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KR-102961424-B1 - 유기 일렉트로루미네센스 소자 및 그것을 구비하는 전기 기기

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Abstract

본 발명은, 음극과, 양극과, 상기 음극과 상기 양극 사이에 배치된 유기층을 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자로서, 상기 유기층은 발광층과 제1 층을 포함하고, 상기 제1 층은 상기 음극과 상기 발광층 사이에 배치되며, 상기 발광층은 하기 식 (1A)로 표시되는 화합물 및 하기 식 (1B)로 표시되는 화합물 중 어느 한쪽 또는 양쪽 모두를 포함하고, 상기 제1 층은 하기 식 (BE1)로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자를 제공한다.

Inventors

  • 이토이 히로아키
  • 나카노 유키
  • 다사키 사토미
  • 야마키 다로
  • 마스다 데츠야

Assignees

  • 이데미쓰 고산 가부시키가이샤

Dates

Publication Date
20260506
Application Date
20200408
Priority Date
20190408

Claims (20)

  1. 음극과, 양극과, 상기 음극과 상기 양극 사이에 배치된 유기층 을 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자로서, 상기 유기층은 발광층과 제1 층을 포함하고, 상기 제1 층은 상기 음극과 상기 발광층 사이에 배치되며, 상기 발광층은 하기 식 (1A)로 표시되는 화합물 및 하기 식 (1B)로 표시되는 화합물 중 어느 한쪽 또는 양쪽 모두를 포함하고, 상기 제1 층은 하기 식 (BE1)로 표시되는 화합물 또는 화합물 bET-2를 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자. (식 (1A) 및 (1B) 중, X 1 은 산소 원자 또는 황 원자이다. Ar 1 은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기이다. L 1 은 단일 결합, 또는 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼14의 아릴렌기이다. R 1 ∼R 8 은 수소 원자이다. R 11A ∼R 19A 및 R 11B ∼R 19B 는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼18의 아릴기이다.) (식 (BE1)에 있어서, X 31 ∼X 33 중 2개 이상은 질소 원자이고, 질소 원자가 아닌 나머지는 CR이다. R은 수소 원자이다. AE는 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼18의 아릴기이다. BE는 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다. LE는 단일 결합, 또는 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 (nE+1) 가의 방향족 탄화수소환기이다. 상기 방향족 탄화수소환기는 상이한 방향족 탄화수소환이 2 이상 결합한 구조여도 좋다. CE는 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환의 페닐기, 치환 혹은 무치환의 플루오레닐기, 치환 혹은 무치환의 카르바졸릴기, 또는 치환 혹은 무치환의 디벤조티오페닐기이다. nE는 1∼3의 정수이다. nE가 2 이상인 경우, LE는 단일 결합이 아니다.) 상기 「치환 혹은 무치환의」라고 하는 경우의 치환기는, 시아노기, 무치환의 탄소수 1∼6의 알킬기, 또는 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼18의 아릴기이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 식 (BE1)로 표시되는 화합물은 하기 식 (BE10)으로 표시되는 화합물인 유기 일렉트로루미네센스 소자. (식 (BE10)에 있어서, AE, BE, LE, CE 및 nE는 상기 식 (BE1)에서 정의한 바와 같다.)
  3. 삭제
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 식 (1A)로 표시되는 화합물 및 상기 식 (1B)로 표시되는 화합물은 각각 하기 식 (1A-1)로 표시되는 화합물 및 하기 식 (1B-1)로 표시되는 화합물인 유기 일렉트로루미네센스 소자. (식 (1A-1) 및 (1B-1) 중, X 1 , Ar 1 , R 1 ∼R 8 , R 11A ∼R 19A 및 R 11B ∼R 19B 는 상기 식 (1A) 또는 (1B)에서 정의한 바와 같다.)
  5. 삭제
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, Ar 1 은 하기 식 (a1)∼(a4)로 표시되는 기로부터 선택되는 유기 일렉트로루미네센스 소자. (식 (a1)∼(a4) 중, *는 안트라센 골격의 탄소 원자와 결합하는 단일 결합이다.)
  7. 제1항에 있어서, R 11A ∼R 19A 및 R 11B ∼R 19B 는 수소 원자인 유기 일렉트로루미네센스 소자.
  8. 제1항, 제2항 및 제7항 중 어느 한 항에 있어서, X 1 은 산소 원자인 유기 일렉트로루미네센스 소자.
  9. 제2항에 있어서, 상기 식 (BE10)으로 표시되는 화합물은 하기 식 (BE11) 또는 식 (BE12)로 표시되는 화합물인 유기 일렉트로루미네센스 소자. (식 (BE11)에 있어서, AE, BE 및 CE는 상기 식 (BE1)에서 정의한 바와 같다.) (식 (BE12)에 있어서, AE 및 BE는 상기 식 (BE1)에서 정의한 바와 같다. XE는 CR 51 R 52 , NR 53 , 또는 황 원자이다. 상기 XE가 CR 51 R 52 인 경우, 상기 R 51 및 상기 R 52 는 서로 결합하여 치환 혹은 무치환의 포화 또는 불포화의 고리를 형성하거나, 또는 치환 혹은 무치환의 포화 또는 불포화의 고리를 형성하지 않는다. R이 복수 존재하는 경우, 복수의 R 중 인접한 2개 이상의 1조 이상은 서로 결합하여 치환 혹은 무치환의 포화 또는 불포화의 고리를 형성하거나, 또는 치환 혹은 무치환의 포화 또는 불포화의 고리를 형성하지 않는다. R 53 과, 상기 치환 혹은 무치환의 포화 또는 불포화의 고리를 형성하지 않는 R, R 51 및 R 52 는 각각 독립적으로 시아노기, 무치환의 탄소수 1∼6의 알킬기, 또는 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼18의 아릴기이다. nE2는 0∼4의 정수이고, nE3은 0∼3의 정수이다. R이 복수 존재하는 경우, 복수의 R은 서로 동일하여도 좋고, 또는 상이하여도 좋다.)
  10. 제1항에 있어서, 상기 식 (BE1)로 표시되는 화합물은 하기 식 (BE14)로 표시되는 화합물인 유기 일렉트로루미네센스 소자. (식 (BE14)에 있어서, X 31 ∼X 33 , AE, BE, LE 및 nE는 상기 식 (BE1)에서 정의한 바와 같다. Cz는 하기 식 (Cz1), (Cz2) 및 (Cz3) 중 어느 하나로 표시되는 기이다.) (식 (Cz1), (Cz2) 및 (Cz3)에 있어서, R이 복수 존재하는 경우, 복수의 R 중 인접한 2개 이상의 1조 이상은 서로 결합하여 치환 혹은 무치환의 포화 또는 불포화의 고리를 형성하거나, 또는 치환 혹은 무치환의 포화 또는 불포화의 고리를 형성하지 않는다. 상기 치환 혹은 무치환의 포화 또는 불포화의 고리를 형성하지 않는 R은 시아노기, 무치환의 탄소수 1∼6의 알킬기, 또는 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼18의 아릴기이다. 단, 식 (Cz2)에서, N에 결합하는 R은 수소 원자이다. nE6 및 nE7은 각각 독립적으로 0∼4의 정수이다. nE8은 0∼4의 정수이고, nE9는 0∼3의 정수이다. nE12는 0∼4의 정수이고, nE13은 0∼3의 정수이다. nE10, nE11, nE14, 및 nE15는 각각 0이다. R이 복수 존재하는 경우, 복수의 R은 서로 동일하여도 좋고, 상이하여도 좋다. *는 LE와 결합한다.)
  11. 제1항, 제2항, 제7항 및 제10항 중 어느 한 항에 있어서, LE는 단일 결합, 또는 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼12의 (nE+1) 가의 방향족 탄화수소환기인 유기 일렉트로루미네센스 소자.
  12. 삭제
  13. 제1항, 제2항, 제7항 및 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 층은 상기 발광층에 바로 인접해 있는 유기 일렉트로루미네센스 소자.
  14. 제1항, 제2항, 제7항 및 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 음극과 상기 제1 층 사이에 제2 층이 있는 유기 일렉트로루미네센스 소자.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제2 층은 하기 식 (EB1)로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자. (식 (EB1) 중, XEB 1 은 O, S 또는 CR 41 R 42 이다. R 41 및 R 42 는 각각 독립적으로 수소 원자, 시아노기, 치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기, -Si(R 901 )(R 902 )(R 903 ), -O-(R 904 ), 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는 치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 1가의 복소환기이다. R 901 ∼R 904 는 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 혹은 무치환의 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 3∼50의 시클로알킬기, 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는 치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 1가의 복소환기이다. R 901 ∼R 904 가 각각 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R 901 ∼R 904 의 각각은 동일하여도 좋고, 상이하여도 좋다. YE 1 , YE 2 및 YE 3 은 각각 독립적으로 CH 또는 N이다. 단, YE 1 , YE 2 및 YE 3 중 2개 이상은 N이다. ArE 1 , ArE 3 및 ArE 5 는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 혹은 무치환의 페닐렌기, 치환 혹은 무치환의 나프틸렌기, 치환 혹은 무치환의 페난트릴렌기, 또는 치환 혹은 무치환의 안트릴렌기이다. ArE 2 및 ArE 4 는 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환의 페닐기, 치환 혹은 무치환의 나프틸기, 치환 혹은 무치환의 페난트릴기, 또는 치환 혹은 무치환의 안트릴기이다. ArE 1 과 ArE 2 및 ArE 3 과 ArE 4 는 각각 독립적으로 서로 결합하여 치환 혹은 무치환의 포화 또는 불포화의 6원 고리만으로 구성되는 고리를 형성하거나, 혹은 고리를 형성하지 않는다.)
  16. 제15항에 있어서, 상기 식 (EB1)로 표시되는 화합물은 하기 식 (EB4)로 표시되는 화합물인 유기 일렉트로루미네센스 소자. (식 (EB4) 중, ArE 1 ∼ArE 4 는 상기 식 (EB1)에서 정의한 바와 같다.)
  17. 제15항에 있어서, 상기 식 (EB1)로 표시되는 화합물은 하기 식 (EB5)로 표시되는 화합물인 유기 일렉트로루미네센스 소자. (식 (EB5) 중, ArE 1 ∼ArE 4 , R 41 및 R 42 는 상기 식 (EB1)에서 정의한 바와 같다.)
  18. 제1항, 제2항, 제7항 및 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유기층은 제3 층을 더 포함하고, 상기 제3 층은 상기 양극과 상기 발광층 사이에 배치되며, 상기 제3 층은 하기 식 (B1)로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자. (식 (B1)에 있어서, L A , L B 및 L C 는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기, 또는 치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 2가의 복소환기이다. A, B 및 C는 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 치환 혹은 무치환의 고리 형성 원자수 5∼50의 1가의 복소환기, 또는 -Si(R' 901 )(R' 902 )(R' 903 )이다. R' 901 ∼R' 903 은 각각 독립적으로 치환 혹은 무치환의 고리 형성 탄소수 6∼50의 아릴기이다. R' 901 ∼R' 903 중 1 이상이 각각 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R' 901 ∼R' 903 의 각각은 동일하여도 좋고, 또는 상이하여도 좋다.)
  19. 삭제
  20. 삭제

Description

유기 일렉트로루미네센스 소자 및 그것을 구비하는 전기 기기 본 발명은, 유기 일렉트로루미네센스 소자 및 그것을 구비하는 전기 기기에 관한 것이다. 유기 일렉트로루미네센스 소자에 전압을 인가하면, 양극으로부터 정공이, 또또는 음극으로부터 전자가 각각 발광층에 주입된다. 그리고, 발광층에 있어서, 주입된 정공과 전자가 재결합하여 여기자가 형성된다. 유기 EL 소자는 양극과 음극 사이에 발광층을 포함한다. 또한, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층, 전자 수송층 등의 유기층을 포함하는 적층 구조를 갖는 경우도 있다. 특허문헌 1∼5는, 안트라센 화합물을 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자용 재료를 개시하고 있다. 도 1은 본 발명의 일 양태에 따른 유기 EL 소자의 일 실시형태의 개략 구성을 나타낸 도면이다. 도 2는 본 발명의 일 양태에 따른 유기 EL 소자의 다른 실시형태의 개략 구성을 나타낸 도면이다. [정의] 본 명세서에 있어서, 수소 원자란, 중성자수가 상이한 동위체, 즉, 경수소(protium), 중수소(deuterium) 및 삼중수소(tritium)를 포함한다. 본 명세서에 있어서, 화학 구조식 중, 「R」 등의 기호나 중수소 원자를 나타내는 「D」가 명시되어 있지 않은 결합 가능 위치에는, 수소 원자, 즉, 경수소 원자, 중수소 원자 또는 삼중 수소 원자가 결합되어 있는 것으로 한다. 본 명세서에 있어서, 고리 형성 탄소수란, 원자가 환상으로 결합한 구조의 화합물(예컨대, 단환 화합물, 축합환 화합물, 가교 화합물, 탄소환 화합물 및 복소환 화합물)의 해당 고리 자체를 구성하는 원자 중의 탄소 원자의 수를 나타낸다. 해당 고리가 치환기에 의해 치환되는 경우, 치환기에 포함되는 탄소는 고리 형성 탄소수에는 포함하지 않는다. 이하에 기재된 「고리 형성 탄소수」에 대해서는 별도 기재가 없는 한 동일한 것으로 한다. 예컨대, 벤젠환은 고리 형성 탄소수가 6이고, 나프탈렌환은 고리 형성 탄소수가 10이며, 피리딘환은 고리 형성 탄소수 5이고, 푸란환은 고리 형성 탄소수 4이다. 또한, 예컨대 9,9-디페닐플루오레닐기의 고리 형성 탄소수는 13이고, 9,9'-스피로비플루오레닐기의 고리 형성 탄소수는 25이다. 또한, 벤젠환에 치환기로서, 예컨대 알킬기가 치환되어 있는 경우, 해당 알킬기의 탄소수는 벤젠환의 고리 형성 탄소수에 포함시키지 않는다. 그 때문에, 알킬기가 치환되어 있는 벤젠환의 고리 형성 탄소수는 6이다. 또한, 나프탈렌환에 치환기로서, 예컨대 알킬기가 치환되어 있는 경우, 해당 알킬기의 탄소수는 나프탈렌환의 고리 형성 탄소수에 포함시키지 않는다. 그 때문에, 알킬기가 치환되어 있는 나프탈렌환의 고리 형성 탄소수는 10이다. 본 명세서에 있어서, 고리 형성 원자수란, 원자가 환상으로 결합한 구조(예컨대, 단환, 축합환 및 환집합)의 화합물(예컨대, 단환 화합물, 축합환 화합물, 가교 화합물, 탄소환 화합물 및 복소환 화합물)의 해당 고리 자체를 구성하는 원자의 수를 나타낸다. 고리를 구성하지 않는 원자(예컨대, 고리를 구성하는 원자의 결합을 종단(終端)하는 수소 원자)나, 해당 고리가 치환기에 의해 치환되는 경우의 치환기에 포함되는 원자는 고리 형성 원자수에는 포함하지 않는다. 이하에 기재하는 「고리 형성 원자수」에 대해서는 별도 기재가 없는 한 동일한 것으로 한다. 예컨대, 피리딘환의 고리 형성 원자수는 6이고, 퀴나졸린환의 고리 형성 원자수는 10이며, 푸란환의 고리 형성 원자수는 5이다. 예컨대, 피리딘환에 결합되어 있는 수소 원자 또는 치환기를 구성하는 원자의 수는, 피리딘환 형성 원자수의 수에 포함시키지 않는다. 그 때문에, 수소 원자 또는 치환기가 결합되어 있는 피리딘환의 고리 형성 원자수는 6이다. 또한, 예컨대 퀴나졸린환의 탄소 원자에 결합되어 있는 수소 원자 또는 치환기를 구성하는 원자에 대해서는, 퀴나졸린환의 고리 형성 원자수의 수에 포함시키지 않는다. 그 때문에, 수소 원자 또는 치환기가 결합되어 있는 퀴나졸린환의 고리 형성 원자수는 10이다. 본 명세서에 있어서, 「치환 혹은 무치환의 탄소수 XX∼YY의 ZZ기」라고 하는 표현에 있어서의 「탄소수 XX∼YY」는, ZZ기가 무치환인 경우의 탄소수를 나타내고, 치환되어 있는 경우의 치환기의 탄소수를 포함시키지 않는다. 여기서, 「YY」는 「XX」보다 크며, 「XX」는 1 이상의 정수를 의미하고, 「YY」는 2 이상의 정수를 의미한다. 본 명세서에 있어서, 「치환 혹은 무치환의 원자수 XX∼YY의 ZZ기」라고 하는 표현에 있어서의 「원자수 XX∼YY」는, ZZ기가 무치환인 경우의 원자수를 나타내며, 치환되어 있는 경우의 치환기의 원자수를 포함시키지 않는다. 여기서, 「YY」는 「XX」보다 크며, 「XX」는 1 이상의 정수를 의미하고, 「YY」는 2 이상의 정수를 의미한다. 본 명세서에 있어서, 무치환의 ZZ기란 「치환 혹은 무치환의 ZZ기」가 「무치환의 ZZ기」인 경우를 나타내고, 치환의 ZZ기란 「치환 혹은 무치환의 ZZ기」가 「치환의 ZZ기」인 경우를 나타낸다. 본 명세서에 있어서, 「치환 혹은 무치환의 ZZ기」라고 하는 경우에 있어서의 「무치환」이란, ZZ기에 있어서의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있지 않다는 것을 의미한다. 「무치환의 ZZ기」에 있어서의 수소 원자는 경수소 원자, 중수소 원자 또는 삼중수소 원자이다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「치환 혹은 무치환의 ZZ기」라고 하는 경우에 있어서의 「치환」이란, ZZ기에 있어서의 하나 이상의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있다는 것을 의미한다. 「AA기로 치환된 BB기」라고 하는 경우에 있어서의 「치환」도 마찬가지로, BB기에 있어서의 하나 이상의 수소 원자가 AA기로 치환되어 있다는 것을 의미한다. 「본 명세서에 기재된 치환기」 이하, 본 명세서에 기재된 치환기에 대해서 설명한다. 본 명세서에 기재된 「무치환의 아릴기」의 고리 형성 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 6∼50이고, 바람직하게는 6∼30, 보다 바람직하게는 6∼18이다. 본 명세서에 기재된 「무치환의 복소환기」의 고리 형성 원자수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 5∼50이고, 바람직하게는 5∼30, 보다 바람직하게는 5∼18이다. 본 명세서에 기재된 「무치환의 알킬기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 1∼50이며, 바람직하게는 1∼20, 보다 바람직하게는 1∼6이다. 본 명세서에 기재된 「무치환의 알케닐기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 2∼50이며, 바람직하게는 2∼20, 보다 바람직하게는 2∼6이다. 본 명세서에 기재된 「무치환의 알키닐기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 2∼50이며, 바람직하게는 2∼20, 보다 바람직하게는 2∼6이다. 본 명세서에 기재된 「무치환의 시클로알킬기」의 고리 형성 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 3∼50이며, 바람직하게는 3∼20, 보다 바람직하게는 3∼6이다. 본 명세서에 기재된 「무치환의 아릴렌기」의 고리 형성 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 6∼50이며, 바람직하게는 6∼30, 보다 바람직하게는 6∼18이다. 본 명세서에 기재된 「무치환의 2가의 복소환기」의 고리 형성 원자수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 5∼50이며, 바람직하게는 5∼30, 보다 바람직하게는 5∼18이다. 본 명세서에 기재된 「무치환의 알킬렌기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 1∼50이며, 바람직하게는 1∼20, 보다 바람직하게는 1∼6이다. ·「치환 혹은 무치환의 아릴기」 본 명세서에 기재된 「치환 혹은 무치환의 아릴기」의 구체예(구체예 군 G1)로는, 이하의 무치환의 아릴기(구체예 군 G1A) 및 치환의 아릴기(구체예 군 G1B) 등을 들 수 있다(여기서, 무치환의 아릴기란 「치환 혹은 무치환의 아릴기」가 「무치환의 아릴기」인 경우를 가리키고, 치환의 아릴기란 「치환 혹은 무치환의 아릴기」가 「치환의 아릴기」인 경우를 가리킨다). 본 명세서에 있어서, 단순히 「아릴기」라고 하는 경우는 「무치환의 아릴기」와 「치환의 아릴기」 양쪽 모두를 포함한다. 「치환의 아릴기」는 「무치환의 아릴기」의 하나 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기를 의미한다. 「치환의 아릴기」로는, 예컨대 하기 구체예 군 G1A의 「무치환의 아릴기」의 하나 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기 및 하기 구체예 군 G1B의 치환의 아릴기의 예 등을 들 수 있다. 또한, 여기에 열거한 「무치환의 아릴기」의 예 및 「치환의 아릴기」의 예는 일례에 불과하며, 본 명세서에 기재된 「치환의 아릴기」에는, 하기 구체예 군 G1B의 「치환의 아릴기」에 있어서의 아릴기 자체의 탄소 원자에 결합하는 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기 및 하기 구체예 군 G1B의 「치환의 아릴기」에 있어서의 치환기의 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기도 포함된다. ·무치환의 아릴기(구체예 군 G1A): 페닐기, p-비페닐기, m-비페닐기, o-비페닐기, p-터페닐-4-일기, p-터페닐-3-일기, p-터페닐-2-일기, m-터페닐-4-일기, m-터페닐-3-일기, m-터페닐-2-일기, o-터페닐-4-일기, o-터페닐-3-일기, o-터페닐-2-일기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 안트릴기, 벤조안트릴기, 페난트릴기, 벤조페난트릴기, 페날레닐기, 피레닐기, 크리세닐기, 벤조크리세닐기, 트리페닐레닐기, 벤조트리페닐레닐기, 테트라세닐기, 펜타세닐기, 플루오레닐기, 9,9'-스피로비플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 플루오란테닐기, 벤조플루오란테닐기, 퍼릴레닐기, 및 하기 일반식 (TEMP-1)∼(TEMP-15)로 표시되는 고리 구조에서 하나의 수소 원자를 제외함으로써 유도되는 1가의 아릴기. ·치환의 아릴기(구체예 군 G1B): o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, 파라-크실릴기, 메타-크실릴기, 오르토-크실릴기, 파라-이소프로필페닐기, 메타-이소프로필페닐기, 오르토-이소프로필페닐기, 파라-t-부틸페닐기, 메타-t-부틸페닐기, 오르토-t-부틸페닐기, 3,4,5-트리메틸페닐기, 9,9-디메틸플루오레닐기, 9,9-디페닐플루오레닐기 9,9-비스(4-메틸페닐)플루오레닐기, 9,9-비스(4-이소프로필페닐)플루오