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KR-102961040-B1 - organic light-emitting display

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Abstract

본 발명은 기판 위에 구비되는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터의 상부에 구비되는 평탄화막 및 상기 평탄화막의 상부에 형성되어 픽셀 영역을 정의하는 화소 정의 스페이서를 포함하고, 상기 화소 정의 스페이서는 제1 방향에 대하여 이웃한 두 개의 블루픽셀 사이에 구비되는 유기 발광 표시 장치를 개시한다.

Inventors

  • 김현영
  • 김도훈

Assignees

  • 삼성디스플레이 주식회사

Dates

Publication Date
20260506
Application Date
20240522

Claims (15)

  1. 기판 상에 위치하는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 상에 배치된 평탄화막; 및 상기 평탄화막에 위치하며, 제1 색을 방출하는 복수의 제1 발광영역, 제2 색을 방출하는 복수의 제2 발광영역, 및 제3 색을 방출하는 복수의 제3 발광영역;을 포함하고, 상기 복수의 제1 내지 제3 발광영역 각각은 유기 발광층을 포함하며, 상기 복수의 제1 발광영역은 제1 방향으로 제1 행에 배열되고, 인접한 두 개의 제1 발광영역의 유기 발광층은 서로 연결되지 않으며, 상기 복수의 제2 발광영역 및 상기 복수의 제3 발광영역은 상기 제1 방향으로 제2 행에 교대로 번갈아 배열되고, 상기 복수의 제1 발광영역 각각의 상기 제1 방향으로의 폭은, 상기 복수의 제2 발광영역 각각의 상기 제1 방향으로의 폭 및 상기 복수의 제3 발광영역 각각의 상기 제1 방향으로의 폭보다 크고, 첫번째 인접한 두 개의 제1 발광영역 사이의 제1 갭과 두번째 인접한 두 개의 제1 발광영역 사이의 제2 갭은 교대로 번갈아 형성되고, 상기 제1 갭의 폭은 상기 제2 갭의 폭보다 크고, 인접한 제2 발광영역 및 제3 발광영역 사이에 제3 갭이 형성되고, 상기 제3 갭의 폭은 상기 제1 갭의 폭보다 작고 상기 제2 갭의 폭보다 큰, 유기 발광 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서, 상기 복수의 제1 발광영역 각각의 상기 제1 방향으로의 폭은 상기 복수의 제2 발광영역 각각의 제2 방향으로의 폭 및 상기 복수의 제3 발광영역 각각의 상기 제2 방향으로의 폭보다 크고, 상기 제2 방향은 상기 제1 방향에 직교하는, 유기 발광 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 제1 색, 상기 제2 색, 및 상기 제3 색은 서로 혼합될 시 백색을 생성하는, 유기 발광 표시 장치.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 제1 색은 청색이고, 상기 제2 색은 적색이고, 상기 제3 색은 녹색인, 유기 발광 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 복수의 제1 발광영역 각각의 상기 제1 방향으로의 폭은 제2 방향으로의 폭보다 크고, 상기 제2 방향은 상기 제1 방향에 직교하는, 유기 발광 표시 장치.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제6 항에 있어서, 상기 복수의 제1 발광영역 각각의 상기 제2 방향으로의 폭은 상기 복수의 제2 발광영역 각각의 상기 제2 방향으로의 폭보다 작은, 유기 발광 표시 장치.
  10. 제6 항에 있어서, 상기 복수의 제1 발광영역 각각의 상기 제2 방향으로의 폭은 상기 복수의 제3 발광영역 각각의 상기 제2 방향으로의 폭보다 작은, 유기 발광 표시 장치.
  11. 제6 항에 있어서, 상기 복수의 제2 발광영역 각각의 상기 제2 방향으로의 폭은 상기 복수의 제3 발광영역 각각의 상기 제2 방향으로의 폭과 같은, 유기 발광 표시 장치.
  12. 제6 항에 있어서, 상기 복수의 제1 발광영역 각각의 상기 제1 방향으로의 폭은, 상기 복수의 제2 발광영역 각각의 상기 제1 방향으로의 폭과 상기 복수의 제3 발광영역 각각의 상기 제1 방향으로의 폭의 합보다 큰, 유기 발광 표시 장치.
  13. 기판 상에 위치하는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터 상에 배치된 평탄화막; 및 상기 평탄화막에 위치하며, 제1 색을 방출하는 복수의 제1 발광영역, 제2 색을 방출하는 복수의 제2 발광영역, 및 제3 색을 방출하는 복수의 제3 발광영역;을 포함하고, 상기 복수의 제1 내지 제3 발광영역 각각은 유기 발광층을 포함하며, 상기 복수의 제1 발광영역은 제1 방향으로 제1 행에 배열되고, 인접한 두 개의 제1 발광영역의 유기 발광층은 서로 연결되지 않으며, 상기 복수의 제2 발광영역 및 상기 복수의 제3 발광영역은 상기 제1 방향으로 제2 행에 교대로 번갈아 배열되고, 상기 복수의 제1 발광영역의 형상은 상기 복수의 제2 발광영역의 형상 및 상기 복수의 제3 발광영역의 형상과 서로 다르며, 상기 제2 발광영역의 형상은, 상기 제2 발광영역과 상기 제2 발광영역에 인접한 상기 제3 발광영역의 중간점을 통과하는 축을 중심으로 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 상기 제3 발광영역의 형상과 대칭이고, 첫번째 인접한 두 개의 제1 발광영역 사이의 제1 갭과 두번째 인접한 두 개의 제1 발광영역 사이의 제2 갭은 교대로 번갈아 형성되고, 상기 제1 갭의 폭은 상기 제2 갭의 폭보다 크고, 인접한 제2 발광영역 및 제3 발광영역 사이에 제3 갭이 형성되고, 상기 제3 갭의 폭은 상기 제1 갭의 폭보다 작고 상기 제2 갭의 폭보다 큰, 유기 발광 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서, 상기 제2 발광영역 각각의 형상은 상기 제3 발광영역 각각의 형상과 동일한, 유기 발광 표시 장치.
  15. 제13 항에 있어서, 서로 인접한 두 개의 제1 발광영역들 사이의 간격은 서로 인접한 상기 제2 발광영역과 상기 제3 발광영역 사이의 간격과 상이한, 유기 발광 표시 장치.

Description

유기 발광 표시 장치{organic light-emitting display} 본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다. 유기 발광 표시 장치는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극 그리고 이들 사이에 형성되어 있는 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 소자를 구비하며, 정공 주입 전극에서 주입되는 정공과 전자 주입 전극에서 주입되는 전자가 유기 발광층에서 결합하여 생성된 엑시톤(exciton)이 여기 상태(exited state)로부터 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 빛을 발생시키는 자발광형 표시 장치이다. 자발광형 표시장치인 유기 발광 표시 장치는 별도의 광원이 불필요하므로 저전압으로 구동이 가능하고 경량의 박형으로 구성할 수 있으며, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트(contrast) 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성으로 인해 차세대 표시 장치로 주목 받고 있다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다. 본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용된다. 이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. 이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 "위"에 또는 "상"에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. 도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 수행될 수도 있다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 포함된 박막 트랜지스터 어레이 기판의 하나의 화소 회로의 단면을 개략적으로 도시한 단면도이다. 박막 트랜지스터 어레이 기판은 적어도 하나의 박막 트랜지스터가 포함된 기판을 말한다. 본 명세서에서, 박막 트랜지스터 어레이 기판은 복수의 박막 트랜지스터(TFT)가 규칙적으로 배열되어 있는 경우뿐만 아니라, 복수의 박막 트랜지스터(TFT)가 불규칙적으로 배치되어 있는 경우, 또는 하나의 박막 트랜지스터(TFT)만이 배치되어 있는 경우도 포함한다. 도 1에 도시된 바와 같이 본 실시예에 따른 하나의 화소 회로는 기판(110), 상기 기판 상에 구비되는 박막 트랜지스터(TFT) 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 상부에 구비되는 평탄화막(PL)을 포함할 수 있다. 도 1을 참조하면, 기판(110) 상에는 버퍼층(111)이 형성될 수 있다. 버퍼층(111)은 불순물 이온이 확산되는 것을 방지하고, 수분이나 외기의 침투를 방지하며, 표면을 평탄화하기 위한 베리어층, 및/또는 블록킹층으로 역할을 할 수 있다. 버퍼층(111) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)의 반도체층(A)이 형성된다. 반도체층(A)은 폴리 실리콘으로 이루어질 수 있으며, 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역과, 채널 영역의 양 옆으로 불순물이 도핑되어 형성된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 여기서, 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라지며, N형 불순물 또는 P형 불순물이 가능하다. 반도체층(A)을 덮도록 게이트 절연막(120)이 기판(110) 전면(全面) 에 적층된다. 게이트 절연막(120)은 실리콘산화물 또는 실리콘질화물 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 게이트 절연막(120)은 반도체층(A)과 게이트 전극(G)을 절연하는 역할을 한다. 게이트 전극(G)의 물질은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 타이타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다. 상기 게이트 전극(G)을 덮도록 층간 절연막(130)이 기판(110) 전면(全面)에 형성된다. 층간 절연막(130)은 무기물 또는 유기물로 이루어질 수 있다. 일부 실시예에서, 층간 절연막(130)은 무기물로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 층간 절연막(130)은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 무기 물질은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있다. 층간 절연막(130)은 실리콘산화물(SiOx) 및/또는 실리콘질화물(SiNx) 등의 무기물로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 층간 절연막(130)은 SiOx/SiNy 또는 SiNx/SiOy의 이중 구조로 이루어질 수 있다. 층간 절연막(130)은 구동 게이트 전극(G)을 층간 절연막(130)의 상부에 형성되는 배선들과 절연하는 역할을 할 수 있다. 상기 층간 절연막(130) 상에는 반도체층(A)의 도핑된 소스 영역 및 드레인 영역과 연결되는 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)이 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 소스 전극 및 드레인 전극이 반도체층과 동일한 층으로 형성될 수도 있다. 즉, 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극은 선택적으로 도핑 물질이 도핑된 폴리 실리콘으로 형성될 수 있다. 층간 절연막(130)의 상부에 형성되는 여러 배선들과 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)을 덮도록 기판(110) 전면(全面)에 평탄화막(PL)이 형성된다. 평탄화막(PL) 상부에는 화소 전극(141)이 형성될 수 있다. 화소 전극(141)은 비아홀(VIA)을 통해 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(D) 혹은 소스 전극(S)과 연결된다. 평탄화막(PL)은 절연물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 평탄화막(PL)은 무기물, 유기물, 또는 유/무기 복합물로 단층 또는 복수층의 구조로 형성될 수 있으며, 다양한 증착방법에 의해서 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 평탄화막(PL)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly phenylenesulfides resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다. 화소 전극(141)의 상부에는 유기 발광층을 포함하는 중간층(143) 및 대향 전극(145)이 형성될 수 있으며 상기 화소 전극(141), 중간층(143), 대향 전극(145)은 유기 발광 소자(OLED)의 구성 요소가 된다. 화소 전극(141)은 평탄화막(PL)의 비아홀(VIA)를 채우면서 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(S) 또는 드레인 전극(D)과 전기적으로 연결될 수 있다. 화소 전극(141) 및/또는 대향 전극(145)은 투명 전극 또는 반사형 전극으로 구비될 수 있다. 투명 전극으로 구비될 때에는 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 구비될 수 있고, 반사형 전극으로 구비될 때에는 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 투명막을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 화소 전극(141) 또는 대향 전극(145)은 ITO/Ag/ITO 구조를 가질 수 있다. 상술한 바와 같이 화소 전극(141), 중간층(143), 대향 전극(145)은 유기 발광 소자(OLED, organic light emitting device)를 이루게 된다. 유기 발광 소자(OLED)의 화소 전극(141)과 대향 전극(145)에서 주입되는 정공과 전자는 중간층(143)의 유기 발광층에서 결합하면서 빛이 발생할 수 있다. 중간층(143)은 유기 발광층을 구비할 수 있다. 선택적인 다른 예로서, 중간층(143)은 유기 발광층(emission layer)을 구비하고, 그 외에 정공 주입층(HIL:hole injection layer), 정공 수송층(hole transport la