DE-102025101861-A1 - STREULICHTMINDERNDE BILDSENSOR-PACKAGES UND ZUGEHÖRIGE VERFAHREN

Abstract

Ein Bildsensor-Package kann eine optisch durchlässige Abdeckung, die eine erste Schicht einschließt, die mit einer größten planaren Oberfläche der optisch durchlässigen Abdeckung gekoppelt ist; und eine Vielzahl von Nanostrukturen in der ersten Schicht einschließen, die neben einem Umfang der optisch durchlässigen Abdeckung angeordnet sind. Die Vielzahl von Nanostrukturen können ein im Wesentlichen sonnenblindes Ultraviolettlicht-Durchlassfilter bilden.

Inventors

• Swarnal Borthakur
• Bryan Almond

Assignees

• SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC

Dates

Publication Date

20260507

Application Date

20250120

Priority Date

20241106

Claims (20)

1. Bildsensor-Package, umfassend: eine optisch durchlässige Abdeckung, umfassend: eine erste Schicht, die mit einer größten planaren Oberfläche der optisch durchlässigen Abdeckung gekoppelt ist; und eine Vielzahl von Nanostrukturen in der ersten Schicht, die neben einem Umfang der optisch durchlässigen Abdeckung angeordnet sind; wobei die Vielzahl von Nanostrukturen ein im Wesentlichen sonnenblindes Ultraviolettlicht-Durchlassfilter bilden.
2. Package nach Anspruch 1 , wobei ein Teilungsabstand der Vielzahl von Nanostrukturen und eine Größe jeder Nanostruktur der Vielzahl von Nanostrukturen so bemessen sind, dass ein Durchgang von sichtbarem Licht durch die Vielzahl von Nanostrukturen im Wesentlichen verhindert wird.
3. Package nach Anspruch 1 , wobei ein Teilungsabstand der Vielzahl von Nanostrukturen und eine Größe jeder Nanostruktur der Vielzahl von Nanostrukturen so bemessen sind, dass im Wesentlichen nur der Durchgang von ultraviolettem Licht durch die Vielzahl von Nanostrukturen erlaubt wird.
4. Package nach Anspruch 1 , wobei die Vielzahl von Nanostrukturen ein Gitter umfassen, das Aluminium umfasst, wobei Löcher in dem Gitter mit Siliciumdioxid gefüllt sind.
5. Package nach Anspruch 4 , wobei ein Teilungsabstand des Aluminiumgitters 180 Nanometer beträgt.
6. Package nach Anspruch 4 , wobei die Löcher quadratisch sind und die Seiten jeweils eine Länge von 67,5 Nanometern aufweisen.
7. Package nach Anspruch 4 , wobei das Aluminiumgitter 150 Nanometer dick ist.
8. Package nach Anspruch 1 , wobei eine Breite der Vielzahl von Nanostrukturen neben dem Umfang der optisch durchlässigen Abdeckung zwischen 200 Mikrometer bis 500 Mikrometer beträgt.
9. Package nach Anspruch 1 , ferner umfassend ein Bildsensor-Halbleiter-Die, das mit der optisch durchlässigen Abdeckung gekoppelt ist, wobei die größte planare Oberfläche dem Bildsensor-Halbleiter-Die zugewandt ist.
10. Bildsensor-Package, umfassend: eine optisch durchlässige Abdeckung, umfassend: eine Aussparung, die sich um einen Umfang einer größten planaren Oberfläche der optisch durchlässigen Abdeckung erstreckt; und eine Vielzahl von Nanostrukturen in der Aussparung; wobei die Vielzahl von Nanostrukturen ein im Wesentlichen sonnenblindes Ultraviolettlicht-Durchlassfilter bilden.
11. Package nach Anspruch 10 , wobei ein Teilungsabstand der Vielzahl von Nanostrukturen und eine Größe jeder Nanostruktur der Vielzahl von Nanostrukturen so bemessen sind, dass der Durchgang von sichtbarem Licht durch die Vielzahl von Nanostrukturen im Wesentlichen verhindert wird.
12. Package nach Anspruch 10 , wobei ein Teilungsabstand der Vielzahl von Nanostrukturen und eine Größe jeder Nanostruktur der Vielzahl von Nanostrukturen so bemessen sind, dass im Wesentlichen nur der Durchgang von ultraviolettem Licht durch die Vielzahl von Nanostrukturen erlaubt wird.
13. Package nach Anspruch 10 , wobei eine Breite der Vielzahl von Nanostrukturen in der Aussparung zwischen 200 Mikrometer bis 500 Mikrometer beträgt.
14. Package nach Anspruch 10 , ferner umfassend ein Bildsensor-Halbleiter-Die, das mit der optisch durchlässigen Abdeckung gekoppelt ist, wobei die größte planare Oberfläche dem Bildsensor-Halbleiter-Die zugewandt ist.
15. Bildsensor-Package, umfassend: eine optisch durchlässige Abdeckung, die eine Vielzahl von Nanostrukturen in einem Material der optisch durchlässigen Abdeckung umfasst; wobei die Vielzahl von Nanostrukturen ein im Wesentlichen sonnenblindes Ultraviolettlicht-Durchlassfilter bilden.
16. Package nach Anspruch 15 , wobei ein Teilungsabstand der Vielzahl von Nanostrukturen und eine Größe jeder Nanostruktur der Vielzahl von Nanostrukturen so bemessen sind, dass der Durchgang von sichtbarem Licht durch die Vielzahl von Nanostrukturen im Wesentlichen verhindert wird.
17. Package nach Anspruch 15 , wobei ein Teilungsabstand der Vielzahl von Nanostrukturen und eine Größe jeder Nanostruktur der Vielzahl von Nanostrukturen so bemessen sind, dass im Wesentlichen der Durchgang nur von ultraviolettem Licht durch die Vielzahl von Nanostrukturen erlaubt wird.
18. Package nach Anspruch 15 , wobei eine Breite der Vielzahl von Nanostrukturen in dem Material der optisch durchlässigen Abdeckung zwischen 200 Mikrometer bis 500 Mikrometer beträgt.
19. Package nach Anspruch 15 , ferner umfassend ein Bildsensor-Halbleiter-Die, das mit der optisch durchlässigen Abdeckung gekoppelt ist, wobei die größte planare Oberfläche dem Bildsensor-Halbleiter-Die zugewandt ist.
20. Package nach Anspruch 15 , wobei sich jede der Vielzahl von Nanostrukturen in eine Dicke der optisch durchlässigen Abdeckung erstreckt.

Description

HINTERGRUND 1. Technisches Gebiet Gesichtspunkte dieses Dokuments beziehen sich allgemein auf Bildsensor-Packages. 2. Hintergrund Es wurden Halbleiter-Packages entwickelt, die dazu dienen, das Halbleiter-Die vor Stößen oder Vibrationen zu schützen. Verschiedene Halbleiter-Packages dienen außerdem dazu, elektrische Verbindungen zwischen Pads auf einem Halbleiter-Die und verschiedenen elektrischen Leitungen in einer Leiterplatte oder Hauptplatine, an die das Halbleiter-Package angeschlossen ist, zu ermöglichen. Einige Halbleiter-Packages sind außerdem so aufgebaut, dass sie einen Schutz des Halbleiter-Dies vor Feuchtigkeit bereitstellen. Bildsensor-Packages schützen die Die-Oberfläche außerdem vor Partikeln oder anderen Verschmutzungsquellen, die die Bildgebungsleistung beeinträchtigen würden. KURZDARSTELLUNG Ein Bildsensor-Package kann eine optisch durchlässige Abdeckung, die eine erste Schicht einschließt, die mit einer größten planaren Oberfläche der optisch durchlässigen Abdeckung gekoppelt ist; und eine Vielzahl von Nanostrukturen in der ersten Schicht einschließen, die neben einem Umfang der optisch durchlässigen Abdeckung angeordnet sind. Die Vielzahl von Nanostrukturen können ein im Wesentlichen sonnenblindes Ultraviolettlicht-Durchlassfilter bilden. Eine Implementierung von Bildsensor-Packages kann eines, alle oder beliebige von Folgendem einschließen:Der Teilungsabstand der Vielzahl von Nanostrukturen und eine Größe jeder Nanostruktur der Vielzahl von Nanostrukturen können so bemessen sein, dass der Durchgang von sichtbarem Licht durch die Vielzahl von Nanostrukturen im Wesentlichen verhindert wird. Der Teilungsabstand der Vielzahl von Nanostrukturen und eine Größe jeder Nanostruktur der Vielzahl von Nanostrukturen können so bemessen sein, dass im Wesentlichen nur der Durchgang von ultraviolettem Licht durch die Vielzahl von Nanostrukturen erlaubt wird. Die Vielzahl der Nanostrukturen können ein Gitter einschließen, das Aluminium einschließt, wobei Löcher in dem Gitter mit Siliciumdioxid gefüllt sind. Der Teilungsabstand des Aluminiumgitters kann 180 Nanometer betragen. Die Löcher können quadratisch sein und die Seiten können jeweils eine Länge von 67,5 Nanometern aufweisen. Das Aluminiumgitter kann 150 Nanometer dick sein. Die Breite der Vielzahl von Nanostrukturen neben dem Umfang der optisch durchlässigen Abdeckung kann zwischen 200 Mikrometer bis 500 Mikrometer betragen. Das Package kann ein Bildsensor-Halbleiter-Die einschließen, das mit der optisch durchlässigen Abdeckung gekoppelt ist, wobei die größte planare Oberfläche dem Bildsensor-Halbleiter-Die zugewandt ist. Implementierungen eines Bildsensor-Package können eine optisch durchlässige Abdeckung einschließlich einer Aussparung, die sich um einen Umfang einer größten planaren Oberfläche der optisch durchlässigen Abdeckung erstreckt; und eine Vielzahl von Nanostrukturen in der Aussparung einschließen. Die Vielzahl von Nanostrukturen können ein im Wesentlichen sonnenblindes Ultraviolettlicht-Durchlassfilter bilden. Der Teilungsabstand der Vielzahl von Nanostrukturen und eine Größe jeder Nanostruktur der Vielzahl von Nanostrukturen können so bemessen sein, dass der Durchgang von sichtbarem Licht durch die Vielzahl von Nanostrukturen im Wesentlichen verhindert wird. Der Teilungsabstand der Vielzahl von Nanostrukturen und eine Größe jeder Nanostruktur der Vielzahl von Nanostrukturen können so bemessen sein, dass im Wesentlichen nur der Durchgang von ultraviolettem Licht durch die Vielzahl von Nanostrukturen erlaubt wird. Die Breite der Vielzahl von Nanostrukturen in der Aussparung kann zwischen 200 Mikrometer bis 500 Mikrometer betragen. Das Package kann ein Bildsensor-Halbleiter-Die einschließen, das mit der optisch durchlässigen Abdeckung gekoppelt ist, wobei die größte planare Oberfläche dem Bildsensor-Halbleiter-Die zugewandt ist. Implementierungen eines Bildsensor-Package können eine optisch durchlässige Abdeckung einschließen, die eine Vielzahl von Nanostrukturen in einem Material der optisch durchlässigen Abdeckung einschließt. Die Vielzahl von Nanostrukturen können ein im Wesentlichen sonnenblindes Ultraviolettlicht-Durchlassfilter bilden. Der Teilungsabstand der Vielzahl von Nanostrukturen und eine Größe jeder Nanostruktur der Vielzahl von Nanostrukturen können so bemessen sein, dass der Durchgang von sichtbarem Licht durch die Vielzahl von Nanostrukturen im Wesentlichen verhindert wird. Der Teilungsabstand der Vielzahl von Nanostrukturen und eine Größe jeder Nanostruktur der Vielzahl von Nanostrukturen können so bemessen sein, dass im Wesentlichen nur der Durchgang von ultraviolettem Licht durch die Vielzahl von Nanostrukturen erlaubt wird. Die Breite der Vielzahl von Nanostrukturen in dem Material der optisch durchlässigen Abdeckung kann zwischen 200 Mikrometer bis 500 Mikrometer betragen. Das Package kann ein Bildsensor-Halbleiter-Die einschließen, das mit der optisch durchlässigen Abdeckung gekoppelt ist, wobei die größte planare O