JP-2025076971-A5 -

Dates

Publication Date

20260512

Application Date

20240208

Description

上述のようにして得られた、単結晶ＭｇＯ（１１１）基板上に単結晶Ｉｒ膜を積層させたものに対して、単結晶ＭｇＯ基板に付けられたオフ角にならって、ヘテロエピタキシャル成長した。この単結晶Ｉｒ膜をＸ線回折法で分析をした。測定装置：リガク社Ｓｍａｒｔ Ｌａｂ、波長λ＝１．５４Å、出力４５ｋＶ、２００ｍＡ、半導体検出器、入射光学系Ｇｅ（２２０）チャネルカットモノクロメータ、ソーラースリット入力側２．５°、受光側２．５°、スリット入射側ＩＳ＝１ｍｍ、長手制限０．５ｍｍ、受光側ＲＳ１＝１．０ｍｍ、ＲＳ２＝１．１ｍｍ、ステップ幅０．００４°、走査速度３°／ｍｉｎの条件で分析したところ、表面が（１１１）で結晶軸［－１－１ ２］方向に４°のオフ角が付いていた。また、Ｉｒ（１１１）帰属の２θ＝４０．７°における回折ピークの半値幅（ＦＷＨＭ）が０．１２５°であった。この単結晶Ｉｒ膜を、以下、「Ｉｒ（１１１）膜」という。