JP-WO2025033083-A5 -

Dates

Publication Date

20260513

Application Date

20240710

Description

特開２００５－１４５７４４号公報国際公開２００９／０２５３４２号パンフレット特開２００７－２３５１５３号公報 図１は、本発明の実施の形態によるシリコンウェーハの構成を示す略斜視図である。図２は、本発明の第１の実施の形態によるシリコンウェーハの製造方法を示すフローチャートである。図３は、本発明の第２の実施の形態によるシリコンウェーハの製造方法を示すフローチャートである。図４は、結晶引上速度と結晶欠陥分布との関係を示す模式図である。図５は、実施例１～１０及び比較例１～５のシリコンウェーハの酸素析出評価熱処理前における酸素濃度分布の測定結果を示すグラフである。図６は、酸素析出評価熱処理後の酸素濃度減少量の測定結果を示すグラフである。図７は、酸素析出評価熱処理後の抵抗率の測定結果を製造条件別に示すグラフである。図８は、酸素析出評価熱処理後の抵抗率の測定結果を抵抗率の水準別に示すグラフである。図９は、酸素濃度減少量とドナー形成量との関係を示すグラフである。 結晶引上速度Ｖを制御してＰｖ領域又はＰｉ領域からなる無欠陥結晶を高い歩留まりで育成するためには、ＰｖＰｉマージンができるだけ広いことが好ましい。ここでＰｖＰｉマージンとは、広義には、単結晶シリコン中の任意の領域をＰｖ領域又はＰｉ領域とすることができる結晶引上速度Ｖの許容幅のことを言うが、狭義には、引上軸方向と直交する単結晶シリコンの断面内のＰｖＰｉマージンの最小値（ＰｖＰｉ面内マージン）のことを言う。通常、結晶内温度勾配Ｇは一定であるため、ＰｖＰｉマージンは図４におけるＰｖ－ＯＳＦ境界からＰｉ－転位クラスター境界までのＶ／Ｇの幅の広さである。