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KR-102961515-B1 - 헤테로렙틱 트라이아제나이드 금속 착물

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Abstract

본 발명은 화학식 [M(L C )(L T )(L Z )]에 따른 금속 착물에 관한 것이다. 이에 따라 다음이 적용된다: M = 스칸듐, 이트륨, 란타나이드 또는 티타늄; L C = 비치환된, 모노알킬 치환된 또는 폴리알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온; L T = 트라이아제나이드 음이온(R 1 -N 3 -R 2 ) - , 여기서 R 1 및 R 2 는 각각 독립적으로 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 또 다른 선형 알킬기 또는 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬기이고; L Z 는 a) L C 와 독립적으로 L C 에 대해 언급된 기로부터 선택되거나 b) L T 와 독립적으로 L T 에 대해 언급된 기로부터 선택된다. 본 발명의 대상은 또한 기판 표면 상에 적어도 하나의 금속 M으로 이루어지거나 적어도 하나의 금속 M을 포함하는 층을 생산하기 위한 것뿐만 아니라 전자 부품을 생산하기 위한 적어도 하나의 이러한 금속 착물의 용도이다. 더욱이, 본 발명은 적어도 하나의 금속 M으로 이루어지거나 적어도 하나의 금속 M을 포함하는 층을 표면 상에 나타내는 기판에 관한 것으로, 이는 이러한 금속 착물을 사용하여 생산된다.

Inventors

  • 발머 마르쿠스
  • 브리엘 올리버
  • 카피타인 마누엘
  • 헤리치 수잔느 엘리자

Assignees

  • 도크바일러 케미칼스 게엠베하

Dates

Publication Date
20260506
Application Date
20240721
Priority Date
20230721

Claims (10)

  1. 하기 일반식에 따른 금속 착물: [M(L C )(L T )(L Z )](I), 식 중, i. M은 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란타나이드 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 중심 원자이고, ii. L C 는 다음으로부터 선택되는 단일 음이온성 파이-공여체 리간드이고, - 비치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온, - 일반식 R A Cp - 에 따른 모노알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온으로서, R A 는 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬기 및 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되는, 상기 모노알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온, 및 - 일반식 R B R C R D R E R F Cp - 에 따른 폴리알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온으로서, 상기 라디칼 R B , R C , R D , R E 및 R F 는 서로 독립적으로 수소(H), 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬기 및 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되되, 단, 상기 라디칼 R B , R C , R D , R E 및 R F 중 적어도 2개는 수소(H)가 아닌, 상기 폴리알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온; iii. L T 는 일반식 (R 1 -N 3 -R 2 ) - 에 따른 트라이아제나이드 음이온이되, 상기 라디칼 R 1 및 R 2 는 서로 독립적으로 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬기 및 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되고; iv. L Z 는 다음과 같다: a) 단일 음이온성 파이-공여체 리간드 L C 와 독립적으로 다음으로 이루어진 군으로부터 선택되는 단일 음이온성 파이-공여체 리간드, - 비치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온(C 5 H 5 - ), - 일반식 R A Cp - 에 따른 모노알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온으로서, R A 는 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬기 및 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되는, 상기 모노알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온, - 일반식 R B R C R D R E R F Cp - 에 따른 폴리알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온으로서, 상기 라디칼 R B , R C , R D , R E 및 R F 는 서로 독립적으로 수소(H), 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬기 및 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되되, 단, 상기 라디칼 R B , R C , R D , R E 및 R F 중 적어도 2개는 수소(H)가 아닌, 상기 폴리알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온; 또는 b) 일반식 (R 1 -N 3 -R 2 ) - 에 따른 트라이아제나이드 음이온으로서, 상기 라디칼 R 1 및 R 2 는 서로 독립적으로 그리고 트라이아제나이드 음이온 L T 와 독립적으로 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬기 및 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되는, 상기 트라이아제나이드 음이온.
  2. 제1항에 있어서, 상기 란타나이드는, i. La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu; 또는 ii. La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Er, Yb 및 Lu; 또는 iii. La, Ce, Pr, Nd, Eu, Gd, Er, Yb 및 Lu; 또는 iv. La, Ce, Nd, Eu, Er 및 Lu 로 이루어진 군으로부터 선택되는, 금속 착물.
  3. 제1항에 있어서, i. 단일 음이온성 파이-공여체 리간드 L C 는, - 비치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온(C 5 H 5 - ); - 일반식 R A Cp - 에 따른 모노알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온으로서, 라디칼 R A 는 메틸, 에틸, 프로필, 뷰틸, 펜틸 및 이들의 이성질체로 이루어진 군으로부터 선택되는, 상기 모노알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온; - 일반식 R B R C R D R E R F Cp - 에 따른 폴리알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온으로서, 상기 라디칼 R B , R C , R D , R E 및 R F 는 서로 독립적으로 수소(H), 메틸, 에틸, 프로필, 뷰틸, 펜틸 및 이들의 이성질체로 이루어진 군으로부터 선택되되, 단, 상기 라디칼 R B , R C , R D , R E 및 R F 중 적어도 2개는 수소(H)가 아닌, 상기 폴리알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온 으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 그리고/또는 ii. 상기 트라이아제나이드 음이온 L T 의 라디칼 R 1 및 R 2 중 적어도 하나는 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬기 및 3 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되는, 금속 착물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 리간드 L Z 는, a) 단일 음이온성 파이-공여체 리간드로서, 상기 단일 음이온성 파이-공여체 리간드 L Z 는, - 비치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온(C 5 H 5 - ); - 일반식 R A Cp - 에 따른 모노알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온으로서, 상기 라디칼 R A 는 메틸, 에틸, 프로필, 뷰틸, 펜틸 및 이들의 이성질체로 이루어진 군으로부터 선택되는, 상기 모노알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온; - 일반식 R B R C R D R E R F Cp - 에 따른 폴리알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온으로서, 상기 라디칼 R B , R C , R D , R E 및 R F 는 서로 독립적으로 수소(H), 메틸, 에틸, 프로필, 뷰틸, 펜틸 및 이들의 이성질체로 이루어진 군으로부터 선택되되, 단, 상기 라디칼 R B , R C , R D , R E 및 R F 중 적어도 2개는 수소(H)가 아닌, 폴리알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온 으로 이루어진 군으로부터 선택되는, 상기 단일 음이온성 파이-공여체 리간드; 또는 b) 일반식 (R 1 -N 3 -R 2 ) - 에 따른 트라이아제나이드 음이온으로서, 상기 트라이아제나이드 음이온 L Z 의 라디칼 R 1 및 R 2 중 적어도 하나는 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬기 및 3 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되는, 상기 트라이아제나이드 음이온인, 금속 착물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 금속 착물은 다음 특성 중 하나 이상을 나타내는, 금속 착물: i. 상기 트라이아제나이드 음이온 L T 의 상기 라디칼 R 1 및 상기 라디칼 R 2 는 서로 독립적으로 메틸, 에틸, 프로필, 뷰틸, 펜틸 및 이들의 이성질체로 이루어진 군으로부터 선택되고; ii. 상기 트라이아제나이드 음이온 L T 의 상기 라디칼 R 1 및 상기 라디칼 R 2 는 동일하고; iii. L Z 는 단일 음이온성 파이-공여체 리간드이되, 상기 단일 음이온성 파이-공여체 리간드 L C 및 상기 단일 음이온성 파이-공여체 리간드 L Z 는 동일하고; iv. L Z 는 일반식 (R 1 -N 3 -R 2 ) - 에 따른 트라이아제나이드 음이온이되, 상기 트라이아제나이드 음이온 L Z 의 상기 라디칼 R 1 및 상기 라디칼 R 2 는 서로 독립적으로 메틸, 에틸, 프로필, 뷰틸, 펜틸 및 이들의 이성질체로 이루어진 군으로부터 선택되고; v. L Z 는 일반식 (R 1 -N 3 -R 2 ) - 에 따른 트라이아제나이드 음이온이되, 상기 트라이아제나이드 음이온 L Z 의 상기 라디칼 R 1 및 상기 라디칼 R 2 는 동일하고; vi. L Z 는 일반식 (R 1 -N 3 -R 2 ) - 에 따른 트라이아제나이드 음이온이되, 상기 트라이아제나이드 음이온 L T 및 상기 트라이아제나이드 음이온 L Z 는 동일하다.
  6. 제1항에 있어서, 상기 금속 중심 원자 M은 Sc, Y, La, Ce, Nd, Eu, Er, Lu 및 Ti로 이루어진 군으로부터 선택되고, A. 상기 리간드 L Z 는 단일 음이온성 파이-공여체 리간드이되, i. 상기 단일 음이온성 파이-공여체 리간드 L C 또는 상기 단일 음이온성 파이-공여체 리간드 L Z 는 다음으로 이루어진 군으로부터 선택되거나, ii. 상기 단일 음이온성 파이-공여체 리간드 L C 및 상기 단일 음이온성 파이-공여체 리간드 L Z 는 서로 독립적으로 다음으로 이루어진 군으로부터 선택되고, - 비치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온(C 5 H 5 - ); - 일반식 R A Cp - 에 따른 모노알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온으로서, 상기 라디칼 R A 는 메틸, 에틸, n -프로필, 아이소-프로필, n -뷰틸, 아이소-뷰틸, sec -뷰틸 및 tert -뷰틸로 이루어진 군으로부터 선택되는, 상기 모노알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온; - 일반식 R B R C R D R E R F Cp - 에 따른 폴리알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온으로서, 상기 라디칼 R B , R C , R D , R E 및 R F 는 서로 독립적으로 수소(H), 메틸, 에틸, n -프로필, 아이소-프로필, n -뷰틸, 아이소-뷰틸, sec -뷰틸 및 tert -뷰틸로 이루어진 군으로부터 선택되되, 단, 수소(H)가 아닌 상기 라디칼 R B , R C , R D , R E 및 R F 중 적어도 2개는 동일한 것인, 상기 폴리알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온이고; 상기 트라이아제나이드 음이온 L T 의 상기 라디칼 R 1 및 상기 라디칼 R 2 는 서로 독립적으로 메틸, 에틸, 아이소-프로필, 아이소-뷰틸, sec -뷰틸 및 tert -뷰틸로 이루어진 군으로부터 선택되거나; B. 리간드 L Z 는 일반식 (R 1 -N 3 -R 2 ) - 에 따른 트라이아제나이드 음이온이되, i. 상기 2개의 트라이아제나이드 음이온 L T 및 L Z 중 하나의 상기 라디칼 R 1 및 R 2 는 서로 독립적으로 메틸, 에틸, 아이소-프로필, 아이소-뷰틸, sec -뷰틸 및 tert -뷰틸로 이루어진 군으로부터 선택되거나, ii. 상기 트라이아제나이드 음이온 L T 의 상기 라디칼 R 1 및 R 2 와 상기 트라이아제나이드 음이온 L Z 의 상기 라디칼 R 1 및 R 2 는 각각 서로 독립적으로 메틸, 에틸, 아이소-프로필, 아이소-뷰틸, sec -뷰틸 및 tert -뷰틸로 이루어진 군으로부터 선택되고; 상기 단일 음이온성 파이-공여체 리간드 L C 는, - 비치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온(C 5 H 5 - ); - 일반식 R A Cp - 에 따른 모노알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온으로서, 상기 라디칼 R A 는 메틸, 에틸, n -프로필, 아이소-프로필, n -뷰틸, 아이소-뷰틸, sec -뷰틸 및 tert -뷰틸로 이루어진 군으로부터 선택되는, 상기 모노알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온; - 일반식 R B R C R D R E R F Cp - 에 따른 폴리알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온으로서, 상기 라디칼 R B , R C , R D , R E 및 R F 는 서로 독립적으로 수소(H), 메틸, 에틸, n -프로필, 아이소-프로필, n -뷰틸, 아이소-뷰틸, sec -뷰틸 및 tert -뷰틸로 이루어진 군으로부터 선택되되, 단, 수소(H)가 아닌 상기 라디칼 R B , R C , R D , R E 및 R F 중 적어도 2개는 동일한, 상기 폴리알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온 으로 이루어진 군으로부터 선택되는, 금속 착물.
  7. 제1항에 있어서, i. 상기 금속 착물은 분해 없이 증발 가능하거나 분해 없이 승화가능하고, 그리고/또는 ii. 상기 금속 착물의 분자량은 600 g/㏖ 미만인, 금속 착물.
  8. 층을 생산하는 방법으로서, 반도체 기판의 표면 상에, - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 일반식 [M(L C )(L T )(L Z )](I)에 따른 적어도 하나의 금속 착물 또는 - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 일반식 [M(L C )(L T )(L Z )](I)에 따른 적어도 하나의 금속 착물 및 비양성자성 비극성 용매를 포함하는 용액 을 사용하여 i. 스칸듐, 이트륨, 란타나이드 및 티타늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속 M으로 이루어지거나, ii. 스칸듐, 이트륨, 란타나이드 및 티타늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속 M을 포함하는 층을 생산하는 방법으로서, A. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 일반식 [M(L C )(L T )(L Z )](I)에 따른 적어도 하나의 금속 착물, 또는 - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 일반식 [M(L C )(L T )(L Z )](I)의 적어도 하나의 금속 착물 및 비양성자성 비극성 용매를 포함하는 용액 을 제공하는 단계, 및 B. 단계 A에서 제공된 상기 적어도 하나의 금속 착물을 전구체 화합물로 사용하여 상기 기판 표면 상에 i.적어도 하나의 금속 M으로 이루어지거나, ii. 적어도 하나의 금속 M을 포함하는 층을 증착시키는 단계 를 포함하는, 방법.
  9. 전자 반도체 부품을 생산하는 방법으로서, 상기 방법은, - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 일반식 [M(L C )(L T )(L Z )](I)에 따른 적어도 하나의 금속 착물, 또는 - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 일반식 [M(L C )(L T )(L Z )](I)에 따른 적어도 하나의 금속 착물 및 비양성자성 비극성 용매를 포함하는 용액 을 사용하고, A. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 일반식 [M(L C )(L T )(L Z )](I)에 따른 적어도 하나의 금속 착물, 또는 - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 일반식 [M(L C )(L T )(L Z )](I)에 따른 적어도 하나의 금속 착물 및 비양성자성 비극성 용매를 포함하는 용액 을 제공하는 단계, B. 기판 표면 상에, i. 적어도 하나의 금속 M으로 이루어지거나, ii. 적어도 하나의 금속 M을 포함하는 층을 증착시키는 단계, 및 C. 상기 전자 반도체 부품을 완성시키는 단계 를 포함하는, 방법.
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헤테로렙틱 트라이아제나이드 금속 착물 적어도 하나의 질소 함유 리간드를 나타내는 호모렙틱(homoleptic) 및 헤테로렙틱 금속 착물, 이의 제조 방법뿐만 아니라 화학 기상 증착 공정에서 전구체로서 이의 용도가 당업계에 공지되어 있다. 전기기술 분야, 특히 반도체 기술 분야에서, 예를 들어, 란타나이드(III) 산화물, 란타나이드(III) 함유 혼합 산화물 또는 란타나이드(Ln) 함유 III-V 화합물 반도체를 포함하거나 이러한 물질로 이루어진 고순도 층을 생산하는 것이 점점 더 관심의 초점이 되고 있다. 기판의 표면에 이러한 금속층 또는 금속 함유층을 증착시키는 것은, 예를 들어, 금속 유기 화학 기상 증착(metal organic chemical vapour deposition; MOCVD), 원자층 증착(atomic layer deposition; ALD) 또는 금속 유기 화학 기상 에피택시(metal organic chemical vapour phase epitaxy; MOVPE)를 통해 수행될 수 있다. 이 지점과 다음 지점에서, 금속층, 금속 필름, 금속 함유층 또는 금속 함유 필름의 정확한 화학량론을 나타내는 것은 생략된다. 층 및 필름이라는 용어는 동의어로 사용되지만, 이 단어들 중 어느 것도 층 두께 또는 필름 두께에 대한 표시를 포함하지 않는다. US 2014/0335702 A1에는, 일반식 Ln(R1Cp)m(R2-N-C(R4)=N-R2)n에 따른 란타나이드 함유 전구체뿐만 아니라 이러한 전구체를 사용하여 반도체 기판에 란타나이드 함유 필름을 증착시키는 방법이 개시되어 있다. 이에 따라, Ln = Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu이고; R1 및 R2는 서로 독립적으로 H 및 C1-C5 알킬 사슬로 이루어진 군으로부터 선택되고; R4 = H 또는 Me이고; m 및 n은 1 내지 2의 범위이다. 그리고, 각 전구체는 약 105℃ 미만의 녹는점을 갖는다. 실시형태의 예는 전적으로 m = 2 및 n = 1에 대해서만 나타나 있으며, 따라서 각각 2개의 단일치환된 사이클로펜타다이엔일 리간드(여기서, R1 = Me, Et 또는 iPr) 및 하나의 아미디네이트 리간드를 포함하는 Ln(III) 착물에 대해서만 나타나 있다. 제시된 합성 절차는 주로 전구체에 관한 것으로, 각각은 N,N'-다이알킬 치환된 아세트아미디네이트 리간드를 갖되, R1 = R2 = iPr 또는 tBu이고, R4 = Me이다. 각각 N,N'-다이알킬 치환된 폼아미디네이트 리간드를 갖는 착물을 제조하기 위한 추가 절차가 공식화되어 있으며, 여기서 R1 = R2 = iPr이고, R4 = H이다. 1개 또는 2개의 아미디네이트 리간드, 특히 적어도 하나의 아세트아미디네이트 리간드를 갖는 이러한 Ln(III) 착물에서 리간드의 N-C(R4)=N 골격에 포함된 탄소는 바람직하지 않다. 이는 특히 화학 기상 증착 공정에서 전구체로서 이러한 헤테로렙틱 Ln(III) 착물을 사용하는 경우에 적용된다. 이는 생산된 Ln 층 또는 Ln 함유층이 각각 탄소에 의해 오염되어 의도한 대로 사용할 수 없을 가능성이 상당히 존재하기 때문이며, 특히 반도체 분야에서 그렇다. WO 2019/115646 A1은 화학식 R1-N3-R2(여기서, R1 및 R2는 탄화수소 라디칼임)의 적어도 하나의 리간드(L)를 갖는 금속 착물뿐만 아니라 기체상으로부터 금속 또는 금속 화합물을 증착시키기 위한 이의 용도에 관한 것이다. 란타넘족의 경우, 다음 2가지 예가 나타나 있다: [La(tBu-N3-tBu)3](37페이지, 실시예 10 참조) 및 [Ce(tBu-N3-tBu)3](52페이지, 실시예 28 참조). 이러한 호모렙틱 란타나이드(III) 착물은 각각 600 g/㏖(대략 608 g/㏖) 초과의 비교적 높은 분자량을 갖고 있다. 호모렙틱 세륨(III) 착물의 제조는 CeCl3를 Li(tBu-N3-tBu)와 반응시킴으로써 수행되는 반면, 호모렙틱 란타넘(III) 착물은 [La(hmds)3](hmds = 헥사메틸다이실라자이드) 및 tBu-HN3-tBu로부터 출발하여 제조되었다. 열중량 분석에 따르면, 생성물에는 여전히 헥사메틸다이실라자이드의 잔여 흔적이 남아 있었으며; 용융 과정은 103℃의 온도에서 시작되었다(38페이지 참조). 대략 100℃의 용융 온도 및, 특히 600 g/㏖ 초과의 비교적 높은 분자량은 이 란타넘(III) 트라이아제나이드 착물이 비교적 낮은 증기압을 갖고 있다는 가정을 시사한다. 앞서 언급한 특성과 일반적으로 이와 함께 나타나는 낮은 휘발성을 갖는 물질은 화학 기상 증착 공정에서 전구체로 사용하기에 매우 바람직하지 않다(WO 2019/115646 A1의 청구항 21도 참조). 그 이유에는 여러 가지가 있다: 한편으로는, 휘발성이 낮은 물질을 사용하는 경우, 일반적으로 필요한 공정 조건으로 인해 생산된 금속층 또는 금속 함유층의 품질이 많은 최종 응용 분야에 적합하지 않게 된다. 특히, 높은 온도가 필요하므로, 이를 생산하려면 불리하게도 정교하고 비용이 많이 드는 가열 시스템이 필요하다. 추가적인 기계 사용뿐만 아니라 에너지 소비 증가는 공정의 경제적, 생태적 균형에 부정적인 영향을 미친다. [La(tBu-N3-tBu)3]와 같은 호모렙틱 전구체의 열분해의 경우, 예를 들어, 탄소 형태로 반도체층에 기생 불순물이 더 많이 포함될 수 있으며, 이로 인해 층의 품질이 더욱 저하된다. 전술한 내용을 고려할 때, 화학 기상 증착 공정을 위한 기존의 전구체 물질은 생태적 및 (원자) 경제적 양태에서 만족스럽지 못한 것으로 분류된다. 따라서, 본 발명의 목적은 최신 기술의 이러한 단점과 추가적인 단점을 극복하고, 전기 산업, 특히 반도체 산업에 적절한 금속, 즉, 스칸듐, 이트륨, 란타나이드 또는 티타늄을 포함하고 화학 기상 증착 공정을 위한 전구체 물질에 대한 요구 사항을 충족하는 금속 착물을 제공하는 것이다. 특히, 금속 착물은 높은 순도와 비교적 높은 증기압을 특징으로 하여야 하며, 고품질의 금속층 또는 금속 함유층을 생산하기 위한 전구체로서 적합하여야 한다. 또한, 금속 착물은 산업적 규모에서도 가능한 한 간단하고, 효율적이고, 재현 가능하며 비용 효율적으로 높은 순도와 양호한 수율로 생산되어야 한다. 또한, 본 발명은 본 명세서에 제시된 금속 착물 중 적어도 하나를 사용하여 기판 표면 상에 적어도 하나의 금속으로 이루어지거나 적어도 하나의 금속을 포함하는 층을 생산하는 방법에 관한 것이되, 금속은 스칸듐, 이트륨, 란타나이드 또는 티타늄이다. 더욱이, 본 명세서에 제시된 금속 착물 중 적어도 하나를 사용하여 전자 부품을 생산하는 방법이 제공되어야 한다. 이러한 목적은 하기 일반식에 따른 금속 착물에 의해 해결된다: [M(LC)(LT)(LZ)] (I), 식 중, i. M은 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란타나이드 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 중심 원자이고, ii. LC는 다음으로 이루어진 군으로부터 선택되는 단일 음이온성 파이-공여체 리간드이고; - 비치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온(C5H5-), - 일반식 RACp-에 따른 모노알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온으로서, RA는 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬기와 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되는, 상기 모노알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온, 및 - 일반식 RBRCRDRERFCp-에 따른 폴리알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온으로서, 라디칼 RB, RC, RD, RE 및 RF는 서로 독립적으로 수소(H), 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬기 및 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되되, 단, 라디칼 RB, RC, RD, RE 및 RF 중 적어도 2개는 동일하지 않은 수소(H)인, 상기 폴리알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온; iii. LT는 일반식 (R1-N3-R2)-에 따른 트라이아제나이드 음이온이고, 라디칼 R1 및 R2는 서로 독립적으로 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬기 및 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되고; iv. LZ는 다음과 같다: a) 단일 음이온성 파이-공여체 리간드 LC와 독립적으로 다음으로 이루어진 군으로부터 선택되는 단일 음이온성 파이-공여체 리간드, - 비치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온(C5H5-), - 일반식 RACp-에 따른 모노알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온으로서, RA는 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬기 및 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되는, 상기 모노알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온, 및 - 일반식 RBRCRDRERFCp-에 따른 폴리알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온으로서, 라디칼 RB, RC, RD, RE 및 RF는 서로 독립적으로 수소(H), 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬기 및 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되되, 단, 라디칼 RB, RC, RD, RE 및 RF 중 적어도 2개는 동일하지 않은 수소(H)인, 상기 폴리알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온인, 상기 폴리알킬 치환된 사이클로펜타다이에나이드 음이온; 또는 b) 일반식 (R1-N3-R2)-에 따른 트라이아제나이드 음이온으로서, 라디칼 R1 및 R2는 서로 독립적으로 그리고 트라이아제나이드 음이온(LT)와 독립적으로 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 선형 알킬기 및 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되는, 상기 트라이아제나이드 음이온. 일반식 [M(LC)(LT)(LZ)](I)은 단핵 및 다핵 금속 착물을 둘 다 포함한다. 본 발명과 관련하여, 용어 "란타나이드"는 란타넘 및 원자 번호 58 내지 71: 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 홀뮴(Ho), 에르븀(Er)