DE-102019211425-B4 - Waferbearbeitungsverfahren

Abstract

Waferbearbeitungsverfahren zum Teilen eines Wafers (1) entlang mehrerer Teilungslinien (3), um mehrere einzelne Bauelementchips (1c) zu erhalten, wobei die Teilungslinien (3) an der Vorderseite (1a) des Wafers (1) ausgebildet sind, sodass sie mehrere getrennte Bereiche definieren, in denen mehrere Bauelemente (5) einzeln ausgebildet sind, wobei das Waferbearbeitungsverfahren aufweist: einen Ringrahmenvorbereitungsschritt des Vorbereitens eines Ringrahmens (7), der eine innere Öffnung (7a) zum Aufnehmen des Wafers (1) aufweist; einen Polyolefinfolienbereitstellungsschritt des Positionierens des Wafers (1) in der inneren Öffnung (7a) des Ringrahmens (7) und des Vorsehens einer Polyolefinfolie (9) an einer Rückseite (1b) des Wafers (1) und an einer Rückseite (7c) des Ringrahmens (7), wobei zwischen der Polyolefinfolie (9) und dem Wafer (1) keine Haftmittelschicht angeordnet ist; einen Verbindungsschritt des Erwärmens der Polyolefinfolie (9) während eines Aufbringens eines Drucks auf die Polyolefinfolie (9) nach einem Durchführen des Polyolefinfolienbereitstellungsschritts, wodurch der Wafer (1) und der Ringrahmen (7) durch ein Thermokompressionsverbinden über die Polyolefinfolie (9) verbunden werden, sodass sie eine Rahmeneinheit (11) in einem Zustand ausbilden, in dem die Vorderseite (1a) des Wafers (1) und die Vorderseite (7b) des Ringrahmens (7) freiliegen; einen Teilungsschritt des Schneidens des Wafers (1) entlang jeder Teilungslinie (3) unter Benutzung einer Schneidvorrichtung (12), die ein drehbares Schneidmesser (18) aufweist, nach einem Durchführen des Verbindungsschritts, wodurch der Wafer (1) in die einzelnen Bauelementchips (1c) geteilt wird; und einen Aufnahmeschritt des Kühlens der Polyolefinfolie (9) in jedem der mehreren jedem Bauelementchip (1c) entsprechenden Bereiche, des Hochdrückens jedes Bauelementchips (1c) durch die Polyolefinfolie (9), und des Aufnehmens jedes Bauelementchips (1c) von der Polyolefinfolie (9) nach einem Durchführen des Teilungsschritts.

Inventors

• Shigenori Harada
• Makiko Ohmae
• Minoru Matsuzawa
• Hayato Kiuchi
• Yoshiaki Yodo
• Taro ARAKAWA
• Masamitsu Agari
• Emiko KAWAMURA
• Yusuke Fujii
• Toshiki Miyai

Assignees

• DISCO CORPORATION

Dates

Publication Date

20260507

Application Date

20190731

Priority Date

20180806

Claims (9)

1. Waferbearbeitungsverfahren zum Teilen eines Wafers (1) entlang mehrerer Teilungslinien (3), um mehrere einzelne Bauelementchips (1c) zu erhalten, wobei die Teilungslinien (3) an der Vorderseite (1a) des Wafers (1) ausgebildet sind, sodass sie mehrere getrennte Bereiche definieren, in denen mehrere Bauelemente (5) einzeln ausgebildet sind, wobei das Waferbearbeitungsverfahren aufweist: einen Ringrahmenvorbereitungsschritt des Vorbereitens eines Ringrahmens (7), der eine innere Öffnung (7a) zum Aufnehmen des Wafers (1) aufweist; einen Polyolefinfolienbereitstellungsschritt des Positionierens des Wafers (1) in der inneren Öffnung (7a) des Ringrahmens (7) und des Vorsehens einer Polyolefinfolie (9) an einer Rückseite (1b) des Wafers (1) und an einer Rückseite (7c) des Ringrahmens (7), wobei zwischen der Polyolefinfolie (9) und dem Wafer (1) keine Haftmittelschicht angeordnet ist; einen Verbindungsschritt des Erwärmens der Polyolefinfolie (9) während eines Aufbringens eines Drucks auf die Polyolefinfolie (9) nach einem Durchführen des Polyolefinfolienbereitstellungsschritts, wodurch der Wafer (1) und der Ringrahmen (7) durch ein Thermokompressionsverbinden über die Polyolefinfolie (9) verbunden werden, sodass sie eine Rahmeneinheit (11) in einem Zustand ausbilden, in dem die Vorderseite (1a) des Wafers (1) und die Vorderseite (7b) des Ringrahmens (7) freiliegen; einen Teilungsschritt des Schneidens des Wafers (1) entlang jeder Teilungslinie (3) unter Benutzung einer Schneidvorrichtung (12), die ein drehbares Schneidmesser (18) aufweist, nach einem Durchführen des Verbindungsschritts, wodurch der Wafer (1) in die einzelnen Bauelementchips (1c) geteilt wird; und einen Aufnahmeschritt des Kühlens der Polyolefinfolie (9) in jedem der mehreren jedem Bauelementchip (1c) entsprechenden Bereiche, des Hochdrückens jedes Bauelementchips (1c) durch die Polyolefinfolie (9), und des Aufnehmens jedes Bauelementchips (1c) von der Polyolefinfolie (9) nach einem Durchführen des Teilungsschritts.
2. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 1 , wobei der Verbindungsschritt einen Schritt des Aufbringens von Infrarotlicht auf die Polyolefinfolie (9) aufweist, wodurch das Thermokompressionsverbinden durchgeführt wird.
3. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2 , wobei die Polyolefinfolie (9) größer als der Ringrahmen (7) ist und wobei der Verbindungsschritt einen zusätzlichen Schritt des Schneidens der Polyolefinfolie (9) nach einem Erwärmen der Polyolefinfolie (9) aufweist, wodurch ein Teil der Polyolefinfolie (9) außerhalb eines äußeren Umfangs des Ringrahmens (7) entfernt wird.
4. Waferbearbeitungsverfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei der Aufnahmeschritt einen Schritt des Aufweitens der Polyolefinfolie (9) beinhaltet, um dadurch einen Abstand zwischen allen benachbarten Bauelementchips (1c) zu erhöhen.
5. Waferbearbeitungsverfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die Polyolefinfolie (9) aus einem Material ausgebildet ist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Polyethylen, Polypropylen und Polystyren besteht.
6. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 5 , wobei die Polyolefinfolie (9) aus Polyethylen ausgebildet ist und die Polyolefinfolie (9) im Verbindungsschritt im Bereich von 120°C bis 140°C erwärmt wird.
7. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 5 , wobei die Polyolefinfolie (9) aus Polypropylen ausgebildet ist und die Polyolefinfolie (9) im Verbindungsschritt im Bereich von 160°C bis 180°C erwärmt wird.
8. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 5 , wobei die Polyolefinfolie (9) aus Polystyren ausgebildet ist und die Polyolefinfolie (9) im Verbindungsschritt im Bereich von 220°C bis 240°C erwärmt wird.
9. Waferbearbeitungsverfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei der Wafer (1) aus einem Material ausgebildet ist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Silizium, Galliumnitrid, Galliumarsenid und Glas besteht.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG Technisches Gebiet Die vorliegende Erfindung betrifft ein Waferbearbeitungsverfahren zum Teilen eines Wafers entlang mehrerer Teilungslinien, um mehrere einzelne Bauelementchips zu erhalten, wobei die Teilungslinien an der Vorderseite des Wafers ausgebildet sind, um dadurch mehrere getrennte Bereiche zu definieren, in denen mehrere Bauelemente einzeln ausgebildet sind. Beschreibung der verwandten Technik In einem Herstellungsprozess für Bauelementchips, die in elektronischer Ausstattung wie beispielsweise Mobiltelefonen und PCs benutzt werden sollen, werden zunächst mehrere sich schneidende Teilungslinien (Straßen) an der Vorderseite eines beispielsweise aus einem Halbleiter ausgebildeten Wafers angeordnet, um dadurch mehrere getrennte Bereiche an der Vorderseite des Wafers zu definieren. In jedem getrennten Bereich wird als nächstes ein Bauelement wie beispielsweise ein integrierter Schaltkreis (IC), ein Large Scale Integrated Circuit (LSI) und eine lichtemittierende Diode (LED) ausgebildet. Danach wird ein Ringrahmen, der eine innere Öffnung aufweist, vorbereitet, in dem ein Haftband, das als Teilungsband bezeichnet wird, im Vorhinein an seinem äußeren Abschnitt am Ringrahmen (der Rückseite des Ringrahmens) so angebracht ist, sodass es die innere Öffnung des Ringrahmens schließt. Danach wird ein mittlerer Abschnitt des Haftbandes so an der Rückseite des Wafers angebracht, dass der Wafer in der inneren Öffnung des Ringrahmens aufgenommen wird. Auf diese Weise werden der Wafer, das Haftband und der Ringrahmen miteinander verbunden, sodass sie eine Rahmeneinheit ausbilden. Danach wird der in dieser Rahmeneinheit enthaltene Wafer so bearbeitet, dass er entlang jeder Teilungslinie geteilt wird, um dadurch mehrere einzelne Bauelementchips, welche die jeweiligen Bauelemente beinhalten, zu erhalten. Beispielsweise wird eine Schneidvorrichtung benutzt, um den Wafer zu teilen. Die Schneidvorrichtung weist einen Einspanntisch zum Halten des Wafers über das Haftband und eine Schneideinheit zum Schneiden des Wafers auf. Die Schneideinheit weist ein Schneidmesser zum Schneiden des Wafers und eine Spindel zum Drehen des Schneidmessers auf. Das Schneidmesser weist ein zentrales Durchgangsloch auf und die Spindel ist in dieses zentrale Durchgangsloch des Schneidmessers eingepasst, sodass das Schneidmesser und die Spindel als eine Einheit gedreht werden. Ein ringförmiger abrasiver Abschnitt ist um den äußeren Umfang des Schneidmessers vorgesehen, um den Wafer zu schneiden. Beim Schneiden des Wafers unter Benutzung dieser Schneidvorrichtung wird die Rahmeneinheit am Einspanntisch platziert und der Wafer wird über das Haftband an der oberen Oberfläche des Einspanntischs gehalten. In diesem Zustand wird die Spindel gedreht, um dadurch das Schneidmesser zu drehen, und die Schneideinheit wird als nächstes auf eine vorgegebene Höhe abgesenkt. Danach werden der Einspanntisch und die Schneideinheit in einer Richtung parallel zur oberen Oberfläche des Einspanntischs relativ bewegt. Demgemäß wird der Wafer vom Schneidmesser, das gedreht wird, entlang jeder Teilungslinie geschnitten, sodass der Wafer geteilt wird. Danach wird die Rahmeneinheit von der Schneidvorrichtung auf eine andere Vorrichtung zum Aufbringen von Ultraviolettlicht auf das Haftband übertragen, um dadurch die Haftung des Haftbandes zu verringern. Danach wird jeder Bauelementchip vom Haftband aufgenommen. Als eine Bearbeitungsvorrichtung, die in der Lage ist, die Bauelementchips mit hoher Effizienz herzustellen, gibt es eine Schneidvorrichtung, die in der Lage ist, den Vorgang zum Teilen des Wafers und den Vorgang zum Aufbringen von Ultraviolettlicht auf das Haftband kontinuierlich durchzuführen (siehe beispielsweise japanisches Patent JP 3 076 179 B2 ). Jeder von dem Haftband aufgenommene Bauelementchip wird als nächstes an einem vorgegebenen Verkabelungssubstrat oder dergleichen angebracht. Weiterer für das Verständnis der vorliegenden Erfindung hilfreicher Stand der Technik kann in den folgenden Dokumenten gefunden werden:WO 2014/ 157 471 A1 betrifft ein Waferbearbeitungsband, dass eine gleichförmige Aufweitbarkeit und eine Eigenschaft aufweist, die ein Aufnehmen von Bauelementchips ermöglicht.US 2004 / 0 089 515 A1 betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Aufnehmen eines Halbleiterchips, ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Entfernen eines Halbleiterchips von einem Teilungsband und ein Verfahren zum Ausbilden eines perforierten Teilungsbandes.JP 2015- 126 082 A betrifft ein Halbleiterchip-Aufnahmeverfahren, das verhindern kann, dass sich ein Teilungsband aufweitet.US 2016 /0 007 479 A1 betrifft eine Vorrichtung zum Aufrechterhalten einer Chip-Beabstandung, bei welcher die Beabstandung zwischen benachbarten Bauelementchips aufrechterhalten wird.JP 2003- 152 056 A betrifft eine Halbleiterelementhalteeinrichtung und ein Verfahren zum Herstellen davon. DARSTELLUNG DER ERFINDUNG Das Haftband weist eine Basisschicht und eine Haftmitte