KR-102959966-B1 - SUBSTRATE HOLDING BOARD, MANUFACTURING METHOD OF DEVICE, AND EXPOSURE DEVICE

Abstract

기판 보유반은, 제1층과, 상기 제1층과 계면을 형성하는 제2층을 구비한다. 상기 제1층 및 상기 제2층은 다이아몬드 라이크 카본을 포함한다. 상기 제1층의 어떤 파장에 있어서의 굴절률은 상기 파장에 있어서의 상기 제2층의 굴절률보다도 높다. 상기 제2층으로부터 상기 기판 보유반의 최상면까지의 거리는, 상기 제1층의 두께보다 작다.

Inventors

• 후쿠이 신지
• 타츠노 토시나오
• 아키바 히데오
• 히라바야시 케이지

Assignees

• 캐논 가부시끼가이샤

Dates

Publication Date

20260506

Application Date

20221020

Priority Date

20211027

Claims (20)

1. 기재를 구비한 기판 보유반으로서, 제1층; 및 상기 제1층과 계면을 형성하는 제2층을 구비하고, 상기 기재와 상기 제2층 사이에 상기 제1층이 있고, 상기 제1층 및 상기 제2층은 다이아몬드 라이크 카본을 포함하고, 상기 제1층의 어떤 파장에 있어서의 굴절률은 상기 파장에 있어서의 상기 제2층의 굴절률보다도 높고, 상기 기재의 상기 제1층 측의 표면은, 산술평균 거칠기 Ｒａ가 0.4μｍ이상 4.0μｍ이하의 거친 표면이고, 상기 제2층은 상기 제1층 위에 형성되어 있는, 기판 보유반.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 제2층은 수소 함유량이 10ａｔ％이상 50ａｔ％미만인, 기판 보유반.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제2층은 수소화 비결정질 탄소(a-C:H)인, 기판 보유반.
4. 기재를 구비한 기판 보유반으로서, 제1층; 및 상기 제1층과 계면을 형성하는 제2층을 구비하고, 상기 기재와 상기 제2층 사이에 상기 제1층이 있고, 상기 제1층은 다이아몬드 라이크 카본을 포함하고, 상기 제2층은 탄화 실리콘을 포함하며, 상기 제1층이 어떤 파장에 있어서의 굴절률은 상기 파장에 있어서의 상기 제2층의 굴절률보다도 높고, 상기 기재의 상기 제1층 측의 표면은, 산술평균 거칠기 Ｒａ가 0.4μｍ이상 4.0μｍ이하의 거친 표면이고, 상기 제2층은 상기 제1층 위에 형성되어 있는, 기판 보유반.
5. 제 4 항에 있어서, 상기 제1층의 실리콘 함유량은, 상기 제2층의 실리콘 함유량보다도 작은, 기판 보유반.
6. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 제1층은 수소 함유량이 10ａｔ％미만인, 기판 보유반.
7. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 제1층은 사면체 비결정질 탄소(ｔａ-C)인, 기판 보유반.
8. 제 4 항에 있어서, 상기 제1층은 수소 함유량이 10ａｔ％이상 50ａｔ％미만인, 기판 보유반.
9. 제 4 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 제1층은 수소화 비결정질 탄소(a-C:H)인, 기판 보유반.
10. 기재를 구비한 기판 보유반으로서, 제1층; 및 상기 제1층과 계면을 형성하는 제2층을 구비하고, 상기 기재와 상기 제2층 사이에 상기 제1층이 있고, 상기 제1층은 수소 함유량이 10ａｔ％미만의 다이아몬드 라이크 카본을 포함하고, 상기 제2층은 수소 함유량이 10ａｔ％이상 50ａｔ％미만의 다이아몬드 라이크 카본을 포함하며, 상기 기재의 상기 제1층 측의 표면은, 산술평균 거칠기 Ｒａ가 0.4μｍ이상 4.0μｍ이하의 거친 표면이고, 상기 제2층은 상기 제1층 위에 형성되어 있는, 기판 보유반.
11. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 기판 보유반의 최상면은, 상기 제2층에 의해 형성되어 있는, 기판 보유반.
12. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 제2층은, 반사율이 10%이하인, 기판 보유반.
13. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 제2층으로부터 상기 기판 보유반의 최상면까지의 거리는, 상기 제1층의 두께보다도 작은, 기판 보유반.
14. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 제1층의 수소 함유량은, 상기 제2층의 수소 함유량보다도 작은, 기판 보유반.
15. 기재를 구비한 기판 보유반으로서, 적어도 상기 기재중에서, 상기 기판 보유반의 최상면의 측에 설치되고, 다이아몬드 라이크 카본을 포함하는 재료로 이루어지는 제1층; 및 상기 제1층의 바로 위쪽에 설치되고, 상기 제1층보다 질소 함유량이 높은 다이아몬드 라이크 카본을 포함하는 재료로 이루어지는 제2층을 구비하고, 상기 기재와 상기 제2층 사이에 상기 제1층이 있고, 상기 기재의 상기 제1층 측의 표면은, 산술평균 거칠기 Ｒａ가 0.4μｍ이상 4.0μｍ이하의 거친 표면이고, 상기 제2층의 두께가 5ｎｍ이상 200ｎｍ이하인, 기판 보유반.
16. 제 15 항에 있어서, 상기 제2층의 두께는, 5ｎｍ이상 30ｎｍ이하인, 기판 보유반.
17. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서, 상기 제1층은 질소 함유량이 1ａｔ％이하인 부분을 구비하고, 상기 제2층은 질소 함유량이 1ａｔ％보다 큰 부분을 구비하는, 기판 보유반.
18. 제 17 항에 있어서, 상기 제2층은, 질소 함유량이 3ａｔ％이상인 부분을 구비하는, 기판 보유반.
19. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서, 상기 제2층의 질소 함유량은, 상기 제2층 중 상기 제1층과는 반대인 측으로부터, 상기 제1층의 측을 향해서 낮아지는, 기판 보유반.
20. 기재를 구비한 기판 보유반으로서, 적어도 상기 기재중에서, 상기 기판 보유반의 최상면의 측에 설치되고, 다이아몬드 라이크 카본을 포함하는 재료로 이루어지는 제1층; 및 상기 제1층의 바로 위쪽에 설치되고, 상기 재료보다 질소 함유량이 높은 다이아몬드 라이크 카본을 포함하는 재료로 이루어지는 제2층을 구비하고, 상기 기재와 상기 제2층 사이에 상기 제1층이 있고, 상기 기재의 상기 제1층 측의 표면은, 산술평균 거칠기 Ｒａ가 0.4μｍ이상 4.0μｍ이하의 거친 표면이고, 상기 제2층의 질소 함유량은, 상기 제2층 중 상기 제1층과는 반대인 측으로부터, 상기 제1층의 측을 향해서 낮아지는, 기판 보유반.

Description

기판 보유반, 디바이스의 제조 방법, 및 노광 장치{SUBSTRATE HOLDING BOARD, MANUFACTURING METHOD OF DEVICE, AND EXPOSURE DEVICE} 본 발명은, 기판 보유반에 관한 것이다. 노광 장치에서는, 실리콘이나 유리, 탄화 실리콘(ＳｉＣ)등으로 이루어지는 기판에 노광 처리를 행한다. 이것들의 장치에 있어서 문제로서, 기판 보유반으로부터의 반사광에 대해, 노광되지 않는 영역이 노광되어 있다. 이러한 문제는, 수년간 반복적으로 사용된 기판 보유반의 마모된 설치면에 기인하는 기판 보유반의 표면에서의 반사율의 증대에 의해 생긴다. 이러한 점에 비추어, 일본 특허공개 2015-94002호 공보에서는, 기판 보유반에 다이아몬드 라이크 카본(ＤＬＣ)막으로 피복하고, 그 ＤＬＣ막의 표면에 무기계 코팅제를 피복하는 구성이 제안되어 있다. 상기 ＤＬＣ는 유전체이며 전기 저항률이 높고, 기판과 기판 보유반이 대전하기 쉽다. 그 기판과 기판 보유반이 대전하면, 축적된 전하의 방전으로 인해 상기 기판 위에 패터닝된 회로가 파괴되어버리는 우려가 있었다. 일본 미심사 특허출원공개 2009-539240호 공보에서는, 기판을 지지하는 부품에, 질소가 도핑된 전도성 ＤＬＣ피복을 설치하는 구성이 제안되어 있다. 일본 특허공개 2015-94002호 공보에 제안된 기판 보유반은, ＤＬＣ막과 무기계 코팅제와의 밀착성이 불충분하기 때문에, 무기투명의 박막이 박리하기 쉽다고 하는 단점이 있다. 일본 미심사 특허출원공개 2009-539240호 공보에 제안된 구성에서는, 기판 보유반의 표면을 자외선등의 광으로 노광했을 경우에, 상기 ＤＬＣ막이 산화될 수도 있다. 상기 이유로, 본 개시내용의 제1 측면은, 기판 보유반의 표면에 있어서의 반사율을 억제하면서, 내박리성이 높은 기판 보유반을 제공하는 데 있다. 상기 이유로, 본 개시내용의 제2 측면은, 기판 보유반의 상기 ＤＬＣ막의 산화를 억제하는 데 있다. 본 개시내용은, 적어도 상기 제1 측면 또는 상기 제2 측면을 통해 기판 보유반의 광학특성을 개선하는 것을 목적으로 한다. 본 개시내용의 제1 측면에 의하면, 기재를 구비한 기판 보유반으로서, 제1층; 및 상기 제1층과 계면을 형성하는 제2층을 구비하고, 상기 기재와 상기 제2층 사이에 상기 제1층이 있고, 상기 제1층 및 상기 제2층은 다이아몬드 라이크 카본을 포함하고, 상기 제1층의 어떤 파장에 있어서의 굴절률은 상기 파장에 있어서의 상기 제2층의 굴절률보다도 높고, 상기 기재의 상기 제1층 측의 표면은, 산술평균 거칠기 Ｒａ가 0.4μｍ이상 4.0μｍ이하의 거친 표면이고, 상기 제2층은 상기 제1층 위에 형성되어 있다. 본 개시내용의 제2 측면에 의하면, 기재를 구비한 기판 보유반으로서, 제1층; 및 상기 제1층과 계면을 형성하는 제2층을 구비하고, 상기 기재와 상기 제2층 사이에 상기 제1층이 있고, 상기 제1층은 다이아몬드 라이크 카본을 포함하고, 상기 제2층은 탄화 실리콘을 포함하며, 상기 제1층이 어떤 파장에 있어서의 굴절률은 상기 파장에 있어서의 상기 제2층의 굴절률보다도 높고, 상기 기재의 상기 제1층 측의 표면은, 산술평균 거칠기 Ｒａ가 0.4μｍ이상 4.0μｍ이하의 거친 표면이고, 상기 제2층은 상기 제1층 위에 형성되어 있다. 본 개시내용의 추가의 특징들은, 첨부도면을 참조하여 이하의 예시적 실시 형태들의 설명으로부터 명백해질 것이다. 도1a, 1b, 1c, 1d, 1e는, 기판 보유반의 사시도다. 도2a는 제1 예시적 실시 형태에 따른 기판 보유반을 도시하는 모식도다. 도2b는 도2a에 도시된 원(11)으로 둘러싼 부분의 확대도다. 도2c는 도2b에 도시된 원(12)으로 둘러싼 부분의 확대도다. 도3a는 제2 예시적 실시 형태에 따른 기판 보유반을 도시하는 모식도다. 도3b는 도3a에 도시된 원(11)으로 둘러싼 부분의 확대도다. 도3c는 도3b에 도시된 원(12)으로 둘러싼 부분의 확대도다. 도4a는 제3 예시적 실시 형태에 따른 기판 보유반을 도시하는 모식도다. 도4b는 도4a에 도시된 원(11)으로 둘러싼 부분의 확대도다. 도4c는 도4b에 도시된 원(12)으로 둘러싼 부분의 확대도다. 도5a는 제5 예시적 실시 형태에 따른 기판 보유반을 도시하는 모식도다. 도5b는 도5a에 도시된 원(11)으로 둘러싼 부분의 확대도다. 도5c는 도5b에 도시된 원(12)으로 둘러싼 부분의 확대도다. 도6a는 제6 예시적 실시 형태에 따른 기판 보유반을 도시하는 모식도다. 도6b는 도6a에 도시된 원(11)으로 둘러싼 부분의 확대도다. 도6c는 도6b에 도시된 원(12)으로 둘러싼 부분의 확대도다. 도7은 제7 예시적 실시 형태에 따른 기판 보유반을 도시하는 모식도다. 도8은 반사율의 이론값을 설명하는 식을 도시한 것이다. 도9는 예의 측정 결과를 나타내는 그래프를 도시한 것이다. 도10은 본 예시적 실시 형태에 따른 노광 장치를 도시한 모식도다. 이하, 도면을 참조하여, 본 개시내용의 예시적 실시 형태들에 대해서 설명한다. 이하에 설명하는 각 예시적 실시 형태는, 본 개시내용의 일 측면을 나타낼 뿐이고, 본 개시내용은 이것들에 한정되는 것이 아니다. 이하의 설명 및 도면에 있어서, 복수의 도면에 걸쳐서 공통인 구성에 대해서는 공통의 참조부호를 할당하고 있다. 추가로, 공통되는 구성을 복수의 도면을 참조하여 설명하고, 공통의 참조부호를 할당한 구성에 대해서는 적절하게 설명을 생략한다. 도1a는, 본 예시적 실시 형태에 따른 제1예의 기판 보유반의 사시도다. 본 예시적 실시 형태에 따른 기판 보유반(1)은, 기초부(2)와, 기초부(2) 위에 돌출부(3)를 구비한다. 기판 보유반(1)의 2개의 주면(표면과 이면) 중 한쪽의 면(설명 목적을 위해 표면이라고 가정한다)이, 최상면(32)이다. 기초부(2)에 대하여 최상면(32)측에 돌출부(3)가 설치되어 있지만, 돌출부(3)는 생략가능하다. 최상면(32)은, 기판(7)을 적재하는 쪽의 면 중에서, 기판 보유반(1)의 주위의 분위기와 접촉하는 면이며, 기판(7)과 접촉하는 면일 필요는 없다. 도1b는, 도1a에 도시된 기판 보유반(1)에 기판(7)이 적재되는 사시도다. 기초부(2)와, 기초부(2) 위에 설치된 돌출부(3)가, 기판(7)의 보유를 행한다. 돌출부(3)로 기판(7)을 지지함으로써, 기판 보유반(1)과 기판(7)간의 접촉 면적이 보다 작아지고, 돌출부(3)가 설치되지 않은 경우와 비교하여 기판(7)의 손상을 억제할 수 있다. 제1예의 기판 보유반(1)에 적재하는 기판(7)은, 전자 디바이스의 제조에 사용되는 기판(7)이다. 이 기판(7)은, 전자 디바이스의 일부를 구성할 수 있지만, 전자 디바이스의 제조의 도중에 제거되어서, 전자 디바이스에 구비되지 않는 경우도 있다. 기판(7)은, 예를 들면, 유기 일렉트로루미네슨스(ＥＬ) 디스플레이나 액정 디스플레이, 또는 태양 전지 패널의 제조에 사용되는 유리 기판이나 수지기판, 또는 사파이어 기판일 수 있다. 본 예의 기판 보유반(1)에는 흡인 구멍부(4)가 설치되어 있고, 흡인 구멍부(4)를 통해 기판(7)의 진공흡착을 행한다. 흡인 구멍부(4)는, 생략해도 좋다. 도1c는, 본 예시적 실시 형태에 따른 제2예의 기판 보유반(1)의 사시도다. 도1d는, 도1c의 기판 보유반(1)에 기판(7)이 적재되는 사시도다. 제2예의 기판 보유반(1)은, 그 외형이 원형인 점에서, 도1a에 도시된 기판 보유반(1)과 다르지만, 그 밖의 구성은 동일하다. 제2예의 기판 보유반(1)에 적재하는 기판(7)은, 예를 들면 Ｓｉ웨이퍼나 ＳｉＣ웨이퍼등의 반도체 기판이나, 유리 웨이퍼, 플라스틱 웨이퍼 또는 사파이어등의 절연체 기판일 수 있다. 도1a∼1d에 도시된 기판 보유반(1)은, 여러가지의 전자 디바이스의 제조 장치에 사용할 수 있다. 예를 들면, 기판 보유반(1)은, 기판(7) 위에 도포된 포토레지스트를 노광하는 노광 장치에 있어서, 기판(7)을 보유할 때에 사용될 수 있다. 기판 보유반(1)을 사용할 수 있는 장치들은 상기 노광 장치에 한정되지 않고, 기판 보유반(1)은 성막장치나 에칭 장치에도 사용될 수 있다. 도1e에 도시한 바와 같이, 복수의 기판 보유반(1)을 배치하여, 기판 보유 도구(111)로서 사용할 수 있다. 다음에, 도2a, 2b 및 2c를 참조하여, 제1 예시적 실시 형태에 대해서 설명한다. 도2a는, 도1a 혹은 도1c에 도시된 원(10)으로 둘러싼 범위의 확대도다. 도2b는, 도2a에 도시된 원(11)으로 둘러싼 범위의 확대도다. 도2c는, 도2b에 도시된 원(12)으로 둘러싼 범위의 확대도다. 본 예시적 실시 형태의 기판 보유반(1)은, 도1a 혹은 도1c에서 설명한 바와 같이, 기초부(2)와 돌출부(3)를 구비한다. 돌출부(3)의 상면에는, 돌출부(3)와 계면을 형성하는 피복층 51과, 피복층 51보다도 굴절률이 낮고 수소 함유량이 보다 큰 피복층 52를 구비한다. 피복층 51과 피복층 52 양쪽은, ＤＬＣ로 이루어진다. ＤＬＣ란, 탄소를 주성분으로 한 다이아몬드와 흑연에 대하여, 각각의 특징의 중간적인 특성을 나타내는 재료다. 최상면(32)은, 돌출부(3)의 상면 및 기초부(2)의 상면에 설치된 상기 피복층 52에 의해 형성되어 있다. 돌출부(3)는 생략가능하다. 돌출부(3)를 생략했을 경우, 기초부(2)의 상면에 피복층 51이 설치되고, 피복층 51의 상면에 피복층 52가 설치된다. 달리 말하면, 본 예시적 실시 형태에 있어서는, 기초부(2)와 피복층 51, 피복층 51과 피복층 52는 각각 계면을 형성한다. 본 예시적 실시 형태에 있어서는, 피복층 51과 피복층 52의 2층이 적층되어 있지만, 피복층 51과 피복층 52이 밀착하고 있으면 좋고, 피복층 51 또는 52의 상하에 다른 층을 설치하여서 3층이상이 구비되어도 좋다. 기초부(2)에 대해서 설명한다. 기초부(2)는, 구성부 21, 구성부 22 및 구성부 23을 구비한다. 구성부 21, 구성부 22 및 구성부 23은, 같은 재료로 이루어진다. 적어도 공통의 재료로 구성되어 있는 구성부 21, 22, 23을 기재라고 하고, 상기 재료와 같은 재료로 구성되어 있는 부분도 기재라고 한다.