KR-20260060744-A - IMAGE SENSOR

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Abstract

본 개시는 이미지 센서에 관한 것으로서, 좀더 구체적으로, 구조를 개선한 이미지 센서에 관한 것이다. 실시예에 따른 이미지 센서는, 서로 반대되는 제1 면 및 제2 면을 가지는 기판과, 기판에 위치하는 광전 변환부와, 기판의 제1 면 쪽에 위치하는 픽셀 회로와, 기판의 적어도 일부를 관통하며 광전 변환부가 위치하는 영역을 정의하는 분리 부분을 포함하는 분리 패턴을 포함한다. 픽셀 회로가, 제1 전송 트랜지스터 및 제2 전송 트랜지스터를 포함하는 제1 트랜지스터를 포함한다. 기판의 제1 면에 위치한 기판의 활성 영역이 제1 활성 영역을 포함한다. 제1 활성 영역은, 제1 전송 트랜지스터가 위치하는 제1 활성 부분과, 제2 전송 트랜지스터가 위치하는 제2 활성 부분과, 제1 활성 부분과 제2 활성 부분을 분리 부분과 경사진 제1 대각선 방향으로 연결하는 연결 활성 부분을 포함한다.

Inventors

김지훈
최성수
이호정

Assignees

삼성전자주식회사

Dates

Publication Date: 20260506
Application Date: 20241025

Claims (20)

서로 반대되는 제1 면 및 제2 면을 가지는 기판; 상기 기판에 위치하는 광전 변환부; 상기 기판의 상기 제1 면 쪽에 위치하는 픽셀 회로; 및 상기 기판의 적어도 일부를 관통하며, 상기 광전 변환부가 위치하는 영역을 정의하는 분리 부분을 포함하는 분리 패턴 을 포함하고, 상기 픽셀 회로가, 제1 전송 트랜지스터 및 제2 전송 트랜지스터를 포함하는 제1 트랜지스터를 포함하고, 상기 기판의 상기 제1 면에 위치한 상기 기판의 활성 영역이, 상기 제1 전송 트랜지스터가 위치하는 제1 활성 부분과, 상기 제2 전송 트랜지스터가 위치하는 제2 활성 부분과, 상기 제1 활성 부분과 상기 제2 활성 부분을 상기 분리 부분과 경사진 제1 대각선 방향으로 연결하는 연결 활성 부분을 포함하는 제1 활성 영역을 포함하는 이미지 센서.
제1항에 있어서, 상기 광전 변환부 및 상기 픽셀 회로를 포함하는 픽셀 영역을 포함하고, 상기 제1 활성 영역 또는 상기 픽셀 회로가, 상기 픽셀 영역에서 점대칭 형상을 가지고, 상기 분리 부분의 연장 방향에서 비대칭 형상을 가지는 이미지 센서.
제1항에 있어서, 상기 광전 변환부가, 상기 제1 대각선 방향과 경사진 제1 방향에서 제1 측에 위치하는 제1 변환 부분 및 상기 제1 측과 반대되는 제2 측에 위치하는 제2 변환 부분을 포함하고, 상기 제1 및 제2 변환 부분이 상기 제1 대각선 방향과 경사지고 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 이미지 센서.
제1항에 있어서, 상기 광전 변환부가, 상기 제1 대각선 방향과 경사진 제1 방향에서 제1 측에 위치하는 제1 변환 부분 및 상기 제1 측과 반대되는 제2 측에 위치하는 제2 변환 부분을 포함하고, 평면으로 볼 때, 상기 제1 전송 트랜지스터가 상기 제1 변환 부분에 중첩한 위치에서 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서의 제3 측에 위치하고, 상기 제2 전송 트랜지스터가 상기 제2 변환 부분에 중첩한 위치에서 상기 제3 측과 반대되는 상기 제2 방향에서의 제4 측에 위치하는 이미지 센서.
제1항에 있어서, 상기 연결 활성 부분이 상기 제1 대각선 방향으로 길게 연장되는 라인 형상을 가지는 이미지 센서.
제1항에 있어서, 평면으로 볼 때 상기 연결 활성 부분의 중심 부분에 플로팅 확산 영역이 위치하고, 평면에서 볼 때 상기 제1 활성 부분과 상기 제2 활성 부분이 상기 플로팅 확산 영역을 중심으로 하는 점대칭 형상을 가지는 이미지 센서.
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 활성 부분이 각기 상기 연결 활성 부분보다 큰 폭을 가지고, 상기 제1 및 제2 전송 트랜지스터가 각기 듀얼 수직형 전송 게이트(dual vertical transfer gate, dual VTG) 구조를 가지는 이미지 센서.
제1항에 있어서, 상기 픽셀 회로가, 상기 제1 트랜지스터와 다른 단면 형상을 가지는 제2 및 제3 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2 트랜지스터가 상기 제1 대각선 방향과 교차하는 제2 대각선 방향에서 상기 제1 활성 영역의 일측에 위치하고, 상기 제3 트랜지스터가 상기 제2 대각선 방향에서 상기 제1 활성 영역의 타측에 위치하는 이미지 센서.
제1항에 있어서, 상기 픽셀 회로가, 상기 제1 트랜지스터와 다른 단면 형상을 가지는 제2 및 제3 트랜지스터를 포함하고, 상기 활성 영역이, 상기 제2 트랜지스터가 위치하는 제2 활성 영역과, 상기 제3 트랜지스터가 위치하는 제3 활성 영역을 더 포함하고, 상기 제2 활성 영역이 상기 제1 대각선 방향과 교차하는 제2 대각선 방향에서 상기 제1 활성 영역의 일측에 위치하고, 상기 제3 활성 영역이 상기 제2 대각선 방향에서 상기 제1 활성 영역의 타측에 위치하는 이미지 센서.
제1항에 있어서, 상기 광전 변환부가, 상기 제1 대각선 방향과 경사진 제1 방향에서 제1 측에 위치하는 제1 변환 부분 및 상기 제1 측과 반대되는 제2 측에 위치하는 제2 변환 부분을 포함하고, 상기 분리 패턴이, 상기 제1 변환 부분과 상기 제2 변환 부분 사이로 연장되며 서로 이격되는 제1 및 제2 내부 부분을 포함하고, 상기 픽셀 회로가, 상기 제1 트랜지스터와 다른 단면 형상을 가지는 제2 및 제3 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 방향에서 상기 제1 전송 트랜지스터와 상기 제2 트랜지스터가 상기 제1 내부 부분을 사이에 두고 상기 제1 내부 부분의 양측에 위치하고, 상기 제1 방향에서 상기 제2 전송 트랜지스터와 상기 제3 트랜지스터가 상기 제2 내부 부분을 사이에 두고 상기 제2 내부 부분의 양측에 위치하는 이미지 센서.
제1항에 있어서, 상기 광전 변환부가, 상기 제1 대각선 방향과 경사진 제1 방향에서 제1 측에 위치하는 제1 변환 부분 및 상기 제1 측과 반대되는 제2 측에 위치하는 제2 변환 부분을 포함하고, 상기 분리 패턴이, 상기 제1 변환 부분과 상기 제2 변환 부분 사이로 연장되며 서로 이격되는 제1 및 제2 내부 부분을 포함하고, 평면에서 볼 때, 상기 제1 내부 부분 및 상기 제1 활성 부분이, 상기 제2 내부 부분 및 상기 제2 활성 부분과 점대칭 배치를 가지는 이미지 센서.
제1항에 있어서, 상기 제1 대각선 방향과 경사진 제1 방향에서 이웃하는 제1 및 제2 픽셀 영역과, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 상기 제1 및 제2 픽셀 영역과 각기 이웃하는 제3 및 제4 픽셀 영역을 포함하고, 상기 제1 내지 제4 픽셀 영역 중 두 개의 픽셀 영역에 각기 포함되는 상기 제1 활성 영역이 서로 대칭되는 배치를 가지거나 서로 동일한 배치를 가지는 이미지 센서.
제1항에 있어서, 상기 제1 대각선 방향과 경사진 제1 방향에서 이웃하는 제1 및 제2 픽셀 영역과, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 상기 제1 및 제2 픽셀 영역과 각기 이웃하는 제3 및 제4 픽셀 영역을 포함하는 복수의 픽셀 영역을 포함하고, 상기 분리 패턴이 상기 픽셀 영역의 내부로 연장되며 이격부를 사이에 두고 서로 대향하는 제1 및 제2 내부 부분을 포함하고, 상기 제1 내지 제4 픽셀 영역 중 적어도 하나에서 상기 제1 및 제2 내부 부분이 상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 내지 제4 픽셀 영역 중 적어도 다른 하나에서 상기 제1 및 제2 내부 부분이 상기 제2 방향으로 연장되는 이미지 센서.
서로 반대되는 제1 면 및 제2 면을 가지는 기판; 상기 기판에 위치하는 광전 변환부; 상기 기판의 상기 제1 면 쪽에 위치하는 픽셀 회로; 및 상기 기판의 적어도 일부를 관통하는 분리 패턴 을 포함하고, 상기 광전 변환부가, 제1 방향에서 제1 측에 위치하는 제1 변환 부분 및 상기 제1 측과 반대되는 제2 측에 위치하는 제2 변환 부분을 포함하고, 상기 픽셀 회로가, 상기 제1 변환 부분에 전기적으로 연결되며 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 제3 측에 위치하는 제1 전송 트랜지스터와, 상기 제2 변환 부분에 전기적으로 연결되며 상기 제2 방향에서 상기 제3 측과 반대되는 제4 측에 위치하는 제2 전송 트랜지스터를 포함하는 제1 트랜지스터를 포함하는 이미지 센서.
제14항에 있어서, 상기 광전 변환부 및 상기 픽셀 회로를 포함하는 픽셀 영역을 포함하고, 상기 제1 전송 트랜지스터와 상기 제2 전송 트랜지스터가, 상기 픽셀 영역에서 점대칭 형상을 가지고, 상기 제1 방향 또는 상기 제2 방향에서 비대칭 형상을 가지는 이미지 센서.
제14항에 있어서, 상기 픽셀 회로가, 상기 제1 트랜지스터와 다른 단면 형상을 가지는 제2 및 제3 트랜지스터를 포함하고, 평면으로 볼 때, 상기 제2 트랜지스터가 상기 제1 변환 부분에 중첩한 위치에서 상기 제2 방향에서의 상기 제4 측에 위치하고, 상기 제3 트랜지스터가 상기 제2 변환 부분에 중첩한 위치에서 상기 제2 방향에서의 상기 제3 측에 위치하는 이미지 센서.
제14항에 있어서, 상기 기판의 상기 제1 면 쪽에 위치한 상기 기판의 활성 영역에 플로팅 확산 영역이 위치하고, 상기 픽셀 회로가, 상기 제1 트랜지스터와 다른 단면 형상을 가지는 제2 트랜지스터와, 상기 제2 트랜지스터의 게이트 전극으로부터 평면 상에서 연장되어 상기 플로팅 확산 영역에 전기적으로 연결되는 연결 배선을 더 포함하는 이미지 센서.
서로 반대되는 제1 면 및 제2 면을 가지는 기판; 상기 기판에 위치하는 광전 변환부 및 상기 기판의 상기 제1 면 쪽에 위치하는 픽셀 회로를 각기 포함하는 복수의 픽셀 영역; 및 상기 기판의 적어도 일부를 관통하며, 상기 광전 변환부가 위치하는 영역을 정의하는 분리 부분을 포함하는 분리 패턴 을 포함하고, 상기 광전 변환부가, 제1 방향에서 제1 측에 위치하는 제1 변환 부분 및 상기 제1 측과 반대되는 제2 측에 위치하는 제2 변환 부분을 포함하고, 상기 픽셀 회로가, 상기 픽셀 영역에서 점대칭 형상을 가지고, 상기 제1 방향에서 비대칭 형상을 가지는 이미지 센서.
제18항에 있어서, 상기 픽셀 회로가, 제1 전송 트랜지스터 및 제2 전송 트랜지스터를 포함하는 제1 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 전송 트랜지스터 및 상기 제2 전송 트랜지스터가 상기 제1 방향과 경사진 제1 대각선 방향에서의 양측에 각기 위치하는 이미지 센서.
제19항에 있어서, 상기 픽셀 회로가, 상기 제1 트랜지스터와 다른 단면 형상을 가지는 제2 및 제3 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2 트랜지스터와 상기 제3 트랜지스터가 상기 제1 방향과 경사지며 상기 제1 대각선 방향과 교차하는 제2 대각선 방향에서의 양측에 각기 위치하는 이미지 센서.

Description

이미지 센서{IMAGE SENSOR} 본 개시는 이미지 센서에 관한 것으로서, 좀더 구체적으로, 구조를 개선한 이미지 센서에 관한 것이다. 이미지 센서는 광학 영상을 전기 신호로 변환하는 반도체 소자이다. 이미지 센서는, 실리콘 반도체를 기반으로 한 전하 결합 소자(charge coupled device, CCD)형 이미지 센서와, 상보성 금속 산화물 반도체(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)형 이미지 센서(CIS)로 분류될 수 있다. 이 중에서 CMOS형 이미지 센서는 구동 방식이 단순하고 신호 처리 회로를 단일 칩에 집적할 수 있어 소형화가 가능하며 전력 소모가 낮아 배터리 용량이 제한적인 제품에도 적용될 수 있다. 전자 산업의 발전에 따라 CMOS형 이미지 센서의 성능을 향상하기 위한 다양한 연구가 계속되고 있다. 도 1은 이미지 센서의 일 예를 개략적으로 도시한 블록도이다. 도 2는 도 1에 도시한 이미지 센서에 포함되는 픽셀 어레이의 회로도이다. 도 3은 일 실시예에 따른 이미지 센서의 일부를 도시한 부분 단면도이다. 도 4는 도 3에 도시한 이미지 센서의 복수의 픽셀 영역을 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 5는 도 4에 도시한 복수의 픽셀 영역 중 하나의 픽셀 영역을 도시한 평면도이다. 도 6은 도 5의 C-C’ 선을 따라 잘라서 본 단면도이다. 도 7은 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 복수의 픽셀 영역을 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 8은 또 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 복수의 픽셀 영역을 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 9는 또 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 복수의 픽셀 영역을 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 10은 또 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 복수의 픽셀 영역을 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 11은 또 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 복수의 픽셀 영역을 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 12는 또 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 복수의 픽셀 영역을 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 13은 또 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 픽셀 영역을 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 14는 또 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 픽셀 영역을 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 15는 또 다른 실시예에 따른 이미지 센서의 일부를 도시한 부분 단면도이다. 이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 다양한 실시예에 대하여 본 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 실시예는 다양한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 본 개시를 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용한다. 또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위하여 임의로 도시한 것으로, 본 개시가 도면에 한정되는 것은 아니다. 설명의 편의 및/또는 간단한 도시를 위하여 일부 층 및 영역의 두께를 확대하거나 과장되게 표현하였다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다. 또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서, "평면상" 또는 "평면으로 볼 때"는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상" 또는 "단면으로 볼 때"는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미할 수 있다. 이하에서는 도 1 내지 도 6을 참조하여 일 실시예에 따른 이미지 센서를 상세하게 설명한다. 도 1은 이미지 센서(10)의 일 예를 개략적으로 도시한 블록도이다. 도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 이미지 센서(10)는, 픽셀 어레이(10a)와, 픽셀 어레이(10a)를 제어하는 로직 회로(20)를 포함할 수 있다. 로직 회로(20)는 픽셀 어레이(10a)를 제어하기 위한 회로로서, 예를 들어, 컨트롤러(22), 타이밍 생성기(24), 로우 드라이버(26a), 리드아웃 회로(26b), 램프 신호 생성기(26c) 및 데이터 버퍼(28)를 포함할 수 있다. 그리고 이미지 센서(10)가 이미지 신호 처리기(30)를 더 포함할 수 있다. 실시예에 따라 이미지 신호 처리기(30)는 이미지 센서(10)의 외부에 위치될 수도 있다. 이미지 센서(10)는 외부에서 수신한 광을 전기 신호로 변환하여 이미지 신호를 생성할 수 있고, 이미지 센서(10)에서 생성된 이미지 신호는 이미지 신호 처리기(30)에 제공될 수 있다. 이미지 센서(10)는 이미지 또는 광 센싱 기능을 갖는 전자 장치에 탑재될 수 있다. 예를 들어, 이미지 센서(10)는 카메라, 스마트폰, 웨어러블 기기, 사물 인터넷(Internet of Things, IoT) 기기, 가전 기기, 태블릿(tablet), 개인 정보 단말기(personal digital assistant, PDA), 휴대용 멀티미디어 재생장치(portable multimedia player, PMP), 내비게이션(navigation), 드론(drone), 또는 첨단 운전자 보조 시스템(advanced drivers assistance system, ADAS)과 같은 전자 장치에 탑재될 수 있다. 또는 이미지 센서(10)는 차량, 가구, 제조 설비, 도어, 또는 각종 계측 기기에 부품으로 구비되는 전자 장치에 탑재될 수 있다. 픽셀 어레이(10a)는 복수의 픽셀 영역(PX), 그리고 복수의 픽셀 영역(PX)에 각각 연결되는 복수의 로우 라인(RL) 및 복수의 컬럼 라인(CL)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 각 픽셀 영역(PX)은 적어도 하나의 광전 변환 소자를 포함할 수 있다. 광전 변환 소자는 입사되는 광을 감지하고, 입사된 광을 광량에 따른 전기 신호, 즉 복수의 아날로그 픽셀 신호로 변환할 수 있다. 광전 변환 소자는 포토 다이오드, 포토 트랜지스터, 포토 게이트, 또는 핀드 포토 다이오드(pinned photo diode, PPD)일 수 있다. 또는, 광전 변환 소자가 3D 센서 픽셀에 적용되는 단일 광자 애벌란시 다이오드(single-photon avalanche diode, SPAD)일 수 있다. 광전 변환 소자로부터 출력되는 아날로그 픽셀 신호의 레벨은 각 픽셀 영역(PX)에 제공되는 광의 양 또는 광전 변환 소자로부터 출력되는 전하의 양에 비례할 수 있다. 복수의 로우 라인(RL)은 일 방향으로 연장되어 일 방향을 따라 배치된 복수의 픽셀 영역(PX)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 로우 드라이버(26a)로부터 로우 라인(RL)으로 출력되는 제어 신호가 해당 로우 라인(RL)에 연결된 복수의 픽셀 영역(PX)의 트랜지스터의 게이트에 전달될 수 있다. 컬럼 라인(CL)은 일 방향과 교차하는 방향으로 연장되며 일 방향과 교차하는 방향을 따라 배치된 복수의 픽셀 영역(PX)에 연결될 수 있다. 복수의 픽셀 영역(PX)으로부터 출력되는 복수의 픽셀 신호는 복수의 컬럼 라인(CL)을 통해 리드아웃 회로(26b)에 전달될 수 있다. 일 실시예에서, 복수의 픽셀 영역(PX)이 복수의 열 및/또는 복수의 행의 형태로 묶여서 하나의 단위 픽셀 그룹을 구성할 수도 있다. 즉, 로우 라인(RL)의 연장 방향으로 배치된 복수의 픽셀 및/또는 컬럼 라인(CL)의 연장 방향으로 배치된 복수의 픽셀 영역(PX)이 하나의 단위 픽셀 그룹을 구성할 수 있다. 예를 들어, 하나의 단위 픽셀 그룹은 두 개의 열 및/또는 두 개의 행의 형태로 배열된 복수의 픽셀 영역(PX)을 포함하고, 하나의 단위 픽셀 그룹이 하나의 픽셀 신호를 출력할 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 변형이 가능하다. 다른 예로, 하나의 픽셀 영역(PX)이 하나의 단위 픽셀 그룹을 구성할 수도 있다. 실시예에 따라, 각 픽셀 영역(PX)은 광전 변환 소자가 생성한 전하를 처리하여 전기 신호를 출력하는 픽셀 회로를 포함할 수 있다. 픽셀 회로는 전송 트랜지스터, 리셋 트랜지스터, 선택 트랜지스터, 구동 트랜지스터 등을 포함할 수 있다. 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 픽셀 회로가 다양한 구조를 가질 수 있다. 컨트롤러(22)는 이미지 센서(10)에 포함되는 타이밍 생성기(24), 로우 드라이버(26a), 리드아웃 회로(26b), 램프 신호 생성기(26c), 데이터 버퍼(28) 등을 전반적으로 제어할 수 있다. 예를 들어, 컨트롤러(22)가 제어 신호를 이용하여 동작 타이밍을 제어할 수 있다. 일 실시예에서 컨트롤러(22)는 애플리케이션 프로세서로부터 촬상 모드를 지시하는 모드 신호를 수신하고, 수신한 모드 신호에 기초하여 이미지 센서(10)를 전반적으로 제어할 수 있다. 타이밍 생성기(24)는 이미지 센서(10)의 동작 타이밍의 기준이 되는 신호를 생성할 수 있다. 타이밍 생성기(24)는 로우 드라이버(26a), 리드아웃 회로(26b), 및 램프 신호 생성기(26c)의 타이밍을 제어하는 제어 신호를 제공할 수 있다. 로우 드라이버(26a)는 타이밍 생성기(24)의 제어 신호에 응답하여 픽셀 어레이(10a)를 구동하기 위한 제어 신호를 생성하고, 복수의 로우 라인(RL)을 통해 픽셀 어레이(10a)의 복수의 픽셀 영역(PX)에 제어 신호를 제공할 수 있다. 예를 들어, 로우 드라이버(26a)는 전송 트랜지스터를 제어하는 전송 신호, 리셋 트랜지스터를 제어하는 리셋 제어 신호, 선택 트랜지스터를 제어하는 선택 제어 신호 등을 생성하여 픽셀 어레이(10a)에 제공할 수 있다. 리드아웃 회로(26b)는 대응하는 컬럼 라인(C