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JP-2026077693-A - 表示装置

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Abstract

【課題】高解像度の画像を表示することができる表示装置を提供する。 【解決手段】第1の層と、第2の層と、が積層して設けられた表示装置である。第1の層 には、演算回路と、データドライバ回路と、が設けられ、第2の層には、表示部が設けら れる。演算回路には、ニューラルネットワークが構成される。表示部は、データドライバ 回路と重なる領域を有する。演算回路は、画像データに対して、ニューラルネットワーク を用いた演算処理を行い、演算処理済の画像データをデータドライバ回路に供給する機能 を有する。 【選択図】図2

Inventors

  • 岡本 佑樹
  • 大貫 達也

Assignees

  • 株式会社半導体エネルギー研究所

Dates

Publication Date
20260513
Application Date
20260209
Priority Date
20191101

Claims (1)

  1. 第1の層と、第2の層と、が積層して設けられ、 前記第1の層には、データドライバ回路と、演算回路と、が設けられ、 前記第2の層には、表示部と、記憶回路と、が設けられ、 前記演算回路には、ニューラルネットワークが構成され、 前記データドライバ回路は、前記表示部と重なる領域を有し、 前記演算回路は、前記記憶回路と重なる領域を有し、 前記記憶回路は、第1の画像データを保持する機能を有し、 前記演算回路は、前記記憶回路に保持された前記第1の画像データを、前記記憶回路から読み出し、前記第1の画像データに対して、前記ニューラルネットワークを用いた演算処理を行うことにより、第2の画像データを生成して前記データドライバ回路に供給する機能を有する表示装置。

Description

本発明の一態様は、表示装置に関する。 なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明 の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、 電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法 、を一例として挙げることができる。半導体装置は、半導体特性を利用することで機能し うる装置全般を指す。 拡張現実(AR:Augmented Reality)又は仮想現実(VR:Virt ual Reality)用の表示装置として、ウェアラブル型の表示装置、及び据え置 き型の表示装置が普及しつつある。ウェアラブル型の表示装置としては、例えば、ヘッド マウントディスプレイ(HMD:Head Mounted Display)、及び眼 鏡型の表示装置等がある。据え置き型の表示装置としては、例えば、ヘッドアップディス プレイ(HUD:Head-Up Display)等がある。例えば、特許文献1では 、使用者の眼を撮像しやすいHMDについて開示されている。 特開2019-80354号公報 図1は、表示装置の構成例を示すブロック図である。図2は、表示装置の構成例を示すブロック図である。図3A、及び図3Bは、演算処理の一例を示す図である。図4A乃至図4Cは、演算処理の一例を示す図である。図5は、演算処理の一例を示す図である。図6は、表示装置の構成例を示すブロック図である。図7は、表示装置の構成例を示すブロック図である。図8は、表示装置の構成例を示すブロック図である。図9は、ゲートドライバ回路及びデータドライバ回路の配置の例を示す模式図である。図10は、ゲートドライバ回路及びデータドライバ回路の構成例を示す上面図である。図11は、表示装置の構成例を示すブロック図である。図12は、表示装置の構成例を示すブロック図である。図13は、表示装置の構成例を示すブロック図である。図14は、表示装置の構成例を示すブロック図である。図15は、表示装置の構成例を示すブロック図である。図16は、表示装置の構成例を示す断面図である。図17は、表示装置の構成例を示す断面図である。図18は、表示装置の構成例を示す断面図である。図19は、表示装置の構成例を示す断面図である。図20は、表示装置の構成例を示す断面図である。図21は、表示装置の構成例を示す断面図である。図22Aは、トランジスタの構成例を示す上面図である。図22B及び図22Cは、トランジスタの構成例を示す断面図である。図23Aは、トランジスタの構成例を示す上面図である。図23B及び図23Cは、トランジスタの構成例を示す断面図である。図24Aは、トランジスタの構成例を示す上面図である。図24B及び図24Cは、トランジスタの構成例を示す断面図である。図25A乃至図25Cは、画素の構成例を示す回路図である。図26Aは、画素の構成例を示す回路図である。図26Bは、画素の駆動方法の一例を示すタイミングチャートである。図27Aは、画素のレイアウトの一例を示す図である。図27Bは、画素の構成例を示す回路図である。図28は、画素のレイアウトの一例を示す図である。図29は、画素の構成例を示す模式図である。図30A乃至図30Cは、セルの構成例を示す回路図である。図31AはIGZOの結晶構造の分類を説明する図である。図31BはCAAC-IGZO膜のXRDスペクトルを説明する図である。図31CはCAAC-IGZO膜の極微電子線回折パターンを説明する図である。図32A乃至図32Dは、電子機器の例を示す斜視図である。図33A乃至図33Gは、電子機器の例を示す斜視図である。 以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの異 なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態 及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発 明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。 また、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭 化のために誇張されている場合がある。 また、本明細書にて用いる「第1」、「第2」、「第3」という序数詞は、構成要素の混 同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではない。 また、本明細書において、「上に」、「下に」等の配置を示す語句は、構成同士の位置関 係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関係は 、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。したがって、明細書で説明し た語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。 また、本明細書等において、トランジスタが有するソースとドレインの機能は、トランジ スタの極性、又は回路の駆動において電流の方向が変化する場合等には入れ替わることが ある。このため、ソース及びドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとす る。 本明細書等において「電極」「配線」「端子」等の用語は、これらの構成要素を機能的に 限定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあり 、その逆もまた同様である。さらに、「電極」、又は「配線」の用語は、複数の「電極」 又は「配線」が一体となって形成されている場合等も含む。また、例えば、「端子」は「 配線」又は「電極」の一部として用いられることがあり、その逆もまた同様である。更に 、「端子」の用語は、複数の「電極」「配線」「端子」等が一体となって形成されている 場合等も含む。そのため、例えば、「電極」は「配線」又は「端子」の一部とすることが でき、また、例えば、「端子」は「配線」又は「電極」の一部とすることができる。また 、「電極」「配線」「端子」等の用語は、場合によって、「領域」等の用語に置き換える 場合がある。 また、本明細書等において、「抵抗」の抵抗値を、配線の長さによって決める場合がある 。又は、抵抗値は、配線で用いる導電体とは異なる抵抗率を有する導電体と接続すること により決める場合がある。又は、半導体に不純物をドーピングすることで抵抗値を決める 場合がある。 また、本明細書等において、「電気的に接続」には、直接接続している場合と、「何らか の電気的作用を有するもの」を介して接続される場合が含まれる。ここで、「何らかの電 気的作用を有するもの」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、 特に制限を受けない。よって、「電気的に接続する」と表現される場合であっても、現実 の回路においては、物理的な接続部分がなく、配線が延在しているだけの場合もある。ま た、「直接接続」と表現される場合であっても、異なる導電体がコンタクトを介して接続 される場合が含まれる。なお、配線には、異なる導電体が一つ以上の同じ元素を含む場合 と、異なる元素を含む場合と、がある。 また、電圧は、ある電位と、基準の電位(例えば接地電位又はソース電位)との電位差の ことを示す場合が多い。よって、電圧と電位は互いに言い換えることが可能な場合が多い 。本明細書等では、特段の明示が無いかぎり、電圧と電位を言い換えることができるもの とする。 また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替 えることが可能である。例えば、「導電層」及び「絶縁層」という用語は、「導電膜」及 び「絶縁膜」という用語に相互に交換することが可能な場合がある。 また、本明細書等において、特に断りがない場合、オフ電流とは、トランジスタがオフ状 態(非導通状態、遮断状態、ともいう)にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態とは 、特に断りがない場合、nチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Vg sがしきい値電圧Vthよりも低い(pチャネル型トランジスタでは、Vthよりも高い )状態をいう。 また、図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場 合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を模 式的に示したものであり、図面に示す形状又は値等に限定されない。例えば、実際の製造 工程において、エッチング等の処理により層、又はレジストマスク等が意図せずに目減り することがあるが、理解を容易とするために図に反映しないことがある。また、図面にお いて、同一部分又は同様な機能・材料等を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共 通して用い、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、同様の機能・材料等を指 す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。 (実施の形態1) 本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置について説明する。 本発明の一態様は、第1の層と、第2の層と、が積層して設けられた表示装置に関する。 第1の層には、データドライバ回路と、演算回路と、が設けられ、第2の層には、表示部 が設けられる。表示部には、画素がマトリクス状に配列されている。 第1の層に設けられる演算回路は、第2の層に設けられる表示部と重なる領域を有する。 これにより、表示部の面積を大きくすることができるため、表示部に多くの画素を設ける ことができる。したがって、表示部に高解像度の画像を表示することができる。例えば、 4K2K、8K4K、又はそれ以上の解像度の画像を表示部に表示することができる。ま た、表示部が設けられていない領域である額縁の面積を小さくすることができるため、本 発明の一態様の表示装置を狭額縁化することができる。さらに、本発明の一態様の表示装 置を小型化することができる。 ここで、演算回路には、ニューラルネットワークが構成され、例えば本発明の一態様の表 示装置に入力された画像データが表す画像の解像度を高める処理、すなわちアップコンバ ートを行うことができる。演算回路がアップコンバートを行う機能を有することにより、 本発明の一態様の表示装置に入力される画像データが表す画像の解像度が低くても、表示 部に高解像度の画像を表示することができる。よって、本発明の一態様の表示装置に入力 される画像データのデータ容量を小さくすることができる。また、ニューラルネットワー クを用いてアップコンバートを行うことにより、アップコンバートを高い精度で行うこと ができるため、表示部に高品位の画像を表示することができる。以上より、演算回路がニ ューラルネットワークを用いて画像データのアップコンバートを行う機能を有することに より、本発明の一態様の表示装置は、高解像度かつ高品位の画像を表示することができる 。 <表示装置の構成例_1> 図1は、本発明の一態様の表示装置である表示装置10の構成例を示すブロック図である 。表示装置10は、表示部20を有し、表示部20には画素21がマトリクス状に配列さ れている。また、表示装置10は、ゲートドライバ回路22と、データドライバ回路23 と、を有する。さらに、表示装置10は、制御回路31と、記憶回路32と、演算回路3 3と、を有する。 ゲートドライバ回路22は、配線24を介して画素21と電気的に接続される。例えば、 同一行の画素21は、同一の配線24と電気的に接続することができる。ゲートドライバ 回路22と、画素21と、を電気的に接続する配線24は、ゲート線であるということが できる。 データドライバ回路23は、配線25を介して画素21と電気的に接続される。例えば、 同一列の画素21は、同一の配線25と電気的に接続することができる。データドライバ 回路23と、画素21と、を電気的に接続する配線25は、データ線であるということが できる。 制御回路31と、記憶回路32と、演算回路33と、は伝送路34を介し