anbringungsschritt für ein Schutzelement (22) zum Anbringen eines Schutzelements (22) an der vorderen Oberfläche des Wafers (11), nachdem der Ausbildungsschritt für eine laserbearbeitete Nut (25) durchgeführt wurde; und einen Teilungsschritt zum Schleifen des Wafers von einer hinteren Oberflächenseite (11b) des Wafers (11) auf die fertige Dicke eines jeden der Bauelementchips (27), um die laserbearbeitete Nuten (25) freizulegen, und Teilen des Wafers (11) in einzelne Bauelementchips (27), von denen jeder seine vordere Oberfläche und vier Seitenoberflächen durch das Versiegelungsmaterial (20) umgeben aufweist, nachdem der Anbringungsschritt für ein Schutzelement (22) durchgeführt wurde, wobei in dem Versiegelungsschritt die vordere Oberfläche des Wafers (11) mit einem Versiegelungsmaterial (20) versiegelt wird, das eine solche Transmissionseigenschaft aufweist, dass Infrarotstrahlen, die durch das Aufnahmemittel (18A) für Infrarotlicht aufgenommen werden sollen, durch das Versiegelungsmaterial (20) laufen.

Inventors

• Katsuhiko Suzuki
• Yuri Ban

Assignees

• DISCO CORPORATION

Dates

Publication Date

20260507

Application Date

20180907

Priority Date

20170908

Claims (4)

1. Bearbeitungsverfahren für einen Wafer (11) zum Bearbeiten eines Wafers (11), in dem ein Bauelement (15), das mehrere Erhöhungen (17) aufweist, in jeweils einem der Bereiche (19) einer vorderen Oberfläche ausgebildet ist, die durch mehrere sich kreuzende Teilungslinien (13) aufgeteilt ist, die in einer sich kreuzenden Weise ausgebildet sind, wobei das Bearbeitungsverfahren für einen Wafer (11) umfasst: einen Ausbildungsschritt für eine geschnittene Nut (23) zum Ausbilden geschnittener Nuten (23), die jeweils eine Tiefe entsprechend einer fertigen Dicke eines jeden der Bauelementchips (27) aufweisen, durch eine Schneidklinge (14, 15) entlang der Teilungslinien (13) von einer vorderen Oberflächenseite (11a) des Wafers (11); einen Versiegelungsschritt zum Versiegeln der vorderen Oberfläche des Wafers (11) inklusive der geschnittenen Nuten (23) mit einem Versiegelungsmaterial (20), nachdem der Ausbildungsschritt für eine geschnittene Nut (23) durchgeführt wurde; einen Ausrichtungsschritt zum Aufnehmen der vorderen Oberflächenseite (11a) des Wafers (11) durch das Versiegelungsmaterial (20) durch ein Aufnahmemittel (18A) für infrarotes Licht von der vorderen Oberflächenseite (11a) des Wafers (11), Detektieren einer Ausrichtungsmarkierung und Detektieren der Teilungslinie (13), die laserbearbeitet werden soll, basierend auf der Ausrichtungsmarkierung, nachdem der Versiegelungsschritt durchgeführt wurde; einen Ausbildungsschritt für eine laserbearbeitete Nut (25) zum Emittieren eines Laserstrahls einer solchen Wellenlänge, dass er durch das Versiegelungsmaterial (20) absorbiert wird, entlang der Teilungslinien (13) von der vorderen Oberflächenseite (11a) des Wafers (11), und Ausbilden einer laserbearbeiteten Nut (25), die eine Tiefe entsprechend der fertigen Dicke eines jeden der Bauelementchips (27) aufweist, in dem Versiegelungsmaterial (20) in den geschnittenen Nuten (23) durch eine Ablationsbearbeitung, nachdem der Ausrichtungsschritt durchgeführt wurde; einen Anbringungsschritt für ein Schutzelement (22) zum Anbringen eines Schutzelements (22) an der vorderen Oberfläche des Wafers (11), nachdem der Ausbildungsschritt für eine laserbearbeitete Nut (25) durchgeführt wurde; und einen Teilungsschritt zum Schleifen des Wafers von einer hinteren Oberflächenseite (11b) des Wafers (11) auf die fertige Dicke eines jeden der Bauelementchips (27), um die laserbearbeitete Nuten (25) freizulegen, und Teilen des Wafers (11) in einzelne Bauelementchips (27), von denen jeder seine vordere Oberfläche und vier Seitenoberflächen durch das Versiegelungsmaterial (20) umgeben aufweist, nachdem der Anbringungsschritt für ein Schutzelement (22) durchgeführt wurde, wobei in dem Versiegelungsschritt die vordere Oberfläche des Wafers (11) mit einem Versiegelungsmaterial (20) versiegelt wird, das eine solche Transmissionseigenschaft aufweist, dass Infrarotstrahlen, die durch das Aufnahmemittel (18A) für Infrarotlicht aufgenommen werden sollen, durch das Versiegelungsmaterial (20) laufen.
2. Bearbeitungsverfahren für einen Wafer (11) nach Anspruch 1 , wobei das Aufnahmemittel (18A) für Infrarotlicht, das in dem Ausrichtungsschritt verwendet wird, ein InGaAs-Aufnahmeelement beinhaltet.
3. Bearbeitungsverfahren für einen Wafer (11) nach einem der Ansprüche 1 oder 2 , ferner umfassend: einen Schritt zum Aufnehmen der vorderen Oberfläche des Wafers (11) mit sichtbarem Licht durch eine Aufnahmeeinheit (18), Detektieren von Ausrichtungsmarkierungen und Detektieren der Teilungslinie (13), die geschnitten werden soll, basierend auf den Ausrichtungsmarkierungen, bevor der Ausbildungsschritt für eine erste geschnittene Nut (23) durchgeführt wurde.
4. Bearbeitungsverfahren für einen Wafer (11) nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei das Aufnahmemittel (18A) für infrarotes Licht, das in dem Ausrichtungsschritt verwendet wird, eine Belichtungssteuerung aufweist, durch welche die Belichtungszeit angepasst werden kann.

Description

Technisches Gebiet Die vorliegende Erfindung betrifft ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer zum Bearbeiten eines Wafers um eine 5S-geformte Packung auszubilden. Beschreibung des Stands der Technik Als ein Aufbau zum Realisieren von Miniaturisierung und einer höheren Dichte verschiedener Bauelemente wie Large-Scale-Integrated-Circuits (LSIs) und Flashspeicher eines NAND-Typs wurde zum Beispiel eine Chip-Größenpackung (chip-size package; CSP), in welcher Bauelementchips in Chipgröße verpackt sind, praktisch verwendet und weit in Mobiltelefonen, Smartphones und dergleichen eingesetzt. Darüber hinaus wurde in den vergangenen Jahren aus dem CSP ein CSP, in dem nicht nur eine vordere Oberfläche, sondern alle Seitenoberflächen eines Chips mit einem Versiegelungsmaterial versiegelt sind, das heißt, dass eine sogenannte 5S-geformte Packung entwickelt und praktisch verwendet wurde. Die konventionelle 5S-geformte Packung wird durch die folgenden Schritte hergestellt.(1) Ausbilden von Bauelementen (Schaltung) und externen Verbindungsanschlüssen, die Erhöhung genannt werden, an einer vorderen Oberfläche eines Halbleiterwafers (im Folgenden manchmal einfach als Wafer bezeichnet).(2) Schneiden des Wafers entlang Teilungslinien von einer vorderen Oberflächenseite des Wafers, um geschnittene Nuten auszubilden, die jeweils eine Tiefe entsprechend den fertigen Dicken von jedem der Bauelementchips aufweisen.(3) Versiegeln der vorderen Oberfläche des Wafers mit einem Versiegelungsmaterial, das Ruß enthält.(4) Schleifen einer hinteren Oberflächenseite des Wafers auf eine fertige Dicke eines jeden der Bauelementchips, um das Versiegelungsmaterial in den geschnittenen Nuten freizulegen.(5) Durchführen einer Ausrichtung, in welcher, da die vordere Oberfläche des Wafers mit dem Versiegelungsmaterial, das Ruß enthält, versiegelt ist, das Versiegelungsmaterial an einem umfänglichen Abschnitt der vorderen Oberfläche des Wafers entfernt wird, um die Ausrichtungsmarkierungen wie Zielmuster freizulegen, und die Teilungslinien, die geschnitten werden sollen, werden basierend auf den Ausrichtungsmarkierungen detektiert.(6) Schneiden des Wafers entlang der Teilungslinien von der vorderen Oberflächenseite des Wafers basierend auf der Ausrichtung und Teilen des Wafers in 5S-geformte Packungen, von denen jede die vordere Oberfläche und eine Seitenoberfläche mit dem Versiegelungsmaterial versiegelt aufweist. Da die vordere Oberfläche des Wafers mit dem Versiegelungsmaterial, das Ruß enthält, wie oben beschrieben, versiegelt ist, können die Bauelemente und dergleichen, die in der vorderen Oberfläche des Wafers ausgebildet sind, nicht mit dem bloßen Auge erkannt werden. Um eine Ausrichtung durch Lösen dieses Problems zu ermöglichen, hat der vorliegende Erfinder einer Technik entwickelt, in welcher, wie in dem obigen Absatz 5 beschrieben, das Versiegelungsmaterial an dem umfänglichen Abschnitt der vorderen Oberfläche des Wafers entfernt wird, um die Ausrichtungsmarkierungen wie Zielmuster freizulegen, und basierend auf diesen Zielmustern wird die Teilungslinie, die geschnitten werden soll, detektiert, sodass eine Ausrichtung durchgeführt wird (siehe die japanische Offenlegungsschrift JP 2013- 74 021 A und die japanische Offenlegungsschrift JP 2016- 15 438 A). US 2017 / 0 186 645 A1 offenbart ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer, bei dem geschnittene und laserbearbeitete Nuten erzeugt werden. JP 2015- 23 078 A offenbart ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer, bei dem ein Infrarotbildaufnahmeelement verwendet wird, welches ein InGaAs-Bildaufnahmeelement beinhaltet. DARSTELLUNG DER ERFINDUNG Jedoch entsprechend dem Ausrichtungsverfahren, das in den oben genannten Patentdokumenten beschrieben ist, wird ein Schritt zum Entfernen des Versiegelungsmaterials an dem umfänglichen Abschnitt des Wafers mit einer Schneidklinge einer großen Breite zum Schneiden der Kante, die an einer Spindel befestigt ist, anstelle einer Schneidklinge zum Teilen benötigt und es ist arbeitsaufwendig, die Schneidklinge zu ersetzen und das Versiegelungsmaterial an dem umfänglichen Abschnitt durch Kantenschneiden zu entfernen, wodurch eine geringe Produktivität verursacht wird. Es ist darum ein Ziel der vorliegenden Erfindung ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer bereitzustellen, in dem ein Ausrichtungsschritt durch das Versiegelungsmaterial, das Ruß enthält, das aufgebracht ist, um eine vordere Oberfläche des Wafers zu beschichten, durchgeführt werden kann. In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer zum Bearbeiten eines Wafers bereitgestellt, in dem ein Bauelement, das mehrere Erhöhungen aufweist, in jeweils einem der Bereiche einer vorderen Oberfläche ausgebildet ist, die durch mehrere sich kreuzende Teilungslinien aufgeteilt ist, die in einer sich kreuzenden Weise ausgebildet sind. Das Bearbeitungsverfahren für einen Wafer beinhaltet: einen Ausbildungsschritt für eine geschnittene Nut zum Ausbilden