JP-2026077668-A - 電子機器

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Abstract

【課題】使用者の顔の特徴を正確に認識することができる電子機器を提供する。【解決手段】第１の光学部材と、第２の光学部材と、フレームと、撮像装置と、特徴抽出部と、感情推定部と、を有する眼鏡型電子機器。フレームは、第１の光学部材の側面、及び第２の光学部材の側面と接するように設けられる。撮像装置は、フレームと接するように設けられ、眼鏡型電子機器の使用者の顔の一部を検出する機能を有する。特徴抽出部は、検出した使用者の顔の一部から、使用者の顔の特徴を抽出する機能を有する。感情推定部は、抽出された特徴から、使用者に関する情報を推定する機能を有する。【選択図】図１

Inventors

山崎舜平
池田隆之
小林英智
宍戸英明
木村清貴
中川貴史
根井孝征
林健太郎

Assignees

株式会社半導体エネルギー研究所

Dates

Publication Date: 20260513
Application Date: 20260205
Priority Date: 20190222

Claims (1)

撮像装置を有する被写体検出部と、特徴抽出部と、推定部と、表示装置を有する情報提示部と、を備え、前記被写体検出部は、使用者の顔の一部または全部の情報を取得する機能を有し、前記特徴抽出部は、前記被写体検出部において取得した前記使用者の顔の一部または全部の情報から、前記使用者の顔の特徴を抽出する機能を有し、前記推定部は、前記特徴抽出部において抽出した前記使用者の顔の特徴から、前記使用者に関する情報を推定する機能を有し、前記情報提示部は、前記推定部において推定した前記使用者に関する情報に基づいて、前記使用者に情報を提示する機能を有する、電子機器であって、前記表示装置は、第１の層と、第２の層と、を有し、前記第１の層は、ゲートドライバ回路と、ソースドライバ回路と、を有し、前記第２の層は、画素がマトリクス状に配列された画素アレイを有し、前記ゲートドライバ回路および前記ソースドライバ回路は、それぞれ、前記画素アレイと重なりを有し、前記ゲートドライバ回路は、前記ソースドライバ回路と重なる領域を有し、前記領域の平面視において、前記ゲートドライバ回路を構成する複数の第１のトランジスタのうちの一と、前記複数の第１のトランジスタのうちの別の一との間には、ダミートランジスタが配置され、前記領域の平面視において、前記ソースドライバ回路を構成する複数の第２のトランジスタのうちの一と、前記複数の第２のトランジスタのうちの別の一との間には、前記ダミートランジスタが配置される、電子機器。

Description

本発明の一態様は、眼鏡型電子機器に関する。なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法、を一例として挙げることができる。半導体装置は、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。顔の撮像画像から、表情認識を行う技術が知られている。例えばデジタルカメラ等において、被写体が笑った瞬間や、被写体がカメラに視線を向けた瞬間に自動的に撮像する技術に、表情認識が応用されている。表情認識の技術としては、例えば特許文献１に、顔の特徴点を検出し、その特徴点に基づいて高い精度で表情認識する技術が開示されている。特開２００７－０８７３４６号公報図１（Ａ）、及び図１（Ｂ）は、電子機器の構成例を示す図である。図２（Ａ）、及び図２（Ｂ）は、電子機器の構成例を示す図である。図３（Ａ）乃至図３（Ｃ）は、電子機器の構成例を示す図である。図４は、電子機器の構成例を示すブロック図である。図５（Ａ）、及び図５（Ｂ）は、ニューラルネットワークの構成例を示す図である。図５（Ｃ）は、感情推定について示すグラフである。図６（Ａ）は、電子機器の使用態様の一例を示す図である。図６（Ｂ）は、電子機器の使用者の視界の例を示す図である。図７は、電子機器の構成例を示すブロック図である。図８は、表示装置の構成例を示すブロック図である。図９は、表示装置の構成例を示すブロック図である。図１０は、表示装置の構成例を示すブロック図である。図１１は、表示装置の構成例を示すブロック図である。図１２は、表示装置の構成例を示すブロック図である。図１３は、表示装置の構成例を示すブロック図である。図１４は、表示装置の構成例を示すブロック図である。図１５は、表示装置の構成例を示すブロック図である。図１６は、ＤＡ変換回路の構成例を示す回路図である。図１７は、シフトレジスタの構成例を示すブロック図である。図１８（Ａ）は、シフトレジスタの構成例を示すブロック図である。図１８（Ｂ）は、シフトレジスタの構成例を示す回路図である。図１９は、ゲートドライバ回路及びソースドライバ回路の配置の例を示す模式図である。図２０は、ゲートドライバ回路及びソースドライバ回路の構成例を示す上面図である。図２１（Ａ）乃至図２１（Ｇ）は、画素の構成例を示す図である。図２２（Ａ）、及び図２２（Ｂ）は、画素の構成例を示す回路図である。図２３（Ａ）は、画素の構成例を示す回路図である。図２３（Ｂ）は、画素の動作方法の一例を示すタイミングチャートである。図２４（Ａ）乃至図２４（Ｅ）は、画素の構成例を示す回路図である。図２５は、表示装置の構成例を示すブロック図である。図２６は、表示装置の動作例を説明する図である。図２７は、表示装置の構成例を示す断面図である。図２８は、表示装置の構成例を示す断面図である。図２９は、表示装置の構成例を示す断面図である。図３０は、表示装置の構成例を示す断面図である。図３１（Ａ）、及び図３１（Ｂ）は、画素の構成例を示す上面図である。図３２は、画素の構成例を示す上面図である。図３３は、画素の構成例を示す断面図である。図３４（Ａ）は、画素の構成例を示す模式図である。図３４（Ｂ）は、画素の構成例を示す上面図である。図３５（Ａ）、及び図３５（Ｂ）は、画素の構成例を示す上面図である。図３６は、画素の構成例を示す上面図である。図３７は、画素の構成例を示す上面図である。図３８は、画素の構成例を示す断面図である。図３９（Ａ）乃至図３９（Ｅ）は、発光素子の構成例を示す図である。図４０（Ａ）、及び図４０（Ｂ）は、撮像装置の構成例を示す断面図である。図４１（Ａ）は、トランジスタの構成例を示す上面図である。図４１（Ｂ）、及び図４１（Ｃ）は、トランジスタの構成例を示す断面図である。図４２（Ａ）は、トランジスタの構成例を示す上面図である。図４２（Ｂ）、及び図４２（Ｃ）は、トランジスタの構成例を示す断面図である。図４３（Ａ）は、トランジスタの構成例を示す上面図である。図４３（Ｂ）、及び図４３（Ｃ）は、トランジスタの構成例を示す断面図である。以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。また、本明細書において、「上に」、「下に」、「左に」、「右に」等の配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。したがって、明細書で説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。トランジスタは半導体素子の一種であり、電流や電圧の増幅や、導通又は非導通を制御するスイッチング動作等を実現することができる。本明細書におけるトランジスタは、ＩＧＦＥＴ（ＩｎｓｕｌａｔｅｄＧａｔｅＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を含む。また、本明細書等において、トランジスタが有するソースとドレインの機能は、トランジスタの極性、又は回路動作において電流の方向が変化する場合等には入れ替わることがある。このため、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。また、本明細書等において、「電気的に接続」には、直接接続している場合と、「何らかの電気的作用を有するもの」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。よって、「電気的に接続する」と表現される場合であっても、現実の回路においては、物理的な接続部分がなく、配線が延在しているだけの場合もある。また、「直接接続」と表現される場合であっても、異なる導電体がコンタクトを介して接続される場合が含まれる。なお、配線には、異なる導電体が一つ以上の同じ元素を含む場合と、異なる元素を含む場合と、がある。また、本明細書等において、特に断りがない場合、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態（非導通状態、遮断状態、ともいう）にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態とは、特に断りがない場合、ｎチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低い（ｐチャネル型トランジスタでは、Ｖｔｈよりも高い）状態をいう。また、本明細書等において「電極」や「配線」の用語は、これらの構成要素を機能的に限定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあり、その逆もまた同様である。さらに、「電極」や「配線」の用語は、複数の「電極」や「配線」が一体となって形成されている場合等も含む。また、本明細書等において、「抵抗」の抵抗値を、配線の長さによって決める場合がある。又は、抵抗値は、配線で用いる導電体とは異なる抵抗率を有する導電体と接続することにより決める場合がある。又は、半導体に不純物をドーピングすることで抵抗値を決める場合がある。また、本明細書等において、電気回路における「端子」とは、電流又は電圧の入力又は出力や、信号の受信又は送信が行なわれる部位をいう。よって、配線又は電極の一部が端子として機能する場合がある。本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅ）とは、広い意味での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）、酸化物半導体（ＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ又は単にＯＳともいう）等に分類される。例えば、トランジスタの活性層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、ＯＳＦＥＴと記載する場合においては、酸化物又は酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。（実施の形態１）本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図面を参照して説明する。図１（Ａ）は、本発明の一態様の電子機器である、電子機器１０ａの構成例を示す斜視図である。電子機器１０ａは、眼鏡型の電子機器であり、一対の表示装置１１（表示装置１１ａ、表示装置１１ｂ）、一対の筐体１２（筐体１２ａ、筐体１２ｂ）、一対の光学部材１３（光学部材１３ａ、光学部材１３ｂ）、一対の装着部１４（装着部１４ａ、装着部１４ｂ）、一対の撮像装置１５（撮像装置１５ａ、撮像装置１５ｂ）、一対の表示領域１６（表示領域１６ａ、表示領域１６ｂ）、及び一対の鼻当て１７（鼻当て１７ａ、鼻当て１７ｂ）を有する。また、電子機器１０ａは、フレーム１８、及びカメラ１９を有する。電子機器１０ａでは、表示装置１１ａは筐体１２ａの内部に、表示装置１１ｂは筐体１２ｂの内部にそれぞれ設けることができる。筐体１２ａはフレーム１８の例えば左端側面と接するように、筐体１２ｂはフレーム１８の例えば右端側面と接するようにそれぞれ設けることができる。なお、筐体１２ａをフレーム１８の右端側面と接するように設け、筐体１２ｂをフレーム１８の左端側面と接するように設けてもよい。装着部１４ａは筐体１２ａと接するように、装着部１４ｂは筐体１２ｂと接するようにそれぞれ設けることができる。表示領域１６ａは光学部材１３ａと重なるように、表示領域１６ｂは光学部材１３ｂと重なるようにそれぞれ設けることができる。フレーム１８は、光学部材１３ａの側面、及び光学部材１３ｂの側面と接するように設けることができる。カメラ１９は、フレーム１８と接するように設けることができる。例えば、カメラ１９は、フレーム１８のブリッジに設けることができる。つまり、カメラ１９は、光学部材１３ａと光学部材１３ｂとの間に設けることができる。又は、カメラ１９は、鼻当て１７ａと鼻当て１７ｂとの間に設けることができる。表示装置１１ａ及び表示装置１１ｂは、画像を表示する機能を有する。表示装置１１ａにより表示された画像は、表示領域１６ａに投影することができる。表示装置１１ｂにより表示された画像は、表示領域１６ｂに投影することができる。よって、電子機器１０ａの使用者は、表示装置１１ａにより表示された画像を、表示領域１６ａを通して視認することができる。また、表示装置１１ｂにより表示された画像を、表示領域１６ｂを通して視認することができる。表示装置１１は、高精細の画像を表示する機能を有することが好ましい。例えば、１０００ｐｐｉ以上の精細度の画像を表示する機能を有することが好ましく、２０００ｐｐｉ以上の精細度の画像を表示する機能を有することがより好ましく、５０００ｐｐｉ以上の精細度の画像を表示する機能を有すること