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JP-2026076726-A - レジスト組成物、積層体、パターン形成方法及びレジスト組成物の製造方法

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Abstract

【課題】高エネルギー線を用いるフォトリソグラフィーにおいて、感度及び限界解像性に優れる非化学増幅レジスト組成物、並びに該レジスト組成物を用いた積層体とパターン形成方法及び前記レジスト組成物の製造方法を提供する。 【解決手段】超原子価ヨウ素化合物、カルボキシ基含有ポリマー及び溶剤を含むレジスト組成物であって、前記カルボキシ基含有ポリマーが、下記式（１）で表されるカルボン酸誘導体繰り返し単位を含むポリマーであり、該ポリマーのゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定した重量平均分子量Ｍｗと数平均分子量Ｍｎから求めた分散度Ｍｗ／Ｍｎが１．３０以下であることを特徴とするレジスト組成物。 【化１】 【選択図】なし

Inventors

  • 菊地 駿
  • 草間 理志
  • 大山 皓介
  • 西川 諒
  • 大橋 正樹

Assignees

  • 信越化学工業株式会社

Dates

Publication Date
20260512
Application Date
20241024

Claims (8)

  1. 超原子価ヨウ素化合物、カルボキシ基含有ポリマー及び溶剤を含むレジスト組成物であって、 前記カルボキシ基含有ポリマーが、下記式（１）で表されるカルボン酸誘導体繰り返し単位を含むポリマーであり、該ポリマーのゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定した重量平均分子量Ｍｗと数平均分子量Ｍｎから求めた分散度Ｍｗ／Ｍｎが１．３０以下であることを特徴とするレジスト組成物。 （式中、Ｒ Ａ は、水素原子、ハロゲン原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Ｘ Ａ は、単結合、フェニレン基、ナフチレン基又は＊－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｘ Ａ１ －である。Ｘ Ａ１ は、炭素数１～１０の飽和ヒドロカルビレン基、フェニレン基又はナフチレン基であり、該飽和ヒドロカルビレン基は、ヒドロキシ基、エーテル結合、エステル結合又はラクトン環を含んでいてもよい。＊は、ポリマー主鎖の炭素原子との結合手を表す。）
  2. 前記超原子価ヨウ素化合物が、下記式（２）～（１１）で表される超原子価ヨウ素化合物からなる群から選ばれる少なくとも１つであることを特徴とする請求項１に記載のレジスト組成物。 （式中、ｍ１は、０、１又は２である。ｍ１が０のとき、ｎ１は１、２又は３であり、ｎ２は０、１、２、３、４又は５であり、１≦ｎ１＋ｎ２≦６である。ｍ１が１のとき、ｎ１は１、２又は３であり、ｎ２は０、１、２、３、４、５、６又は７であり、１≦ｎ１＋ｎ２≦８である。ｍ１が２のとき、ｎ１は１、２又は３であり、ｎ２は０、１、２、３、４、５、６、７、８又は９であり、１≦ｎ１＋ｎ２≦１０であり、ｎ３は、１又は２であり、ｎ４は、０、１、２、３又は４であり、１≦ｎ３＋ｎ４≦５である。ｎ５は、１又は２であり、ｎ６は、０、１、２、３又は４であり、１≦ｎ５＋ｎ６≦５である。ｎ７は、０、１、２、３又は４であり、ｎ８は、１、２、３又は４であり、ｍ２は、０、１又は２である。ｍ２が０のとき、ｎ９は０、１、２、３又は４であり、ｍ２が１のとき、ｎ９は０、１、２、３、４、５又は６であり、ｍ２が２のとき、ｎ９は０、１、２、３、４、５、６、７、又は８であり、ｍ３は、０、１又は２である。ｍ３が０のとき、ｎ１０は０、１、２、３又は４であり、ｍ３が１のとき、ｎ１０は０、１、２、３、４、５又は６であり、ｍ３が２のとき、ｎ１０は０、１、２、３、４、５、６、７又は８であり、ｍ４は、０又は１である。ｍ４が０のとき、ｎ１１は０、１、２、３又は４であり、ｍ４が１のとき、ｎ１１は０、１、２、３、４、５又は６であり、ｍ５は、０又は１である。ｍ５が０のとき、ｎ１２は０、１、２、３又は４であり、ｍ５が１のとき、ｎ１２は０、１、２、３、４、５又は６であり、ｎ１３、ｎ１４は、０、１、２、３、４、５又は６であり、ｎ１５、ｎ１６は、０、１、２又は３であり、式中、ｍ６は、０、１又は２である。ｍ６が０のとき、ｎ１７は０、１、２、３又は４であり、ｍ６が１のとき、ｎ１７は０、１、２、３、４、５又は６であり、ｍ６が２のとき、ｎ１７は０、１、２、３、４、５、６、７又は８であり、ｍ７は、０、１又は２である。ｍ７が０のとき、ｎ１８は０、１、２又は３であり、ｍ７が１のとき、ｎ１８は０、１、２、３、４又は５であり、ｍ７が２のとき、ｎ１８は０、１、２、３、４、５、６又は７であり、ｍ８は、０、１又は２である。ｍ８が０のとき、ｎ１９は０、１、２又は３であり、ｎ２０は０又は１であり、ｍ８が１のとき、ｎ１９は０、１、２、３、４又は５であり、ｎ２０は０又は１であり、ｍ８が２のとき、ｎ１９は０、１、２、３、４、５、６又は７であり、ｎ２０は０又は１であり、Ｒ １ ～Ｒ ２２ は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～１０のヒドロカルビル基である。また、Ｒ １ 及びＲ ２ 、Ｒ ３ 及びＲ ４ 、Ｒ ５ 及びＲ ６ 、Ｒ ７ 及びＲ ８ 、Ｒ ９ 及びＲ １０ 、Ｒ １１ 及びＲ １２ 、Ｒ １３ 及びＲ １４ 、Ｒ １５ 及びＲ １６ 、Ｒ １７ 及びＲ １８ 、又はＲ １９ 及びＲ ２０ が、互いに結合してこれらが結合するカルボニルオキシ基及び該カルボニルオキシ基間の原子と共に環を形成してもよく、Ｒ ２１ 及びＲ ２２ が互いに結合してこれらが結合する炭素原子及び該炭素原子間の原子と共に環を形成してもよい。Ｒ ３１ ～Ｒ ３４ 、Ｒ ３７ 、Ｒ ３９ ～Ｒ ４６ 、Ｒ ４９ 、Ｒ ５０ は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～４０のヒドロカルビル基である。ｎ２が２以上のとき、各Ｒ ３１ は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ ３１ が、互いに結合してこれらが結合する芳香環の炭素原子と共に環を形成してもよい。ｎ４が２以上のとき各Ｒ ３２ は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ ３２ が、互いに結合してこれらが結合する芳香環の炭素原子と共に環を形成してもよい。ｎ６が２以上のとき各Ｒ ３３ は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ ３３ が、互いに結合してこれらが結合する芳香環の炭素原子と共に環を形成してもよい。ｎ７が２以上のとき各Ｒ ３４ は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ ３４ が、互いに結合してこれらが結合する芳香環の炭素原子と共に環を形成してもよい。ｎ９が２以上のとき、各Ｒ ３７ は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ ３７ が、互いに結合してこれらが結合する芳香環の炭素原子と共に環を形成してもよい。ｎ１０が２以上のとき、各Ｒ ３９ は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ ３９ が、互いに結合してこれらが結合する芳香環の炭素原子と共に環を形成してもよい。ｎ１１が２以上のとき、各Ｒ ４０ は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ ４０ が、互いに結合してこれらが結合する芳香環の炭素原子と共に環を形成してもよい。ｎ１２が２以上のとき、各Ｒ ４１ は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ ４１ が、互いに結合してこれらが結合する芳香環の炭素原子と共に環を形成してもよい。ｎ１３が２以上のとき、各Ｒ ４２ は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ ４２ が、互いに結合してこれらが結合する芳香環の炭素原子と共に環を形成してもよい。ｎ１４が２以上のとき、各Ｒ ４３ は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ ４３ が、互いに結合してこれらが結合する芳香環の炭素原子と共に環を形成してもよい。ｎ１５が２以上のとき、各Ｒ ４４ は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ ４４ が、互いに結合してこれらが結合する芳香環の炭素原子と共に環を形成してもよい。ｎ１６が２以上のとき、各Ｒ ４５ は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ ４５ が、互いに結合してこれらが結合する芳香環の炭素原子と共に環を形成してもよい。ｎ１７が２以上のとき、各Ｒ ４６ は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ ４６ が、互いに結合してこれらが結合する芳香環の炭素原子と共に環を形成してもよい。ｎ１８が２以上のとき、各Ｒ ４９ は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ ４９ が、互いに結合してこれらが結合する芳香環の炭素原子と共に環を形成してもよい。ｎ１９が２以上のとき、各Ｒ ５０ は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ ５０ が、互いに結合してこれらが結合する芳香環の炭素原子と共に環を形成してもよい。Ｒ ３５ は、炭素数１～４０の（ｎ８）価炭化水素基又は炭素数２～４０の（ｎ８）価複素環式基であり、ｎ８が２のとき、Ｒ ３５ は、エーテル結合、カルボニル基、アゾ基、チオエーテル結合、カーボネート結合、カーバメート結合、スルフィニル基、スルホニル基又はチオケトン結合であってもよい。また、前記（ｎ８）価炭化水素基又は（ｎ８）価複素環式基の水素原子の一部又は全部が、ヘテロ原子を含む基で置換されていてもよく、前記（ｎ８）価炭化水素基の－ＣＨ ２ －の一部が、ヘテロ原子を含む基で置換されていてもよく、Ｒ ３４ 及びＲ ３５ が、互いに結合してこれらが結合する炭素原子及び該炭素原子間の原子と共に環を形成してもよい。Ｒ ３６ は、ハロゲン原子、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～１０のヒドロカルビル基である。Ｒ ３８ は、カルボニル基、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～１０のヒドロカルビレン基である。＊１及び＊２は、式中の芳香環の炭素原子との結合手を表す。ただし、＊１及び＊２は、芳香環の隣接した炭素原子に結合している。Ｌ １ は、結合なし、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＮＨ－もしくは、－ＣＨ ２ －であり、Ｒ ４７ は、ハロゲン原子、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～１０のヒドロカルビル基である。Ｘは窒素または硫黄であり、窒素の場合はＲ ４８ を有してもよい。Ｒ ４８ は水素原子、ハロゲン原子、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～２０のヒドロカルビル基である。）
  3. 基板と、該基板上に請求項１又は請求項２に記載のレジスト組成物の成膜体であるレジスト膜とを備えるものであることを特徴とする積層体。
  4. 前記基板と前記レジスト膜との間に更にレジスト下層膜を備えることを特徴とする請求項３に記載の積層体。
  5. 前記レジスト膜が、前記超原子価ヨウ素化合物とカルボキシ基含有ポリマーとの配位子交換反応生成物を含むものであることを特徴とする請求項３に記載の積層体。
  6. 請求項１又は請求項２に記載のレジスト組成物を用いて、基板上に、又はレジスト下層膜を積層した基板の該レジスト下層膜上にレジスト膜を形成する工程と、高エネルギー線で前記レジスト膜を露光する工程と、前記露光したレジスト膜を、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
  7. 前記高エネルギー線として、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光、電子線又は極端紫外線を用いることを特徴とする請求項６に記載のパターン形成方法。
  8. 請求項１に記載のレジスト組成物の製造方法であって、 前記カルボキシ基含有ポリマーを、ラジカル開始剤と下記式（Ｒ―１）もしくは（Ｒ―２）で表される可逆的付加開裂連鎖移動剤（ＲＡＦＴ剤）とを用いるリビングラジカル重合によって合成し、得られた前記カルボキシ基含有ポリマーと、前記超原子価ヨウ素化合物及び前記溶剤を混合する工程を含むことを特徴とするレジスト組成物の製造方法。 （式中、Ｒ Ｘ１ 及びＲ Ｘ３ は、それぞれ独立に、炭素数３～２０の飽和ヒドロカルビルチオ基、炭素数７～２０のアラルキルチオ基、炭素数５～２０のヘテロシクリル基、－Ｎ（Ｚ Ａ ）（Ｚ Ｂ ）、－ＣＯＯＺ Ａ 、－ＯＣＯＺ Ａ 、－ＣＯＮ（Ｚ Ａ ）（Ｚ Ｂ ）、－Ｐ（＝Ｏ）（ＯＺ Ａ ） ２ 又は－Ｏ－Ｐ（＝Ｏ）（Ｚ Ａ ）（Ｚ Ｂ ）である。Ｚ Ａ 及びＺ Ｂ は、それぞれ独立に、炭素数１～２０の飽和ヒドロカルビル基、炭素数６～２０のアリール基又は炭素数７～２０のアラルキル基であり、Ｚ Ａ 及びＺ Ｂ は、その炭素原子に結合する水素原子の一部又は全部が、シアノ基、カルボキシ基等で置換されていてもよい。Ｒ Ｘ２ 及びＲ Ｘ４ は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数２～２０の飽和ヒドロカルビル基、炭素数７～２０のアラルキル基又は炭素数６～２０のアリール基である。）

Description

本発明は、レジスト組成物、積層体、及び前記レジスト組成物を用いるパターン形成方法、並びに前記レジスト組成物の製造方法に関する。 ＩｏＴ市場の拡大とともにＬＳＩの高集積化、高速度化及び低消費電力化が更に要求され、パターンルールの微細化が急速に進んでいる。特に、ロジックデバイスが微細化を牽引している。最先端の微細化技術として、ＡｒＦ液浸リソグラフィーのダブルパターニング、トリプルパターニング及びクアドロパターニングによる１０ｎｍノードのデバイスの量産が行われており、さらに次世代の波長１３．５ｎｍの極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィーによる７ｎｍノードデバイスの検討が進められている。 微細化の進行とともに、酸の拡散による像のボケが問題になっている（非特許文献１）。加工寸法４５ｎｍ以降の微細パターンでの解像性を確保するためには、従来提案されている溶解コントラストの向上だけでなく、酸拡散の制御が重要であることが提案されている（非特許文献２）。しかしながら、化学増幅レジスト組成物は、酸の拡散によって感度とコントラストを上げているため、ポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）温度を低くしたり、ＰＥＢ時間を短くしたりして酸拡散を極限まで抑えようとすると、感度やコントラストが著しく低下する。 バルキーな酸が発生する酸発生剤を添加して酸拡散を抑えることは有効である。そこで、ポリマーに重合性オレフィンを有するオニウム塩の酸発生剤を共重合することが提案されている。しかし、加工寸法１６ｎｍ以降のレジスト膜のパターン形成においては、酸拡散の観点から化学増幅レジスト組成物ではパターン形成ができないと考えられており、非化学増幅レジスト組成物の開発が望まれている。 非化学増幅レジスト組成物用の材料として、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）が挙げられる。ＰＭＭＡは、ＥＵＶ照射によって主鎖が切断し、分子量が低下することによって有機溶剤の現像液への溶解性が向上するポジ型レジスト材料である。 ハイドロゲンシルセスキオキサン（ＨＳＱ）は、ＥＵＶ照射によって生じたシラノールの縮合反応による架橋によってアルカリ現像液に不溶となるネガ型レジスト材料である。また、塩素置換したカリックスアレーンもネガ型レジスト材料として機能する。これらのネガ型レジスト材料は、架橋前の分子サイズが小さく酸拡散によるボケが無いため、エッジラフネスが小さく解像性が非常に高く、露光装置の解像限界を示すためのパターン転写材料として用いられている。しかしながら、これらの材料は感度が不十分であり、更なる改善が必要である。 ＥＵＶリソグラフィー向け材料開発を困難にさせる要因として、ＥＵＶ露光におけるフォトン数の少なさが挙げられる。ＥＵＶのエネルギーはＡｒＦエキシマレーザー光に比べて遙かに高く、ＥＵＶ露光のフォトン数は、ＡｒＦ露光のそれの１４分の１である。さらに、ＥＵＶ露光で形成するパターンの寸法は、ＡｒＦ露光の半分以下である。このため、ＥＵＶ露光はフォトン数のバラツキの影響を受けやすい。極短波長の放射光領域におけるフォトン数のバラツキは物理現象のショットノイズであり、この影響を無くすることはできない。そのため、いわゆる確率論（Ｓｔｏｃｈａｓｔｉｃｓ）が注目されている。ショットノイズの影響を無くすることはできないが、いかにこの影響を低減するかが議論されている。ショットノイズの影響で寸法均一性（ＣＤＵ）やラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）が大きくなるだけでなく、数百万分の一の確率でホールが閉塞する現象が観察されている。ホールが閉塞すると電通不良となってトランジスタが動作しないので、デバイス全体のパフォーマンスに悪影響を及ぼす。実用的な感度を考慮した場合、ＰＭＭＡやＨＳＱを主成分としたレジスト組成物では、Ｓｔｏｃｈａｓｔｉｃｓの影響を大きく受け、所望の解像性能を得ることはできていない。 ショットノイズの影響をレジスト側で低減する方法として、ＥＵＶ光の吸収が大きい元素の導入が注目されている。特許文献１には、ＥＵＶ光の吸収が大きいヨウ素原子を含む化学増幅レジスト組成物が提案されている。しかし、前述したとおり、化学増幅レジスト組成物では、今後ますます加工寸法が微細化されるＥＵＶリソグラフィーにおいて優れた解像性能を実現できない。特にラインアンドスペースパターンにおいては、パターン寸法が小さくなるにつれて、パターンの倒れや断線が顕著に増えてくるため、これらを少なくすることが限界解像性の改善に繋がる。 特許文献２には、スズ化合物を用いたネガ型レジスト組成物が提案されている。これは、ＥＵＶ光の吸収が大きいスズ元素を主成分としているため、Ｓｔｏｃｈａｓｔｉｃｓが改善され、高感度・高解像性を実現できる。しかし、いわゆるこのようなメタルレジストは、レジスト用溶剤に対する溶解性不足、保存安定性、エッチング後残渣による欠陥等多くの課題を抱えている。さらに、メタルレジストは、主に露光部が金属酸化物となることで現像液に不溶となるネガ型であるため、コンタクトホールのパターニングに適用する場合においては、反転プロセス工程が追加で必要となり、コスト面でも懸念がある。 特開２０１８－５２２４号公報特表２０２１－５０３４８２号公報 ＳＰＩＥ Ｖｏｌ． ５０３９ ｐ１ （２００３）ＳＰＩＥ Ｖｏｌ． ６５２０ ｐ６５２０３Ｌ－１ （２００７） 本発明者らは、前記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、超原子価ヨウ素化合物及び所定のカルボキシ基含有ポリマーを主成分とするレジスト組成物が、感度が高く、ラフネスが小さく、優れた限界解像性を示すレジスト膜を与え、精密な微細加工に極めて有効であることを知見し、本発明をなすに至った。 即ち、本発明は、超原子価ヨウ素化合物、カルボキシ基含有ポリマー及び溶剤を含むレジスト組成物であって、前記カルボキシ基含有ポリマーが、下記式（１）で表されるカルボン酸誘導体繰り返し単位を含むポリマーであり、該ポリマーのゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定した重量平均分子量Ｍｗと数平均分子量Ｍｎから求めた分散度Ｍｗ／Ｍｎが１．３０以下であることを特徴とするレジスト組成物である。 （式中、ＲＡは、水素原子、ハロゲン原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。ＸＡは、単結合、フェニレン基、ナフチレン基又は＊－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－ＸＡ１－である。ＸＡ１は、炭素数１～１０の飽和ヒドロカルビレン基、フェニレン基又はナフチレン基であり、該飽和ヒドロカルビレン基は、ヒドロキシ基、エーテル結合、エステル結合又はラクトン環を含んでいてもよい。＊は、ポリマー主鎖の炭素原子との結合手を表す。） 以下、本発明について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、本明細書においては、数値範囲の端点による記載は、その範囲に含まれるすべての値を含むものとする（例えば、「０から３」は、０、１、２及び３を含む）。 ［レジスト組成物］ 本発明のレジスト組成物は、主成分として超原子価ヨウ素化合物及び所定のカルボキシ基含有ポリマーを含む。 ［超原子価ヨウ素化合物］ 前記超原子価ヨウ素化合物は、下記式（２）～（１１）で表される三配位超原子価ヨウ素化合物である。 （式中、ｍ１は、０、１又は２である。ｍ１が０のとき、ｎ１は１、２又は３であり、ｎ２は０、１、２、３、４又は５であり、１≦ｎ１＋ｎ２≦６である。ｍ１が１のとき、ｎ１は１、２又は３であり、ｎ２は０、１、２、３、４、５、６又は７であり、１≦ｎ１＋ｎ２≦８である。ｍ１が２のとき、ｎ１は１、２又は３であり、ｎ２は０、１、２、３、４、５、６、７、８又は９であり、１≦ｎ１＋ｎ２≦１０であり、ｎ３は、１又は２であり、ｎ４は、０、１、２、３又は４であり、１≦ｎ３＋ｎ４≦５である。ｎ５は、１又は２であり、ｎ６は、０、１、２、３又は４であり、１≦ｎ５＋ｎ６≦５である。ｎ７は、０、１、２、３又は４であり、ｎ８は、１、２、３又は４であり、ｍ２は、０、１又は２である。ｍ２が０のとき、ｎ９は０、１、２、３又は４であり、ｍ２が１のとき、ｎ９は０、１、２、３、４、５又は６であり、ｍ２が２のとき、ｎ９は０、１、２、３、４、５、６、７、又は８であり、ｍ３は、０、１又は２である。ｍ３が０のとき、ｎ１０は０、１、２、３又は４であり、ｍ３が１のとき、ｎ１０は０、１、２、３、４、５又は６であり、ｍ３が２のとき、ｎ１０は０、１、２、３、４、５、６、７又は８であり、ｍ４は、０又は１である。ｍ４が０のとき、ｎ１１は０、１、２、３又は４であり、ｍ４が１のとき、ｎ１１は０、１、２、３、４、５又は６であり、ｍ５は、０又は１である。ｍ５が０のとき、ｎ１２は０、１、２、３又は４であり、ｍ５が１のとき、ｎ１２は０、１、２、３、４、５又は６であり、ｎ１３、ｎ１４は、０、１、２、３、４、５又は６であり、ｎ１５、ｎ１６は、０、１、２又は３であり、式中、ｍ６は、０、１又は２である。ｍ６が０のとき、ｎ１７は０、１、２、３又は４であり、ｍ６が１のとき、ｎ１７は０、１、２、３、４、５又は６であり、ｍ６が２のとき、ｎ１７は０、１、２、３、４、５、６、７又は８であり、ｍ７は、０、１又は２である。ｍ７が０のとき、ｎ１８は０、１、２又は３であり、ｍ７が１のとき、ｎ１８は０、１、２、３、４又は５であり、ｍ７が２のとき、ｎ１８は０、１、２、３、４、５、６又は７であり、ｍ８は、０、１又は２である。ｍ８が０のとき、ｎ１９は０、１、２又は３であり、ｎ２０は０又は１であり、ｍ８が１のとき、ｎ１９は０、１、２、３、４又は５であり、ｎ２０は０又は１であり、ｍ８が２のとき、ｎ１９は０、１、２、３、４、５、６又は７であり、ｎ２０は０又は１であり、Ｒ１～Ｒ２２は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～１０のヒドロカルビル基である。また、Ｒ１及びＲ２、Ｒ３及びＲ４、Ｒ５及びＲ６、Ｒ７及びＲ８、Ｒ９及びＲ１０、Ｒ１１及びＲ１２、Ｒ１３及びＲ１４、Ｒ１５及びＲ１６、Ｒ１７及びＲ１８、又はＲ１９及びＲ２０が、互いに結合してこれらが結合するカルボニルオキシ基及び該カルボニルオキシ基間の原子と共に環を形成してもよく、Ｒ２１及びＲ２２が互いに結合してこれらが結合する炭素原子及び該炭素原子間の原子と共に環を形成してもよい。Ｒ３１～Ｒ３４、Ｒ３７、Ｒ３９～Ｒ４６、Ｒ４９、Ｒ５０は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１～４０のヒドロカルビル基である。ｎ２が２以上のとき、各Ｒ３１は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ３１が、互いに結合してこれらが結合する芳香環の炭素原子と共に環を形成してもよい。ｎ４が２以上のとき各Ｒ３２は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ３２が、互いに結合してこれらが結合する芳香環の炭素原子と共に環を形成してもよい。ｎ６が２以上のとき各Ｒ３３は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ３３が、互いに結合してこれらが結合する芳香環の炭素原子と共に環を形成してもよい。ｎ７が２以上のとき各Ｒ３４は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ３４が、互いに結合してこれらが結合する芳香環の炭素原子と共に環を形成してもよい。ｎ９が２以上のとき、各Ｒ３７は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ３７が、互いに結合してこれらが結合する芳香環の炭素原子と共に環を形成してもよい。ｎ１０が２以上のとき、各Ｒ３９は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ３９が、互いに結合してこれらが結合する芳香環の炭素原子と共に環を形成してもよい。ｎ１１が２以上のとき、各Ｒ４０は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ４０が、互いに結合してこれらが結合する芳香環の炭素原子と共に環を形成してもよい。ｎ１２が２以上のと