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KR-102960988-B1 - LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE

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Abstract

실시예들에 따르면, 발광 표시 장치는 제1 구동 트랜지스터; 상기 제1 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제1 애노드; 제1 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 전기적으로 연결되어 있는 제1 커패시터; 상기 제1 구동 트랜지스터에 인접하여 위치하는 제2 구동 트랜지스터; 상기 제2 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제2 애노드; 상기 제2 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 전기적으로 연결되어 있는 제2 커패시터; 및 상기 제1 구동 트랜지스터의 상기 게이트 전극과 상기 제1 커패시터를 전기적으로 연결시키는 제1 연결 부재를 포함하며, 평면 상 상기 제1 연결 부재와 상기 제2 애노드 사이에 구동 전압선 또는 공통 전압선이 위치할 수 있다.

Inventors

  • 라유미
  • 박경호

Assignees

  • 삼성디스플레이 주식회사

Dates

Publication Date
20260506
Application Date
20201203

Claims (20)

  1. 제1 구동 트랜지스터; 상기 제1 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제1 애노드; 제1 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 전기적으로 연결되어 있는 제1 커패시터; 상기 제1 구동 트랜지스터에 인접하여 위치하는 제2 구동 트랜지스터; 상기 제2 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제2 애노드; 상기 제2 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 전기적으로 연결되어 있는 제2 커패시터; 상기 제1 구동 트랜지스터 및 상기 제2 구동 트랜지스터에 구동 전압을 인가하는 구동 전압선; 및 상기 제1 구동 트랜지스터의 상기 게이트 전극과 상기 제1 커패시터를 전기적으로 연결시키는 제1 연결 부재를 포함하며, 평면 상 상기 제1 연결 부재와 상기 제2 애노드 사이에 상기 구동 전압선이 위치하며, 상기 제1 연결 부재, 상기 제1 애노드, 및 상기 구동 전압선은 평면 상 중첩하지 않는 발광 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에서, 상기 제1 커패시터 및 상기 제2 커패시터는 기판 상에 위치하는 제1 도전층에 형성된 하부 유지 전극, 상기 하부 유지 전극 위에 위치하는 제1 절연층; 및 상기 제1 절연층 위에 위치하는 반도체층에 형성된 확장부를 포함하는 발광 표시 장치.
  4. 제3항에서, 상기 제1 구동 트랜지스터 및 상기 제2 구동 트랜지스터는 상기 반도체층에 위치하는 제1 반도체; 상기 반도체층 위에 위치하는 제2 절연층; 및 상기 제2 절연층 위에 위치하는 제2 도전층에 형성된 게이트 전극을 포함하는 발광 표시 장치.
  5. 제4항에서, 상기 제2 도전층 위에는 제3 절연층이 위치하고, 상기 제3 절연층위에는 제3 도전층이 위치하며, 상기 제1 연결 부재, 상기 제1 애노드, 및 상기 구동 전압선은 상기 제3 도전층에 형성되어 있는 발광 표시 장치.
  6. 제5항에서, 상기 구동 전압선은 제1 방향으로 연장되어 있는 제2 구동 전압선이며, 상기 제2 구동 전압선에 전기적으로 연결되어 있으며, 상기 제1 방향에 수직하는 제2 방향으로 연장되어 있는 제1 구동 전압선을 더 포함하는 발광 표시 장치.
  7. 제6항에서, 상기 제2 구동 전압선과 상기 제1 구동 전압선을 연결하며, 제3 도전층에 위치하는 연결부를 더 포함하며, 상기 연결부는 상기 구동 트랜지스터의 반도체와도 연결되고, 상기 연결부는 상기 제2 구동 전압선과 일체로 형성되어 있는 발광 표시 장치.
  8. 제6항에서, 상기 제1 구동 전압선은 상기 제1 도전층에 형성되며, 상기 제1 구동 전압선과 전기적으로 연결되며, 상기 제1 구동 전압선을 따라 길게 형성되어 있는 제1 보조 구동 전압선을 더 포함하는 발광 표시 장치.
  9. 제6항에서, 상기 제1 구동 트랜지스터의 상기 게이트 전극에 데이터 전압을 전달하는 제1 입력 트랜지스터; 및 상기 제1 애노드에 초기화 전압을 전달하는 제1 초기화 트랜지스터를 더 포함하며, 상기 제1 애노드는 상기 하부 유지 전극 및 상기 제1 초기화 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 발광 표시 장치.
  10. 제1항에서, 상기 제2 구동 트랜지스터에 인접하여 위치하는 제3 구동 트랜지스터; 상기 제3 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제3 애노드; 상기 제3 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 전기적으로 연결되어 있는 제3 커패시터; 상기 제1 애노드, 상기 제2 애노드, 및 상기 제3 애노드와 함께 발광 다이오드를 형성하는 캐소드; 상기 캐소드에 공통 전압을 전달하는 공통 전압선; 및 상기 제2 구동 트랜지스터의 상기 게이트 전극과 상기 제2 커패시터를 전기적으로 연결시키는 제2 연결 부재를 포함하며, 평면 상 상기 제2 연결 부재와 상기 제3 애노드 사이에 상기 공통 전압선이 위치하는 발광 표시 장치.
  11. 제10항에서, 상기 제2 연결 부재, 상기 제3 애노드, 및 상기 공통 전압선은 평면 상 중첩하지 않는 발광 표시 장치.
  12. 제1 구동 트랜지스터; 상기 제1 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제1 애노드; 제1 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 전기적으로 연결되어 있는 제1 커패시터; 상기 제1 구동 트랜지스터에 인접하여 위치하는 제2 구동 트랜지스터; 상기 제2 구동 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제2 애노드; 상기 제2 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 전기적으로 연결되어 있는 제2 커패시터; 상기 제1 애노드 및 상기 제2 애노드와 함께 발광 다이오드를 형성하는 캐소드; 상기 캐소드에 공통 전압을 전달하는 공통 전압선; 및 상기 제1 구동 트랜지스터의 상기 게이트 전극과 상기 제1 커패시터를 전기적으로 연결시키는 제1 연결 부재를 포함하며, 평면 상 상기 제1 연결 부재와 상기 제2 애노드 사이에 상기 공통 전압선이 위치하는 발광 표시 장치.
  13. 제12항에서, 상기 제1 연결 부재, 상기 제1 애노드, 및 상기 공통 전압선은 평면 상 중첩하지 않는 발광 표시 장치.
  14. 제13항에서, 상기 제1 커패시터 및 상기 제2 커패시터는 기판 상에 위치하는 제1 도전층에 형성된 하부 유지 전극, 상기 하부 유지 전극 위에 위치하는 제1 절연층; 및 상기 제1 절연층 위에 위치하는 반도체층에 형성된 확장부를 포함하는 발광 표시 장치.
  15. 제14항에서, 상기 제1 구동 트랜지스터 및 상기 제2 구동 트랜지스터는 상기 반도체층에 위치하는 제1 반도체; 상기 반도체층 위에 위치하는 제2 절연층; 및 상기 제2 절연층 위에 위치하는 제2 도전층에 형성된 게이트 전극을 포함하는 발광 표시 장치.
  16. 제15항에서, 상기 제2 도전층 위에는 제3 절연층이 위치하고, 상기 제3 절연층위에는 제3 도전층이 위치하며, 상기 제1 연결 부재, 상기 제1 애노드, 및 상기 공통 전압선은 상기 제3 도전층에 형성되어 있는 발광 표시 장치.
  17. 제16항에서, 상기 공통 전압선은 제1 방향으로 연장되어 있는 제2 공통 전압선이며, 상기 제2 공통 전압선에 전기적으로 연결되어 있으며, 상기 제1 방향에 수직하는 제2 방향으로 연장되어 있는 제1 공통 전압선을 더 포함하는 발광 표시 장치.
  18. 제17항에서, 상기 제1 공통 전압선은 상기 제1 도전층에 형성되며, 상기 제1 공통 전압선과 전기적으로 연결되며, 상기 제1 공통 전압선을 따라 길게 형성되어 있는 제1 보조 공통 전압선을 더 포함하는 발광 표시 장치.
  19. 제17항에서, 상기 제2 공통 전압선은 상기 제2 방향으로 연장되어 있는 연결부를 더 포함하며, 상기 연결부의 끝단은 확장되어 있는 확장부가 위치하며, 상기 확장부를 통하여 상기 캐소드와 전기적으로 연결되는 발광 표시 장치.
  20. 제17항에서, 상기 제1 구동 트랜지스터의 상기 게이트 전극에 데이터 전압을 전달하는 제1 입력 트랜지스터; 및 상기 제1 애노드에 초기화 전압을 전달하는 제1 초기화 트랜지스터를 더 포함하며, 상기 제1 애노드는 상기 하부 유지 전극 및 상기 제1 초기화 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 발광 표시 장치.

Description

발광 표시 장치{LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE} 본 개시는 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 인접하는 화소간의 간섭을 줄이는 발광 표시 장치에 관한 것이다. 표시 장치는 화면을 표시하는 장치로서, 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Diode, OLED) 등이 있다. 이러한 표시 장치는 휴대 전화, 네비게이션, 디지털 사진기, 전자 북, 휴대용 게임기, 또는 각종 단말기 등과 같이 다양한 전자 기기들에 사용되고 있다. 유기 발광 표시 장치는 자발광(self-luminance) 특성을 가지며, 액정 표시 장치와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성을 가진다. 도 1은 일 실시예에 의한 발광 표시 장치의 화소의 회로도이다. 도 2는 일 실시예에 의한 발광 표시 장치의 일부를 도시한 평면도이다. 도 3은 도 2의 III-III선을 따라 나타낸 일 실시예에 의한 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 4 내지 도 13은 일 실시예에 의한 발광 표시 장치의 제조 순서에 따라 순차적으로 도시한 평면도 및 단면도이다. 도 14는 일 실시예에 의한 발광 표시 장치를 전체적으로 도시한 단면도이다. 도 15 및 도 16은 또 다른 실시예에 의한 발광 표시 장치의 일부를 도시한 평면도이다. 도 17은 비교예에 의한 발광 표시 장치 중 화소의 일 부분을 확대 도시한 평면도이다. 도 18은 또 다른 실시예에 의한 발광 표시 장치의 화소의 회로도이다. 이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다. 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다. 또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다. 또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다. 명세서 전체에서, "연결된다"라고 할 때, 이는 둘 이상의 구성요소가 직접적으로 연결되는 경우만을 의미하는 것이 아니고, 둘 이상의 구성요소가 다른 구성요소를 통하여 간접적으로 연결되는 경우, 물리적으로 연결되는 경우나 전기적으로 연결되는 경우, 뿐만 아니라, 위치나 기능에 따라 상이한 명칭들로 지칭되었으나 실질적으로 일체인 각 부분이 서로 연결되는 것을 포함할 수 있다. 이하에서는 도면을 통하여 발광 표시 장치의 실시예를 중심으로 구체적으로 살펴본다. 도 1은 일 실시예에 의한 발광 표시 장치의 화소의 회로도이다. 일 실시예에 의한 발광 표시 장치는 복수의 화소를 포함하며, 도 1은 복수의 화소들 중 인접한 3개의 화소를 함께 도시하고 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 화소는 제1 화소(PXa), 제2 화소(PXb) 및 제3 화소(PXc)를 포함할 수 있다. 제1 화소(PXa), 제2 화소(PXb) 및 제3 화소(PXc) 각각은 복수의 트랜지스터(T1, T2, T3), 유지 커패시터(Cst), 및 발광 소자인 발광 다이오드(light emitting diode)(EDa, EDb, EDc)를 포함한다. 또한, 실시예에 따라서는 발광 다이오드(EDa, EDb, EDc)의 양단에 연결되어 있는 커패시터(Cleda, Cledb, Cledc; 이하 발광부 커패시터라고 함)를 더 포함할 수 있다. 복수의 트랜지스터(T1, T2, T3)는 하나의 구동 트랜지스터(T1; 제1 트랜지스터라고도 함)와 두 개의 스위칭 트랜지스터(T2, T3)로 형성되며, 두 개의 스위칭 트랜지스터는 입력 트랜지스터(T2; 제2 트랜지스터라고도 함)와 초기화 트랜지스터(T3; 제3 트랜지스터라고도 함)로 구분된다. 각 트랜지스터(T1, T2, T3)는 게이트 전극, 제1 전극 및 제2 전극을 각각 포함하며, 반도체층을 포함하여 게이트 전극의 전압에 따라서 반도체층으로 전류가 흐르거나 차단된다. 여기서, 제1 전극과 제2 전극은 각 트랜지스터(T1, T2, T3)에 인가되는 전압에 따라서 두 전극 중 하나가 소스 전극이고 다른 하나가 드레인 전극일 수 있다. 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 유지 커패시터(Cst)의 일단과 연결되어 있으며, 입력 트랜지스터(T2)의 제2 전극(출력측 전극)과도 연결되어 있다. 또한, 구동 트랜지스터(T1)의 제1 전극은 구동 전압(ELVDD)을 전달하는 구동 전압선(172)과 연결되어 있고, 구동 트랜지스터(T1)의 제2 전극은 발광 다이오드(EDa, EDb, EDc)의 애노드 및 유지 커패시터(Cst)의 타단과 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(T1)는 입력 트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터 전압(DVa, DVb, DVc)을 게이트 전극으로 전달받으며, 게이트 전극의 전압에 따라 발광 다이오드(EDa, EDb, EDc)에 구동 전류를 공급할 수 있다. 이 때, 유지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극의 전압을 저장하고 유지한다. 입력 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 제1 스캔 신호(SC)를 전달하는 제1 스캔선(151)과 연결되어 있다. 입력 트랜지스터(T2)의 제1 전극은 데이터 전압(DVa, DVb, DVc)을 전달할 수 있는 데이터선과 연결되어 있고, 입력 트랜지스터(T2)의 제2 전극은 유지 커패시터(Cst)의 일단 및 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 연결되어 있다. 복수의 데이터선(171a, 171b, 171c)은 서로 다른 데이터 전압(DVa, DVb, DVc)을 각각 전달하며, 각 화소(PXa, PXb, PXc)의 입력 트랜지스터(T2)는 서로 다른 데이터선에 연결되어 있다. 그러므로, 각 화소(PXa, PXb, PXc)의 입력 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 동일한 제1 스캔선(151)에 연결되어 동일한 타이밍의 제1 스캔 신호(SC)를 입력받을 수 있다. 동일한 타이밍의 제1 스캔 신호(SC)에 의하여 각 화소(PXa, PXb, PXc)의 입력 트랜지스터(T2)는 동시에 턴 온되어 데이터 전압(DVa, DVb, DVc)을 각 화소(PXa, PXb, PXc)의 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극 및 유지 커패시터(Cst)의 일단으로 전달할 수 있다. 초기화 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 제1 스캔 신호(SC)를 전달하는 제1 스캔선(151)과 연결되어 있다. 초기화 트랜지스터(T3)의 제1 전극은 유지 커패시터(Cst)의 타단, 구동 트랜지스터(T1)의 제2 전극, 및 발광 다이오드(EDa, EDb, EDc)의 애노드와 연결되어 있고, 초기화 트랜지스터(T3)의 제2 전극은 초기화 전압(VINT)을 전달하는 초기화 전압선(173)과 연결되어 있다. 여기서, 초기화 전압선(173)은 초기화 전압(VINT)을 인가하기 전에 발광 다이오드(EDa, EDb, EDc)의 애노드의 전압을 감지하는 동작을 수행하여 감지 배선(SL)으로의 역할도 수행할 수 있다. 감지 동작을 통하여 애노드의 전압이 타겟 전압으로 유지되고 있는지 확인할 수 있다. 감지 동작과 초기화 전압(VINT)을 전달하는 초기화 동작은 시간적으로 구분되어 진행될 수 있으며, 감지 동작이 수행된 후 초기화 동작이 수행된다. 초기화 트랜지스터(T3)는 제1 스캔 신호(SC)에 따라 입력 트랜지스터(T2)와 함께 턴 온되며, 감지 동작을 수행한 후 종국적으로 초기화 전압(VINT)을 발광 다이오드(EDa, EDb, EDc)의 애노드 및 유지 커패시터(Cst)의 타단에 전달하여 발광 다이오드(EDa, EDb, EDc)의 애노드의 전압을 초기화시킨다. 실시예에 따라서는 감지 동작을 생략하거나 복수의 프레임마다 감지 동작을 수행할 수도 있다. 유지 커패시터(Cst)의 일단은 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극 및 입력 트랜지스터(T2)의 제2 전극과 연결되어 있고, 타단은 초기화 트랜지스터(T3)의 제1 전극 및 발광 다이오드(EDa, EDb, EDc)의 애노드와 연결되어 있다. 도 1에서는 유지 커패시터(Cst)의 일단 및 타단에 도면 부호를 도시하고 있으며, 이는 도 2에서 어느 부분이 유지 커패시터(Cst)에 대응하는지 명확하게 나타내기 위하여 도시한 것이다. 간략하게 살펴보면, 유지 커패시터(Cst)의 일단은 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(155)과 이와 연결된 반도체층의 확장부(134)이며, 유지 커패시터(Cst)의 타단은 하부 유지 전극(125)에 위치한다. 유지 커패시터(Cst)의 주된 부분은 반도체층의 확장부(134), 하부 유지 전극(125), 및 이들 사이의 절연막에 형성될 수 있다. 발광 다이오드(EDa, EDb, EDc)