JP-2026077062-A - リードフレーム、半導体装置の中間製品および半導体装置の製造方法
Abstract
【課題】半導体装置の信頼性を向上させること。 【解決手段】リードフレームは、半導体素子が搭載される搭載面を有する放熱板と、リードを有する単位リードフレームと、を備える。放熱板は、平面視で外側に突出する第1の突起部を有する。単位リードフレームは、平面視で内側に突出する第2の突起部を有する。第1の突起部と第2の突起部とが接合することで、放熱板が単位リードフレームに固定される。 【選択図】図2A
Inventors
- 柴 憲一郎
- 宗岡 秀策
Assignees
- 株式会社三井ハイテック
Dates
- Publication Date
- 20260513
- Application Date
- 20241025
Claims (6)
- 半導体素子が搭載される搭載面を有する放熱板と、 リードを有する単位リードフレームと、 を備え、 前記放熱板は、平面視で外側に突出する第1の突起部を有し、 前記単位リードフレームは、平面視で内側に突出する第2の突起部を有し、 前記第1の突起部と前記第2の突起部とが接合することで、前記放熱板が前記単位リードフレームに固定される リードフレーム。
- 前記第1の突起部は、溝部を有し、 前記第2の突起部は、先端部が前記溝部に対応する形状の突起部を有し、 前記突起部が前記溝部に嵌合することで、前記放熱板が前記単位リードフレームに固定される 請求項1に記載のリードフレーム。
- 前記放熱板は、前記第1の突起部の基端部に貫通孔を有する 請求項1または2に記載のリードフレーム。
- 搭載面を有する放熱板と、リードを有する単位リードフレームと、を有するリードフレームと、 前記放熱板の前記搭載面に搭載される半導体素子と、 前記半導体素子を封止する封止樹脂と、 を備え、 前記放熱板は、平面視で外側に突出する第1の突起部を有し、 前記単位リードフレームは、平面視で内側に突出する第2の突起部を有し、 前記第1の突起部と前記第2の突起部とが接合することで、前記放熱板が前記単位リードフレームに固定され、 前記第1の突起部と前記第2の突起部との接合部は、前記封止樹脂から露出する 半導体装置の中間製品。
- 搭載面を有する放熱板において、平面視で外側に突出する第1の突起部と、リードを有する単位リードフレームにおいて、平面視で内側に突出する第2の突起部とを接合する工程と、 前記放熱板の前記搭載面に半導体素子を搭載する工程と、 前記第1の突起部と前記第2の突起部との接合部が露出するように、前記半導体素子を封止樹脂で封止する工程と、 前記第1の突起部における前記封止樹脂と前記接合部との間を切断する工程と、 を含む半導体装置の製造方法。
- 前記放熱板は、前記第1の突起部の基端部に貫通孔を有し、 前記切断する工程は、前記貫通孔が切断ラインに含まれるように前記第1の突起部を切断する 請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
Description
開示の実施形態は、リードフレーム、半導体装置の中間製品および半導体装置の製造方法に関する。 たとえば、パワー半導体素子などの大きな電流を制御する半導体素子を実装した半導体装置では、この半導体素子から発生する熱を効率よく放熱させるため、リードフレーム本体に放熱板を接合し、この放熱板上に直接半導体素子を載置するものが知られている。 特開2001-144242号公報 図1Aは、実施形態に係る放熱板の一例を示す平面図および側面図である。図1Bは、実施形態に係るリードフレーム本体の一例を示す拡大平面図である。図2Aは、実施形態に係るリードフレームの一例を示す拡大平面図である。図2Bは、図2Aに示すA-A線の矢視断面図である。図3Aは、実施形態に係る放熱板と単位リードフレームとの接合領域の一例を示す拡大平面図である。図3Bは、図3Aに示すB-B線の矢視断面図である。図4Aは、実施形態に係る半導体装置の一例を示す平面図である。図4Bは、図4Aに示すC-C線の矢視断面図である。図5Aは、実施形態の変形例1に係る放熱板と単位リードフレームとの接合領域の一例を示す拡大断面図である。図5Bは、実施形態の変形例2に係る放熱板と単位リードフレームとの接合領域の一例を示す拡大平面図である。図6Aは、実施形態の変形例3に係る放熱板と単位リードフレームとの接合領域の一例を示す拡大平面図である。図6Bは、実施形態に係る半導体装置の製造工程の手順の一例を示すフローチャートである。図7Aは、実施形態に係る接合工程の一例について説明するための図である。図7Bは、実施形態に係る搭載工程および配線形成工程の一例について説明するための図である。図8Aは、実施形態に係る封止工程の一例について説明するための図である。図8Bは、実施形態に係る切断工程の一例について説明するための図である。 以下、添付図面を参照して、本願の開示するリードフレーム、半導体装置の中間製品および半導体装置の製造方法について説明する。なお、以下に示す実施形態により本開示が限定されるものではない。 また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係および比率が異なる部分が含まれている場合がある。 <放熱板> 最初に、実施形態に係るリードフレーム1(図2A参照)を構成する放熱板10の構成について、図1Aを参照しながら説明する。図1Aは、実施形態に係る放熱板10の一例を示す平面図および側面図である。 放熱板10は、後述する半導体装置100(図4A参照)のダイパッドとして機能する。図1Aに示すように、実施形態に係る放熱板10は、平板状であり、一方の主面が半導体素子30(図4A参照)の搭載される搭載面11である。また、放熱板10は、搭載面11の反対側に裏面12を有する。 放熱板10は、たとえば、矩形状の本体部13と、2つの突起部14とを有する。突起部14は、第1の突起部の一例である。この2つの突起部14は、本体部13において互いに向かい合う2辺から、外側にそれぞれ突出する。また、放熱板10は、2つの突起部14の先端部にそれぞれ位置する2つの溝部15を有する。 この2つの溝部15は、たとえば、放熱板10の中心X1を基準として、点対称となる箇所に位置する。溝部15は、たとえば直方体状であり、プレス加工またはエッチング加工で形成可能である。 また、放熱板10は、2つの突起部14の基端部にそれぞれ位置する2つの貫通孔16を有する。貫通孔16は、たとえば、放熱板10の厚み方向に沿って放熱板10を貫通する。また、貫通孔16は、たとえば、放熱板10の本体部13において、かかる貫通孔16に隣接する1辺に沿って位置する。 放熱板10は、熱伝導性のよい金属、たとえば銅または銅合金などで構成される。なお、放熱板10の本体部13は、平面視で矩形状に限られず、多種多様な平面形状を有していてもよい。 <リードフレーム本体> つづいて、実施形態に係るリードフレーム1(図2A参照)を構成するリードフレーム本体20の構成について、図1Bを参照しながら説明する。図1Bは、実施形態に係るリードフレーム本体20の一例を示す拡大平面図である。 実施形態に係るリードフレーム本体20は、銅、銅合金、または鉄ニッケル合金などで構成される金属板に、プレス加工やエッチング加工などが施されて所定のパターンが形成された部材である。 実施形態に係るリードフレーム本体20は、たとえば平面視で帯形状を有し、長手方向に沿って複数の単位リードフレーム20Aが並んで形成されている。なお、本開示では、リードフレーム本体20の長手方向に沿ってだけでなく、幅方向にも沿って複数の単位リードフレーム20Aが並んで形成されていてもよい。 図1Bに示すように、単位リードフレーム20Aは、複数のリード21と、複数の突起部22とを有する。突起部22は、第2の突起部の一例である。また、隣接する単位リードフレーム20A同士は、コネクティングバー23によって連結される。 リード21は、半導体装置100(図4A参照)の接続端子として機能する。複数のリード21は、たとえば、単位リードフレーム20Aにおける中央部X2の周囲に位置する。リード21は、たとえば、ダムバー24によってコネクティングバー23に支持される。 突起部22は、たとえば、コネクティングバー23に支持される。そして、突起部22は、単位リードフレーム20Aの内側(たとえば、中央部X2側)に向かって延在する。突起部22は、たとえば、1つの単位リードフレーム20Aに接する両側のコネクティングバー23にそれぞれ1つずつ設けられる。 突起部22の先端部22a(図3A参照)は、平面視で放熱板10(図1A参照)の溝部15(図1A参照)に対応する形状を有する。 パイロット孔25は、帯形状のリードフレーム本体20の両側に並んで形成され、各種処理におけるリードフレーム本体20およびリードフレーム1の位置決めに用いられる。 <リードフレーム> つづいて、実施形態に係るリードフレーム1の詳細な構成について、図2A~図3Bを参照しながら説明する。図2Aは、実施形態に係るリードフレーム1の一例を示す拡大平面図である。図2Bは、図2Aに示すA-A線の矢視断面図である。 実施形態に係るリードフレーム1は、たとえば平面視で帯形状を有し、長手方向に沿って複数の単位リードフレーム1Aが並んで形成されている。かかる単位リードフレーム1Aは、リードフレーム1を用いて製造される半導体装置100(図4A参照)の一つ一つに対応する部位である。 隣接する単位リードフレーム1A同士は、コネクティングバー23によって連結される。なお、本開示では、リードフレーム1の長手方向に沿ってだけでなく、幅方向にも沿って複数の単位リードフレーム1Aが並んで形成されていてもよい。 図2Aに示すように、単位リードフレーム1Aは、放熱板10と、単位リードフレーム20Aとを有する。単位リードフレーム1Aにおいて、たとえば、放熱板10の中心X1(図1A参照)は、単位リードフレーム20Aの中央部X2(図1B参照)と平面視で同じ箇所または近い箇所に位置する。 また、単位リードフレーム1Aにおいて、複数のリード21および複数の突起部22は、たとえば、放熱板10の周囲に位置する。 実施形態では、図2Aおよび図2Bに示すように、単位リードフレーム20Aにおける突起部22の先端部22aが、放熱板10の突起部14に位置する溝部15に嵌合することで、放熱板10が単位リードフレーム20Aに固定されるとよい。 すなわち、実施形態では、放熱板10の突起部14と、単位リードフレーム20Aの突起部22とが接合することで、放熱板10が単位リードフレーム20Aに固定されるとよい。これにより、突起部14と突起部22との接合部の周辺に位置する放熱板10の幅を狭くすることができる。この作用による効果の詳細については後述する。 また、実施形態では、図2Bに示すように、突起部22が屈曲部22bを有してもよい。かかる屈曲部22bは、たとえば、先端部22aよりも突起部22の基端側に位置し、単位リードフレーム20Aにおける一方の主面(図では裏面)側に向かうように屈曲する。 これにより、突起部22の先端部22aとリード21(図2A参照)とが面一にならなくなるため、放熱板10とリード21とが面一になることを抑制できる。すなわち、実施形態では、図2Aに示すように、放熱板10とリード21とが平面視で重なっている場合でも、放熱板10とリード21とが接触しない。 したがって、実施形態によれば、放熱板10をより大きくできるため、半導体装置100の放熱特性が向上する。 図3Aは、実施形態に係る放熱板10と単位リードフレーム20Aとの接合領域の一例を示す拡大平面図である。図3Bは、図3Aに示すB-B線の矢視断面図である。 図3Aに示すように、実施形態では、放熱板10の突起部14が、溝部15に隣接して位置する2つの別の溝部17を有していてもよい。この2つの別の溝部17は、たとえば、互いで溝部15を挟むように位置してもよい。 また、別の溝部17は、突起部22の先端部22aが溝部15に収容された後に、図3Bに示すように、溝部15の周囲を断面視でV形状にプレス加工することで形成されてもよい。 これにより、別の溝部17の形成工程によって、溝部15に収容された先端部22aの側面22a1が両側から押圧されることから、放熱板10を単位リードフレーム20Aに安定して固定することができる。 したがって、実施形態によれば、半導体装置100を製造する際などに、単位リードフレーム20Aから放熱板10が脱離することを抑制できるため、半導体装置100を安定して製造することができる。 また、実施形態では、突起部22における先端部22aの幅が溝部15の幅よりも小さい場合でも、先端部22aが溝部15に収容された後に、別の溝部17の形成工程によって先端部22aの側面22a1を押圧することができる。 すなわち、実施形態では、突起部22における先端部22aの幅が溝部15の幅よりも小さい場合でも、放熱板10に別の溝部17を形成することで、先端部22aを溝部15に嵌合可能である。 したがって、実施形態によれば、先端部22aを溝部15に容易に収容可能となるため、リードフレーム1の製造工程を簡便にすることができる。 また、実施形態では、放熱板10が、1つの溝部15ごとに別の溝部17を2つ有してもよい。これにより、2つの方向から先端部22aの側面22a1を押圧することができるため、放熱板10を単位リードフレーム20Aに安定して固定することができる。 したがって、実施形態によれば、半導体装置100を製造する際などに、単位リードフレーム20Aから放熱板10が脱離することを抑制できるため、半導体装置100を安定して製造することができる。 また、実施形態では、図3Aに示すように、溝部15に隣接する別の溝部17が、平面視で矩形状の溝部15の1辺に沿って位置してもよい。これにより、別の溝部17が溝部15の1辺に対して斜めに配置される場合と比べて、溝部15に嵌合する突起部22の側面22a1を均等に押圧することができる。 したがって、実施形態によれば、半導体装置100を製造する際などに、単位リードフレーム20Aから放熱板10が脱離することを抑制できるため、半導体装置100を安定して製造することができる。 <半導体装置> つづいて、実施形態に係るリードフレーム1を用いた半導体装置100の構成について、図4A~図6Aを参照しながら説明する。図4Aは、実施形態に係る半導体装置100の一例を示す平面図である。図4Bは、図4Aに示すC-C線の矢視断面図である。なお、理解を容易にするため、図4Aでは封止樹脂50を破線