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JP-2026514702-A - 厚さ損失を低減するためのケイ素含有材料の炭素補充

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Abstract

半導体処理の例示的な方法は、エッチャント前駆体を半導体処理チャンバの処理領域に提供することを含み得る。処理領域内には、構造体は配置され得る。構造体は、第１のケイ素含有材料を含み得る。構造体は、第２のケイ素含有材料、酸素含有材料、又はその両方を含み得る。本方法は、構造体をエッチャント前駆体と接触させることを含み得る。エッチャント前駆体との接触により、構造体から第２のケイ素含有材料又は酸素含有材料の少なくとも一部がエッチングされ得る。本方法は、半導体処理チャンバの処理領域に炭素含有前駆体を提供することを含み得る。本方法は、構造体を炭素含有前駆体と接触させることを含み得る。炭素含有前駆体との接触は、第１のケイ素含有材料中の炭素を補充し得る。 【選択図】図３

Inventors

  • シュスターマン， ユーリー
  • レイディー， ショーン
  • ヨン， サイ ホイ
  • マクギル， リサ メーガン
  • コロンボー， ベンジャミン
  • ラボンテ， アンドレ ピー．
  • バスカー， ヴィーララガーヴァン エス．
  • プラナタルティハラン， バラスブラマニアン

Assignees

  • アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

Dates

Publication Date
20260513
Application Date
20240925
Priority Date
20231003

Claims (20)

  1. 半導体処理方法であって、 半導体処理チャンバの処理領域にエッチャント前駆体を提供することであって、前記処理領域内に構造体が配置されており、前記構造体が第１のケイ素含有材料を含み、前記構造体が、第２のケイ素含有材料、酸素含有材料、又はその両方を含む、エッチャント前駆体を提供することと、 前記構造体を前記エッチャント前駆体と接触させることであって、前記エッチャント前駆体との前記接触が、前記構造体から前記第２のケイ素含有材料又は前記酸素含有材料の少なくとも一部をエッチングする、前記構造体を接触させることと、 前記半導体処理チャンバの前記処理領域に炭素含有前駆体を提供することと、 前記構造体を前記炭素含有前駆体と接触させることであって、前記炭素含有前駆体との前記接触が、前記第１のケイ素含有材料中の炭素を補充する、前記構造体を接触させることと、 を含む、半導体処理方法。
  2. 前記第２のケイ素含有材料が、ケイ素と酸素とを含有する材料又はケイ素とゲルマニウムとを含有する材料を含む、請求項１に記載の半導体処理方法。
  3. 前記第１のケイ素含有材料が、ケイ素と炭素とを含有する材料を含む、請求項１に記載の半導体処理方法。
  4. 前記エッチャント前駆体がハロゲン含有前駆体を含む、請求項１に記載の半導体処理方法。
  5. 前記構造体を前記炭素含有前駆体と接触させることが、前記第１のケイ素含有材料中の炭素を約０．１ａｔ．％以上増加させる、請求項１に記載の半導体処理方法。
  6. 前記炭素含有前駆体が、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、テトラメチルジシラザン（ＴＭＤＳ）、トリメチルクロロシラン（ＴＭＣＳ）、ジメチルジクロロシラン（ＤＭＤＣＳ）、メチルトリクロロシラン（ＭＴＣＳ）、トリメチルメトキシシラン（ＴＭＭＳ）（ＣＨ ３ －Ｏ－Ｓｉ－（ＣＨ ３ ） ３ ）、ジメチルジメトキシシラン（ＤＭＤＭＳ）（（ＣＨ ３ ） ２ －Ｓｉ－（ＯＣＨ ３ ） ２ ）、メチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＳ）（（ＣＨ ３ －Ｏ） ３ －Ｓｉ－ＣＨ ３ ）、フェニルトリメトキシシラン（ＰＴＭＯＳ）（Ｃ ６ Ｈ ５ －Ｓｉ－（ＯＣＨ ３ ） ３ ）、フェニルジメチルクロロシラン（ＰＤＭＣＳ）（Ｃ ６ Ｈ ５ －Ｓｉ（Ｃｌ）－（ＣＨ ３ ） ２ ）、ジメチルアミノトリメチルシラン（ＤＭＡＴＭＳ）（（ＣＨ ３ ） ２ －Ｎ－Ｓｉ－（ＣＨ ３ ） ３ ）、又はビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン（ＢＤＭＡＤＭＳ）を含む、請求項１に記載の半導体処理方法。
  7. 前記構造体を前記炭素含有前駆体と接触させている間、又は前記構造体を前記炭素含有前駆体と接触させた後に、前記構造体を紫外線（ＵＶ）放射に曝露することをさらに含む、請求項１に記載の半導体処理方法。
  8. 前記構造体を前記炭素含有前駆体と接触させることと、前記構造体を紫外線（ＵＶ）放射に曝露することとが同時に実行される、請求項７に記載の半導体処理方法。
  9. 前記構造体を前記炭素含有前駆体と接触させた後に、前記半導体処理チャンバの前記処理領域に洗浄剤を提供することと、 前記構造体を前記洗浄剤と接触させることであって、前記洗浄剤との前記接触が前記構造体から残留物を除去する、前記構造体を接触させることと、 をさらに含む、請求項１に記載の半導体処理方法。
  10. 前記半導体処理チャンバ中の温度が５００℃未満又は約５００℃である、請求項１に記載の半導体処理方法。
  11. 半導体処理方法であって、 半導体処理チャンバの処理領域に第１のエッチャント前駆体を提供することであって、前記処理領域内に構造体が配置され、前記構造体が、第１のケイ素含有材料とケイ素とゲルマニウムとを含有する材料の交互層を含み、前記構造体が、前記第１のケイ素含有材料及び前記ケイ素とゲルマニウムとを含有する材料の前記交互層によって画定された１つ又は複数の凹部を覆うとともにその中に延びる第２のケイ素含有材料を含む、第１のエッチャント前駆体を提供することと、 前記構造体を前記第１のエッチャント前駆体と接触させることであって、前記第１のエッチャント前駆体との前記接触が、前記第１のケイ素含有材料及び前記ケイ素とゲルマニウムとを含有する材料の前記交互層を通してエッチングする、前記構造体を接触させることと、 前記半導体処理チャンバの前記処理領域に第１の炭素含有前駆体を提供することと、 前記構造体を前記第１の炭素含有前駆体と接触させることであって、前記第１の炭素含有前駆体との前記接触が、前記第２のケイ素含有材料中の炭素を補充する、前記構造体を接触させることと、 前記半導体処理チャンバの前記処理領域に第１の洗浄剤を提供することと、 前記構造体と前記第１の洗浄剤とを接触させることであって、前記第１の洗浄剤との前記接触が、前記構造体から第１の残留物を除去する、前記構造体を接触させることと、 前記半導体処理チャンバの前記処理領域に第２のエッチャント前駆体を提供することと、 前記構造体を前記第２のエッチャント前駆体と接触させることであって、前記接触が、前記ケイ素とゲルマニウムとを含有する材料の一部をエッチングする、前記構造体を接触させることと、 前記処理領域にケイ素含有前駆体を提供することと、 前記構造体を前記ケイ素含有前駆体と接触させることであって、前記接触が、前記構造体上に第３のケイ素含有材料を堆積させ、前記第３のケイ素含有材料が、前記ケイ素とゲルマニウムとを含有する材料のエッチングされた部分によって画定された凹部内に延びる、前記構造体を接触させることと、 前記半導体処理チャンバの前記処理領域に第３のエッチャント前駆体を提供することと、 前記構造体を前記第３のエッチャント前駆体と接触させることであって、前記接触が、前記第３のケイ素含有材料の一部をエッチングし、前記接触の後に、残存する前記第３のケイ素含有材料が、前記ケイ素とゲルマニウムとを含有する材料の前記エッチングされた部分によって画定された凹部内に延びる、前記構造体を接触させることと、 前記半導体処理チャンバの前記処理領域に第２の炭素含有前駆体を提供することと、 前記構造体を前記第２の炭素含有前駆体と接触させることであって、前記第２の炭素含有前駆体との前記接触が、前記第３のケイ素含有材料中の炭素を補充する、構造体を接触させることと、 前記半導体処理チャンバの前記処理領域に第２の洗浄剤を提供することと、 前記構造体を前記第２の洗浄剤と接触させることであって、前記第２の洗浄剤との前記接触が、前記構造体から第２の残留物を除去する、前記構造体を接触させることと、 前記半導体処理チャンバの前記処理領域に第４のエッチャント前駆体を提供することと、 前記構造体を前記第４のエッチャント前駆体と接触させることであって、前記第４のエッチャント前駆体との前記接触が、前記構造体からダミー酸化物材料を除去する、前記構造体を接触させることと、 前記半導体処理チャンバの前記処理領域に第３の炭素含有前駆体を提供することと、 前記構造体を前記第３の炭素含有前駆体と接触させることであって、前記第３の炭素含有前駆体との前記接触が、前記第２のケイ素含有材料中の炭素を補充する、構造体を接触させることと、 前記半導体処理チャンバの前記処理領域に第５のエッチャント前駆体を提供することと、 前記構造体を前記第５のエッチャント前駆体と接触させることであって、前記第５のエッチャント前駆体との前記接触が、前記構造体から前記ケイ素とゲルマニウムとを含有する材料を除去する、前記構造体を接触させることと、 前記半導体処理チャンバの前記処理領域に第４の炭素含有前駆体を提供することと、 前記構造体を前記第４の炭素含有前駆体と接触させることであって、前記第４の炭素含有前駆体との前記接触が、前記第２のケイ素含有材料、前記第３のケイ素含有材料又はその両方の中の炭素を補充する、構造体を接触させることと、 を含む、半導体処理方法。
  12. 前記第１の炭素含有前駆体、前記第２の炭素含有前駆体、前記第３の炭素含有前駆体及び前記第４の炭素含有前駆体のうちの１つ又は複数が、同じ炭素含有前駆体である、請求項１１に記載の半導体処理方法。
  13. 前記第２のケイ素含有材料、前記第３のケイ素含有材料、又はその両方が、約７．５以下の誘電率を特徴とする、請求項１１に記載の半導体処理方法。
  14. 前記構造体を、前記第１の炭素含有前駆体、前記第２の炭素含有前駆体、前記第３の炭素含有前駆体又は前記第４の炭素含有前駆体と接触させることが、後続の工程中の前記第２のケイ素含有材料、前記第３のケイ素含有材料又はその両方の厚さの損失を防止する、請求項１１に記載の半導体処理方法。
  15. 前記第１のエッチャント前駆体、前記第２のエッチャント前駆体、前記第３のエッチャント前駆体又は前記第４のエッチャント前駆体のうちの１つ又は複数が、水素含有前駆体、窒素含有前駆体、ヘリウム含有前駆体、ハロゲン含有前駆体、又は酸素含有前駆体を含む、請求項１１に記載の半導体処理方法。
  16. 前記構造体を前記第４のエッチャント前駆体と接触させる前に、前記構造体上にエピタキシャル材料を堆積させることをさらに含む、請求項１１に記載の半導体処理方法。
  17. 半導体処理システムであって、 第１の半導体処理チャンバであって、 前記第１の半導体処理チャンバの処理領域にエッチャント前駆体を流すことであって、前記処理領域内に構造体が配置されており、前記構造が第１のケイ素含有材料を含み、前記構造が、第２のケイ素含有材料、酸素含有材料又はその両方を含む、エッチャント前駆体を流すことと、 前記構造体を前記エッチャント前駆体と接触させることであって、前記エッチャント前駆体との前記接触が、前記構造体から前記第２のケイ素含有材料又は前記酸素含有材料の少なくとも一部をエッチングする、前記構造体を接触させることと、 を実行するように構成されている、第１の半導体処理チャンバと、 前記第１の半導体処理チャンバと同じメインフレーム上の第２の半導体処理チャンバであって、 前記第２の半導体処理チャンバの処理領域に炭素含有前駆体を流すことと、 前記構造体を前記炭素含有前駆体と接触させることであって、前記炭素含有前駆体との前記接触が、前記第１のケイ素含有材料中の炭素を補充する、前記構造体を接触させることと、 を実行するように構成されている、第２の半導体処理チャンバと、 を含む、半導体処理システム。
  18. 前記第１の半導体処理チャンバ及び前記第２の半導体処理チャンバと同じメインフレーム上の第３の半導体処理チャンバであって、 前記第３の半導体処理チャンバの処理領域に洗浄剤をながすことと、 前記構造体を前記洗浄剤と接触させることであって、前記洗浄剤との前記接触が、前記構造体から残留物を除去する、前記構造体を接触させることと、 を実行するように構成されている、第３の半導体処理チャンバ、 をさらに含む、請求項１７に記載の半導体処理システム。
  19. 前記第１の半導体処理チャンバ、前記第２の半導体処理チャンバ及び前記第３の半導体処理チャンバと同じメインフレーム上の第４の半導体処理チャンバであって、 前記第４の半導体処理チャンバの処理領域に１つ又は複数の堆積ガスを流すことと、 前記構造体を前記１つ又は複数の堆積ガスと接触させることであって、前記１つ又は複数の堆積ガスとの前記接触が、前記構造体上にエピタキシャル材料を堆積させる、前記構造体を接触させることと、 を実行するように構成されている、第４の半導体処理チャンバ をさらに含む、請求項１８に記載の半導体処理システム。
  20. 前記第１の半導体処理チャンバ及び前記第２の半導体処理チャンバと同じメインフレーム上の１つ又は複数の前処理半導体処理チャンバであって、 前記第１のケイ素含有材料及び前記ケイ素とゲルマニウムとを含有する材料の一部をエッチングすること、 前記構造体上に前記第２のケイ素含有材料を堆積させること、及び／又は 前記第２のケイ素含有材料の一部をエッチングすること を実行するように構成されている、１つ又は複数の前処理半導体処理チャンバ をさらに含む、請求項１７に記載の半導体処理システム。

Description

関連出願の相互参照 ［０００１］本出願は、２０２４年７月９日に出願された「ＣＡＲＢＯＮ ＲＥＰＬＥＮＩＳＨＭＥＮＴ ＯＦ ＳＩＬＩＣＯＮ－ＣＯＮＴＡＩＮＩＮＧ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ ＴＯ ＲＥＤＵＣＥ ＴＨＩＣＫＮＥＳＳ ＬＯＳＳ」と題する米国仮出願第６３／６６９，１３６号、及び２０２３年１０月３日に出願された「ＮＡＴＩＶＥ ＯＸＩＤＥ ＲＥＭＯＶＡＬ ＡＮＤ ＣＡＲＢＯＮ ＲＥＰＬＥＮＩＳＨＭＥＮＴ ＯＦ ＳＩＬＩＣＯＮ－ＣＯＮＴＡＩＮＩＮＧ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ」と題する米国仮出願第６３／５４２，１０９号の優先権を主張し、それぞれの開示内容は、あらゆる目的のためにそれらの全体が参により本明細書に援用されている。 ［０００２］本技術は、半導体処理のための方法及びシステムに関する。より具体的には、本技術は、後続の工程中のケイ素含有材料の厚さ損失を防止するために、エッチング工程の後にケイ素含有材料中の炭素を補充するためのシステム及び方法に関する。 ［０００３］集積回路は、基板表面に複雑にパターニングされた材料層を生成するプロセスによって可能になる。基板上にパターニングされた材料を作り出すことは、材料を形成し除去するための制御された方法を必要とする。デバイスのサイズが継続的に縮小するにつれて、膜の特性がデバイス性能には与える影響は大きくなり得る。材料の層を形成するために使用される材料は、作り出されるデバイスの動作特性に影響を与え得る。材料の厚さが減少し続けるにつれて、フィルムの堆積時の特性がデバイスの性能により大きな影響を及ぼし得る。 ［０００４］したがって、高品質デバイス及び構造体の製造に使用することができる、改善されたシステム及び方法が必要とされている。本技術は、これらの必要性及びその他の必要性に対処する。 ［０００５］半導体処理の例示的な方法は、エッチャント前駆体を半導体処理チャンバの処理領域に提供することを含み得る。処理領域内には、構造体が配置され得る。構造体は、第１のケイ素含有材料を含み得る。構造体は、第２のケイ素含有材料、酸素含有材料、又はその両方を含み得る。本方法は、構造体をエッチャント前駆体と接触させることを含み得る。エッチャント前駆体との接触は、構造体から第２のケイ素含有材料又は酸素含有材料の少なくとも一部をエッチングし得る。本方法は、半導体処理チャンバの処理領域に炭素含有前駆体を提供することを含み得る。本方法は、構造体を炭素含有前駆体と接触させることを含み得る。炭素含有前駆体との接触は、第１のケイ素含有材料中の炭素を補充し得る。 ［０００６］いくつかの実施形態では、第２のケイ素含有材料は、ケイ素と酸素とを含有する材料又はケイ素とゲルマニウムとを含有する材料であり得るか、又はそれらを含み得る。第１のケイ素含有材料は、ケイ素と炭素とを含有する材料であるか、又はそれを含み得る。エッチャント前駆体は、ハロゲン含有前駆体であるか、又はそれを含み得る。構造体を炭素含有前駆体と接触させることは、第１のケイ素含有材料中の炭素を約０．１ａｔ．％以上増加させ得る。炭素含有前駆体は、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、テトラメチルジシラザン（ＴＭＤＳ）、トリメチルクロロシラン（ＴＭＣＳ）、ジメチルジクロロシラン（ＤＭＤＣＳ）、メチルトリクロロシラン（ＭＴＣＳ）、トリメチルメトキシシラン（ＴＭＭＳ）（ＣＨ３－Ｏ－Ｓｉ－（ＣＨ３）３）、ジメチルジメトキシシラン（ＤＭＤＭＳ）、（（ＣＨ３）２－Ｓｉ－－（ＯＣＨ３）２２）、メチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＳ）（（ＣＨ３－Ｏ）３０－Ｓｉ－ＣＨ３）、フェニルトリメトキシシラン（ＰＴＭＯＳ）（Ｃ６Ｈ５－Ｓｉ－（ＯＣＨ３）３）、フェニルジメチルクロロシラン（ＰＤＭＣＳ） （Ｃ６Ｈ５－Ｓｉ（Ｃｌ）－（ＣＨ３）２）、ジメチルアミノトリメチルシラン（ＤＭＡＴＭＳ）（（ＣＨ３）２－Ｎ－Ｓｉ－（ＣＨ３）３）、又はビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン（ＢＤＭＡＤＭＳ）であり得るか、又はそれらを含み得る。本方法は、構造体を炭素含有前駆体と接触させながら、又は構造体を炭素含有前駆体と接触させた後に、構造体を紫外線（ＵＶ）放射に曝露することを含み得る。構造体を炭素含有前駆体と接触させることと、構造体を紫外線（ＵＶ）放射に曝露することとは、同時に実行され得る。本方法は、構造体を炭素含有前駆体と接触させた後に、半導体処理チャンバの処理領域に洗浄剤を提供することを含み得る。本方法は、構造体を洗浄剤と接触させることを含み得る。洗浄剤との接触は、構造体から残留物を除去し得る。半導体処理チャンバの中の温度は、５００℃未満又は約５００℃であり得る。 ［０００７］本技術のいくつかの実施形態は、半導体処理方法を包含し得る。本方法は、半導体処理チャンバの処理領域に第１のエッチャント前駆体を提供することを含み得、構造体は処理領域内に配置される。この構造体は、第１のケイ素含有材料とケイ素とゲルマニウムとを含有する材料との交互層を含み得る。この構造体は、第１のケイ素含有材料とケイ素とゲルマニウムとを含有する材料との交互層によって画定された１つ又は複数の凹部を覆うとともにその中に延びる第２のケイ素含有材料を含み得る。本方法は、構造体を第１のエッチャント前駆体と接触させることを含み得る。第１のエッチャント前駆体との接触は、第１のケイ素含有材料とケイ素とゲルマニウムとを含有する材料の交互層を通してエッチングし得る。本方法は、半導体処理チャンバの処理領域に第１の炭素含有前駆体を提供することを含み得る。本方法は、構造体を第１の炭素含有前駆体と接触させることを含み得る。第１の炭素含有前駆体との接触は、第２のケイ素含有材料中の炭素を補充し得る。本方法は、半導体処理チャンバの処理領域に第１の洗浄剤を提供することを含み得る。本方法は、構造体を第１の洗浄剤と接触させることを含み得る。第１の洗浄剤との接触は、構造体から第１の残留物を除去し得る。本方法は、半導体処理チャンバの処理領域に第２のエッチャント前駆体を提供することを含み得る。本方法は、構造体を第２のエッチャント前駆体と接触させることを含み得る。接触は、ケイ素とゲルマニウムとを含有する材料の一部をエッチングし得る。本方法は、ケイ素含有前駆体を処理領域に提供することを含み得る。本方法は、構造体をケイ素含有前駆体と接触させることを含み得る。接触は、構造体上に第３のケイ素含有材料が堆積し得る。第３のケイ素含有材料は、ケイ素とゲルマニウムとを含有する材料のエッチングされた部分によって画定された凹部内に延び得る。本方法は、半導体処理チャンバの処理領域に第３のエッチャント前駆体を提供することを含み得る。本方法は、構造体を第３のエッチャント前駆体と接触させることを含み得る。接触は、第３のケイ素含有材料の一部をエッチングし得る。接触の後に、残った第３のケイ素含有材料は、ケイ素とゲルマニウムとを含有する材料のエッチングされた部分によって画定された凹部内に延び得る。本方法は、半導体処理チャンバの処理領域に第２の炭素含有前駆体を提供することを含み得る。本方法は、構造体を第２の炭素含有前駆体と接触させることを含み得る。第２の炭素含有前駆体との接触は、第３のケイ素含有材料中の炭素を補充し得る。本方法は、半導体処理チャンバの処理領域に第２の洗浄剤を提供することを含み得る。本方法は、構造体を第２の洗浄剤と接触させることを含み得る。第２の洗浄剤との接触により、構造体から第２の残留物が除去され得る。本方法は、半導体処理チャンバの処理領域に第４のエッチャント前駆体を提供することを含み得る。本方法は、構造体を第４のエッチャント前駆体と接触させることを含み得る。第４のエッチャント前駆体との接触は、構造体からダミー酸化物材料を除去し得る。本方法は、半導体処理チャンバの処理領域に第３の炭素含有前駆体を提供することを含み得る。本方法は、構造体を第３の炭素含有前駆体と接触させることを含み得る。第３の炭素含有前駆体との接触は、第２のケイ素含有材料中の炭素を補充し得る。本方法は、半導体処理チャンバの処理領域に第５のエッチャント前駆体を提供することを含み得る。本方法は、構造体を第５のエッチャント前駆体と接触させることを含み得る。第５のエッチャント前駆体との接触は、構造体からケイ素とゲルマニウムとを含有する材料を除去し得る。本方法は、半導体処理チャンバの処理領域に第４の炭素含有前駆体を提供することを含み得る。本方法は、構造体を第４の炭素含有前駆体と接触させることを含み得る。第４の炭素含有前駆体との接触は、第２のケイ素含有材料、第３のケイ素含有材料、又はその両方の炭素を補充し得る。 ［０００８］いくつかの実施形態では、第１の炭素含有前駆体、第２の炭素含有前駆体、第３の炭素含有前駆体、及び第４の炭素含有前駆体のうちの１つ又は複数は、同じ炭素含有前駆体であってもよい。第２のケイ素含有材料、第３のケイ素含有材料、又はその両方は、約７．５以下の誘電率によって特徴付けられ得る。構造体を第１の炭素含有前駆体、第２の炭素含有前駆体、第３の炭素含有前駆体、又は第４の炭素含有前駆体と接触させることにより、後続の工程中の第２のケイ素含有材料、第３のケイ素含有材料、又はその両方の厚さの損失を防止することができる。第１のエッチャント前駆体、第２のエッチャント前駆体、第３のエッチャント前駆体、又は第４のエッチャント前駆体のうちの１つ又は複数は、水素含有前駆体、窒素含有前駆体、ヘリウム含有前駆体、ハロゲン含有前駆体、又は酸素含有前駆体であるか、又はこれらを含み得る。本方法は、構造体を第４のエッチャント前駆体と接触させる前に、構造体の上にエピタキシャル材料を堆積させることを含み得る。 ［０００９］本技術のいくつかの実施形態は、半導体処理システムを包含し得る。システムは、第１の半導体処理チャンバを含み得る。第１の半導体処理チャンバは、第１の半導体処理チャンバの処理領域にエッチャント前駆体を流すように構成され得る。構造体は、処理領域内に配置され得る。構造体は、第１のケイ素含有材料を含み得る。構造体は、第２のケイ素含有材料、酸素含有材料、又はその両方を含み得る。第１の半導体処理チャンバは、構造体をエッチャント前駆体と接触させるように構成され得る。エッチャント前駆体との接触は、構造体から第２のケイ素含有材料又は酸素含有材料の少なくとも一部をエッチングし得る。システムは、第１の半導体処理チャンバと同じメインフレーム上に第２の半導体処理チャンバを含み得る。第２の半導体処理チャンバは、炭素含有前駆体を第２の半導体処理チャンバの処理領域に流すように構成され得る。第２の半導体処理チャンバは、構造体を炭素含有前駆体と接触させるように構成され得る。炭素含有前駆体との接触は、第１のケイ素含有材料中の炭素を補充し得る。 ［００１０］いくつかの実施形態では、システムは、第１の半導体処理チャンバ及び第２の半導体処理チャンバと同じメインフレーム上に第３の半導体処理チャンバを含み得る。第３の半導体処理チャンバは、洗浄剤を第３の半導体処理チャンバの処理領域に流すように構成され得る。第３の半導体処理チャンバは、構造体を洗浄剤と接触させるように構成され得る。洗浄剤と接触することは、構造体から残留物を除去し得る。本システムは、第１の半導体処理チャンバ、第２の半導体処理チャンバ、及び第３の半導体処理チャンバと同じメインフレーム上の第４の半導体処理チャンバを含み得る。第４の半導体処理チャンバは、１つ又は複数の堆積ガスを第４の半導体処理チャンバの処理領域に流すように構成され得る。第４の半導体処理チャンバは、構造体を１つ又は複数の堆積ガスと接触させるように構成され得る。１つ又は複数の堆積ガスと接触すると、構造上にエピタキシャル材料が堆積され得る。本システムは、第１の半導体処理チャンバ及び第２の