JP-2026076713-A - 配線基板および配線基板の製造方法

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Abstract

【課題】配線基板における、絶縁層からの導体層の剥離の抑制。【解決手段】実施形態の配線基板は、絶縁層１１と、絶縁層の上面に接して形成される導体層と、を備えている。導体層は、導体層を貫通して絶縁層１１の上面を露出させるガス抜き孔ＤＧＨを含み、ガス抜き孔ＤＧＨは、略長方形の平面形状を有している。【選択図】図２

Inventors

児玉博明

Assignees

イビデン株式会社

Dates

Publication Date: 20260512
Application Date: 20241024

Claims (9)

絶縁層と、前記絶縁層の上面に接して形成される導体層と、を備える配線基板であって、前記導体層は、前記導体層を貫通して前記絶縁層の上面を露出させるガス抜き孔を含み、前記ガス抜き孔は、略長方形の平面形状を有している。
請求項１記載の配線基板であって、前記導体層は複数の前記ガス抜き孔を含み、前記複数のガス抜き孔は格子状に配置されている。
請求項１記載の配線基板であって、前記ガス抜き孔の平面形状の面積は、８０００μｍ 2 以上、且つ、３００００μｍ 2 以下である。
請求項１記載の配線基板であって、前記略長方形の平面形状は、長辺の短辺に対する比が、１．２以上、且つ、５．０以下である。
絶縁層の上面に金属膜層を形成することと、前記金属膜層の上にめっきレジストを形成することと、前記めっきレジストに開口パターンを形成することと、前記開口パターン内にめっき膜層を形成することと、前記めっきレジストを除去することにより前記金属膜層の上面を露出させることと、前記露出する前記金属膜層を除去することと、を含む、配線基板の製造方法であって、前記開口パターンを形成することは、平面形状が略長方形のガス抜き孔用レジストを形成することを含んでいる。
請求項５記載の配線基板の製造方法であって、前記開口パターンを形成することは、８０００μｍ 2 以上、且つ、３００００μｍ 2 以下の面積を有する前記ガス抜き孔用レジストを形成することを含んでいる。
請求項５記載の配線基板の製造方法であって、前記開口パターンを形成することは、長辺の短辺に対する比が、１．２以上、且つ、５．０以下である前記ガス抜き孔用レジストを形成することを含んでいる。
請求項５記載の配線基板の製造方法であって、前記開口パターンを形成することは、複数の前記ガス抜き孔用レジストを格子状に形成することを含んでいる。
請求項５記載の配線基板の製造方法であって、前記めっきレジストを除去することは、薬液を使用して前記めっきレジストを前記金属膜層から剥離させることを含んでいる。

Description

本発明は配線基板および配線基板の製造方法に関する。特許文献１に開示されている配線基板においては、絶縁層上にシード層および金属めっき膜から構成されている金属層が形成されている。金属層は円形のガス抜き孔（デガスホール）を備えている。デガスホールの形成は、シード層上に形成されるめっきレジスト層の開口内への金属めっき層の形成、および、めっきレジスト層の除去、を含んでいる。特開２０２０－１０７８６０号公報本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。本発明の一実施形態の配線基板におけるガス抜き孔の平面形状を示す図。本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一工程を説明する断面図。本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一工程を説明する断面図。本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一工程を説明する平面図。本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一工程を説明する断面図。本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一工程を説明する断面図。本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一工程を説明する断面図。本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一工程を説明する断面図。本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一工程を説明する断面図。本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一工程を説明する断面図。本発明の一実施形態の配線基板の製造方法の一工程を説明する断面図。次に、図面を参照しながら本発明の一実施形態である配線基板について説明される。なお、以下、参照される図面においては、各構成要素の正確な比率を示すことは意図されておらず、本発明の特徴が理解され易いように描かれている。図１には、本実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面が示されている。図示される例の配線基板１は、一方の面１００Ａおよび一方の面１００Ａの反対面である他方の面１００Ｂを有する積層体１００を有している。一方の面１００Ａ上には、第１ビルドアップ部１０が形成されている。他方の面１００Ｂ上には、第２ビルドアップ部２０が形成されている。以下の説明において、積層体１００はコア基板１００とも称される。コア基板１００は、絶縁層（コア絶縁層）１０１、および、導体層（コア導体層）１０２を有している。なお、以下、配線基板の説明においては、コア絶縁層１０１から遠い側を、「上」、「上側」、「外側」、または「外」とも称し、コア絶縁層１０１に近い側を、「下」、「下側」、「内側」、または「内」とも称する。また、各絶縁層および導体層において、コア絶縁層１０１と反対側を向く表面は「上面」とも称され、コア絶縁層１０１側を向く表面は「下面」とも称される。従って、例えば、コア基板１００、第１ビルドアップ部１０、および第２ビルドアップ部２０を構成する各要素の説明では、コア絶縁層１０１から遠い側が「上側」、「上方」、「上層側」、「外側」、または単に「上」もしくは「外」とも称され、コア絶縁層１０１に近い側が「下側」、「下方」、「下層側」、「内側」、または単に「下」もしくは「内」とも称される。コア基板１００の一方の面１００Ａを構成するコア導体層１０２と他方の面１００Ｂを構成するコア導体層１０２とは、コア絶縁層１０１を厚さ方向に貫通する貫通導体１０３によって接続されている。貫通導体１０３の内側の中空の部分は充填材１０３ｆにより充填されている。第１ビルドアップ部１０は、コア基板１００の一方の面１００Ａ上に交互に積層される絶縁層１１および導体層１２によって構成されている。第２ビルドアップ部２０は、コア基板１００の他方の面１００Ｂ上に交互に積層される絶縁層２１および導体層２２によって構成されている。第１ビルドアップ部１０を構成する絶縁層１１、および、第２ビルドアップ部２０を構成する絶縁層２１は、それぞれ、厚さ方向において反対側の２つの表面に接して形成されている導体層を接続するビア導体１３、２３を含んでいる。第１ビルドアップ部１０上には、ソルダーレジスト層ＳＲ１が形成されている。第２ビルドアップ部２０上には、ソルダーレジスト層ＳＲ２が形成されている。ソルダーレジスト層ＳＲ１には開口ＳＲ１ｏが形成され、開口ＳＲ１ｏからは第１ビルドアップ部１０における最も外側の導体層１２が有する導体パッド１２ｐが露出している。ソルダーレジスト層ＳＲ２には開口ＳＲ２ｏが形成され、開口ＳＲ２ｏからは第２ビルドアップ部２０における最も外側の導体層２２が有する導体パッド２２ｐが露出している。コア絶縁層１０１、第１ビルドアップ部１０を構成する絶縁層１１、および、第２ビルドアップ部２０を構成する絶縁層２１は、それぞれ、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）またはフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成される。各絶縁層１０１、１１、２１は、ガラス繊維などの補強材（芯材）および／またはシリカ、アルミナなどの無機フィラーを含んでいてもよい。図示の例では、絶縁層１０１は芯材を含み、その他の絶縁層１１、２１は芯材を含んでいない。導体層１０２、１２、２２、貫通導体１０３、ビア導体１３、２３は、銅またはニッケルなどの任意の金属を用いて形成され得る。例えば、導体層１０２、１２、２２は、銅箔などの金属箔、および／または、めっきもしくはスパッタリングなどで形成される金属膜によって形成され得る。導体層１０２、１２、２２、貫通導体１０３、ビア導体１３、２３は、図１では、見易さのために簡略化して単層構造で示されているが、２層以上の多層構造を有し得る。導体層１０２は、金属箔、金属膜層（例えば、無電解銅めっき膜）、およびめっき膜層（例えば、電解銅めっき膜）を含む５層構造を有し得る。導体層１２、２２、貫通導体１０３、ビア導体１３、２３は、例えば、金属膜層（例えば、無電解銅めっき膜）およびめっき膜層（例えば、電解銅めっき膜）を含む２層構造を有し得る。配線基板１が有する各導体層１０２、１２、２２は、所定の導体パターンを有するようにパターニングされている。実施形態の配線基板は、絶縁層の上面に形成される導体層がガス抜き孔（デガスホール）を含むパターンに形成されている。図示される例では、導体層１２、２２は所謂ベタパターンを含むように形成されており、それぞれのベタパターンにガス抜き孔が形成されている。具体的には、導体層１２は、一点鎖線で囲われる領域IIに示されるように、絶縁層１１の上面に接して所定の範囲に亘って広がるベタパターン１２ＰＬを含むように形成されており、ベタパターン１２ＰＬには複数のガス抜き孔ＤＧＨが形成されている。ガス抜き孔ＤＧＨは導体層１２を厚さ方向に貫通しており、ガス抜き孔ＤＧＨの底部には絶縁層１１が露出している。配線基板を構成する各絶縁層からはガスが発生し得る。絶縁層から発生するガスが配線基板の内部に滞留することで配線基板に膨れが発生し、配線基板の表面における平坦性が損なわれる場合がある。特に、導体層と内側の絶縁層との界面にガスが滞留し、絶縁層から導体層が剥離して、導体層の浮きが発生する場合がある。配線基板を構成する導体層がガス抜き孔を有するパターンに形成されていることで、絶縁層から発生するガスが導体層の内側に留まる可能性は低くなり、ガスは配線基板の外部に放出され易い。従って、配線基板の膨れや、導体層の絶縁層からの剥離の発生が抑制され得る。図示される配線基板１におけるベタパターン１２ＰＬに形成されているガス抜き孔ＤＧＨは、内側の絶縁層１１および絶縁層１０１から発生したガスを配線基板１の外側へ向かって移動させるガスの排出経路として形成されている。図２を参照して後述されるように、実施形態の配線基板に含まれるガス抜き孔ＤＧＨは、平面形状が略長方形である。ここで「平面形状」とは、配線基板を、その厚さ方向と平行な視線で見た（すなわち平面視した）場合に認識される形状を意味している。次いで、図１において一点鎖線で囲われる領域IIにおける、導体層１２に含まれるベタパターン１２ＰＬを平面視した場合の上面図である図２が参照され、ベタパターン１２ＰＬに形成されているガス抜き孔ＤＧＨの構成について詳述される。図２においては、配線基板１における領域II内のベタパターン１２ＰＬの上側の構成要素が除去された状態での上面図が示されている。従って、図２においては、ベタパターン１２ＰＬの上面、ならびに、ベタパターン１２ＰＬの下側の絶縁層１１の上面が露出している。図示されるベタパターン１２ＰＬには、平面形状が略長方形のガス抜き孔ＤＧＨが複数形成されている。図示されるように、複数のガス抜き孔ＤＧＨは格子状に配置されている。ここで格子状とは、平面視において直行する二つの方向のうちの少なくとも一方に、複数のガス抜き孔ＤＧＨが規則的に配列されている状態を意味している。複数のガス抜き孔ＤＧＨが格子状に配置され比較的広い範囲に形成されていることにより、ベタパターン１２ＰＬの下面における局所的なガスの滞留が抑制され得る。ガスがより効果的に外側へ排出され得る。ガス抜き孔ＤＧＨそれぞれは、平面形状が略長方形に形成されており、平面視におけるガス抜き孔ＤＧＨそれぞれの面積は比較的小さく、例えば、８０００μｍ2以上、且つ、３００００μｍ2以下である。ガス抜き孔ＤＧＨの平面形状が略長方形であることにより、詳しくは配線基板の製造方法において後述されるように、絶縁層１１に対するベタパターン１２ＰＬの剥離（浮き）が効果的に抑制され得る。なお、ガス抜き孔ＤＧＨの平面形状に関して「略長方形」とは、略平行な２つの長辺と略平行な２つの短辺とが、４つの角部を介して略直行するように接続されている形状を意味しており、例えば、４つの角部が厳密な直角以外の形状（例えばＲ形状を）有する形状をも含み得る。ベタパターン１２ＰＬに形成され得る複数のガス抜き孔ＤＧＨそれぞれの寸法および面積は、複数のガス抜き孔同士の間で異なっていてもよい。ベタパターン１２ＰＬの絶縁層１１に対する剥離（浮き）を効果的に抑制する観点から、ガス抜き孔ＤＧＨが有する略長方形における長辺の短辺に対する比は、例えば、１．２以上、且つ、５．０以下であることが好ましい。次に、図１の配線基板１が製造される場合を例にして、一実施形態の配線基板の製造方法の一例が、図３Ａ～図３Ｊを参照して説明される。なお、図３Ａ～図３Ｊのうち、図３Ａ～図３Ｂ、ならびに、図３Ｉ～図３Ｊにおいては、図１に対応する範囲の断面が図示され、各導体層は単層で示される。図３Ｃ～図３Ｈにおいては、図１における領域IIに対応する範囲が図示され、導体層を構成する複数の層のそれぞれ（金属膜層およびめっき膜層）が示される。先ず、図３Ａに示されるように、コア基板１００が用意される。コア基板１００の用意では、例えば、コア絶縁層１０１の表面に金属箔（銅箔）が設けられた両面銅張積層板が用意される。両面銅張積層板に貫通孔１０３ｏが例えばドリル加工によって形成され、貫通孔１０３ｏの内壁および金属箔の上面に、例えば無電解銅めっき膜である金属膜層が形成される。金属膜層の上に、この金属膜層を給電層として用いる電解めっきにより、例えば電解銅めっき膜であるめっき膜層が形成される。貫通孔１０３ｏの内壁に形成される貫通導体１０３の内側には、例えばエポキシ樹脂を注入することによって、貫通導体１０３の内部が充填材１０３ｆで充填される。充填材１０３ｆが固化された後、充填材１０３ｆおよびめっき膜層の上面に、さらに金属膜層およびめっき膜層が形成される。この結果、図では単層で示されているが、金属箔、金属膜層、めっき膜、金属膜層、およびめっき膜層の５層構造を有するコア導体層１０２が、コア絶縁層１０１の両面に形成される。そしてサブトラクティブ法によってコア導体層１０２をパターニングすることによって所定の導体パターンを備えるコア基板１００が得られる。次いで、図３Ｂに示されるように、コア基板１００の一方の面１００Ａ上に、複数の絶縁層１１およ