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KR-20260062020-A - ARYL METHYLIDENE FLUORENE RESIN, RESIN COMPOSITION, CURED PRODUCT, PREPREG, CIRCUIT BOARD, SEMICONDUCTOR ENCAPSULANT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

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Abstract

본 발명의 과제는, 가공성 및 저유전정접을 양립할 수 있고, 또한, 내열성 및 흡수 후의 저유전정접이 우수한 경화물을 얻을 수 있는 아릴메틸리덴플루오렌 수지, 이러한 아릴메틸리덴플루오렌 수지를 포함하는 수지 조성물, 및 당해 수지 조성물의 경화물을 제공하는 것이다. 상기 과제의 해결 수단은, 일반식(1)으로 표시되는 아릴메틸리덴플루오렌 수지이다.

Inventors

  • 모로후지 다츠야
  • 하자마 마사키

Assignees

  • 디아이씨 가부시끼가이샤

Dates

Publication Date
20260506
Application Date
20250718
Priority Date
20241028

Claims (12)

  1. 하기 일반식(1)으로 표시되는 아릴메틸리덴플루오렌 수지. (상기 일반식(1) 중, R 11a 및 R 11b 는, 각각 독립하여, 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 아릴기, 비닐기, 프로페닐기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 스티릴기, 스티릴메틸기, R 14 O기, R 14 2 N기, COR 14 기, 또는 COOR 14 기를 나타내고, R 12a 및 R 12b 는, 각각 독립하여, 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 아릴기, 비닐기, 프로페닐기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 스티릴기, 스티릴메틸기, R 14 O기, R 14 2 N기, COR 14 기, 또는 COOR 14 기를 나타내며, 이 때, R 14 는, 각각 독립하여, 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 비닐기를 나타내고, 단, R 11a 및 R 12a 의 적어도 한쪽은 아릴기이고, 또한, R 11b 및 R 12b 의 적어도 한쪽은 아릴기이며, R 13a 및 R 13b 는, 각각 독립하여, 할로겐 원자, 알킬기, 알콕시기, 아릴기, 아랄킬기 또는 비닐기를 나타내고, p는, 0∼6의 정수이며, q는, 0∼7의 정수이고, n은, 0.1∼100을 나타내며, L은, 연결기이다)
  2. 제1항에 있어서, 상기 일반식(1) 중의 L은, 각각 독립하여, 하기 일반식(2), 일반식(3), 일반식(4), 또는 일반식(5)으로 표시되는 기인, 아릴메틸리덴플루오렌 수지. (상기 일반식(2), 일반식(3), 일반식(4), 및 일반식(5) 중, R 20 는, 각각 독립하여, 할로겐 원자, 알킬기, 알콕시기, 또는 비닐기를 나타내고, R 21 은, 각각 독립하여, 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 알콕시기, 아릴기, 또는 비닐기를 나타내며, r 및 s는, 각각 독립하여, 0∼4의 정수를 나타내고, *는, 탄소 원자와 결합하는 결합수를 나타낸다)
  3. 제1항에 있어서, 상기 일반식(1) 중의 L이, 하기 일반식(2)으로 표시되는 기인, 아릴메틸리덴플루오렌 수지. (일반식(2) 중, R 21 은, 각각 독립하여, 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 알콕시기, 아릴기, 또는 비닐기를 나타내고, *는, 탄소 원자와 결합하는 결합수를 나타낸다)
  4. 제1항에 있어서, 상기 일반식(1) 중의, R 11a 및 R 12a 의 적어도 한 쪽이, 탄소 원자수 6∼10의 아릴기이고, 또한, 상기 일반식(1) 중의, R 11b 및 R 12b 의 적어도 한 쪽이, 탄소 원자수 6∼10의 아릴기인, 아릴메틸리덴플루오렌 수지.
  5. 제1항에 있어서, 수평균분자량이, 300 이상 50000 이하인, 아릴메틸리덴플루오렌 수지.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 아릴메틸리덴플루오렌 수지를 포함하는, 수지 조성물.
  7. 제6항에 있어서, 추가로, 말레이미드 수지를 포함하는, 수지 조성물.
  8. 제6항에 기재된 수지 조성물의 경화물.
  9. 보강 기재와, 상기 보강 기재에 함침한 제6항에 기재된 수지 조성물의 반경화물을 갖는, 프리프레그.
  10. 제8항에 기재된 경화물을 포함하는, 회로 기판.
  11. 제6항에 기재된 수지 조성물을 포함하는, 반도체 봉지재.
  12. 제11항에 기재된 반도체 봉지재의 경화물을 포함하는, 반도체 장치.

Description

아릴메틸리덴플루오렌 수지, 수지 조성물, 경화물, 프리프레그, 회로 기판, 반도체 봉지재, 및 반도체 장치{ARYL METHYLIDENE FLUORENE RESIN, RESIN COMPOSITION, CURED PRODUCT, PREPREG, CIRCUIT BOARD, SEMICONDUCTOR ENCAPSULANT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE} 본 개시는, 아릴메틸리덴플루오렌 수지, 수지 조성물, 경화물, 프리프레그, 회로 기판, 반도체 봉지재, 및 반도체 장치에 관한 것이다. 종래, 전자기기용의 회로 기판 재료로서, 유리 클로쓰에, 에폭시 수지계나 BT(비스말레이미드-트리아진) 수지계 등의 열경화성 수지를 함침, 및 가열 건조하여 얻어지는 프리프레그, 당해 프리프레그를 가열경화한 적층판, 당해 적층판과 당해 프리프레그를 조합하고, 가열경화한 다층판이 널리 사용되고 있다. 또한 최근, 신호의 고속화, 고주파수화가 진행하고, 이들 환경 하에서 충분히 낮은 유전율 및 낮은 유전정접, 그리고 고내열성을 발현하는 경화물을 부여하는 열경화성 수지 조성물의 제공이 요망되고 있다. 이들 요구에 대하여, 예를 들면, 하기 특허문헌 1에서는, 유전정접이 비교적 낮은, 시클로펜타디엔 구조를 갖는 경화성 수지 혼합물 및 경화성 수지 조성물이 개시되어 있으며, 경화성 수지 조성물이 경화제로서 말레이미드 수지를 포함할 수 있는 것이 기재되어 있다. [도 1] 도 1은, 합성예 1의 플루오렌 수지(A-1)의 GPC 차트를 나타낸다. [도 2] 도 2는, 합성예 1의 플루오렌 수지(A-1)의 1H-NMR 스펙트럼을 나타낸다. [도 3] 도 3은, 실시예 1의 아릴메틸리덴플루오렌 수지(B-1)의 GPC 차트를 나타낸다. [도 4] 도 4는, 실시예 1의 아릴메틸리덴플루오렌 수지(B-1)의 1H-NMR 스펙트럼을 나타낸다. [도 5] 도 5는, 실시예 2의 아릴메틸리덴플루오렌 수지(B-2)의 GPC 차트를 나타낸다. [도 6] 도 6은, 실시예 2의 아릴메틸리덴플루오렌 수지(B-2)의 1H-NMR 스펙트럼을 나타낸다. [도 7] 도 7은, 실시예 3의 아릴메틸리덴플루오렌 수지(B-3)의 GPC 차트를 나타낸다. [도 8] 도 8은, 실시예 3의 아릴메틸리덴플루오렌 수지(B-3)의 1H-NMR 스펙트럼을 나타낸다. 이하에, 본 개시의 실시의 형태(「본 실시형태」로 칭한다)에 관하여 상세히 설명하지만, 본 개시는 이하의 기재에 한정되는 것은 아니며, 그 요지의 범위 내에서 각종 변형을 하여 실시할 수 있다. ＜용어＞ 본 명세서에서 특단의 기재가 없는 한, 이하의 용어를 적용할 수 있다. 본 명세서에서의 「반응 원료」란, 결합 또는 분해와 같은 화학 반응에 의해 목적의 화합물을 얻기 위해 사용되며, 목적의 화합물의 화학 구조를 부분적으로 구성하는 화합물을 말하며, 용매, 촉매와 같은, 화학 반응의 조제(助劑)의 역할을 담당하는 물질은 제외된다. 본 명세서에서의 「구조 단위」란, 반응 또는 중합 시에 형성되는 화학 구조의 단위를 말하며, 환언하면, 반응 또는 중합에 의해 형성되는 생성 화합물에 있어서, 당해 반응 또는 중합에 관여하는 화학 결합의 구조 이외의 부분 구조를 말하며, 소위 잔기를 말한다. 또한, 중합의 경우는 반복 단위라고도 칭한다. 본 명세서에서의 「방향족기」는, 탄소 원자수 3∼30의 방향족 환을 갖는 것이 바람직하고, 탄소 원자수 4∼26의 방향족 환을 갖는 것이 보다 바람직하다. 그리고, 본 명세서에서의 「방향족기」는, 당해 방향족기 중의 방향족 환의 수소 원자가, 치환기, 예를 들면, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기 또는 할로겐 원자로 치환되어도 된다. 또한, 「방향족기」는, 복소방향족을 포함하며, 「방향족기」 중의 -CH2- 또는 -CH＝가 서로 인접하지 않도록, -O-, -S- 또는 -N＝로 치환되어도 된다. 당해 방향족 환의 종류는, 예를 들면, 단환 방향족 환, 축환 방향족 환 또는 환집합 방향족 환 등을 들 수 있다. 상기 단환 방향족 환으로서는, 예를 들면, 벤젠, 퓨란, 피롤, 티오펜, 이미다졸, 피라졸, 옥사졸, 이속사졸, 티아졸, 이소티아졸, 피리딘, 피리미딘, 피리다진, 피라진, 트리아진 등을 들 수 있다. 상기 축환 방향족 환으로서는, 예를 들면, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 프탈라진, 프테리딘(pteridine), 쿠마린, 인돌, 벤즈이미다졸, 벤조퓨란, 아크리딘 등을 들 수 있다. 상기 환집합 방향족 환으로서는, 예를 들면, 비페닐(biphenyl), 비나프탈렌, 비피리딘, 비티오펜, 페닐피리딘, 페닐티오펜, 터페닐(terphenyl), 디페닐티오펜, 쿼터페닐(quaterphenyl) 등을 들 수 있다. 또한, 당해 방향족기 중의 방향족 환의 수소 원자가, 예를 들면, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기 또는 할로겐 원자로 치환되어도 된다. 또한, 1가의 방향족기란, 「방향족기」 중의 수소 원자를 1개 제외한 기를 말한다. 본 명세서에서의 「알킬기」는, 직쇄상, 분기상 또는 환상의 어느 것이어도 되고, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, tert-펜틸기, 네오펜틸기, 1,2-디메틸프로필기, n-헥실기, 이소헥실기, (n-)헵틸기, (n-)옥틸기, (n-)노닐기, (n-)데실기, (n-)운데실기, (n-)도데실기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로노닐기, 시클로데실기, 노르보르닐기 또는 아다만틸기를 들 수 있다. 본 명세서에서의 「시클로알킬기」는, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로노닐기, 시클로데실기, 노르보르닐기 또는 아다만틸기 등을 들 수 있다. 본 명세서에서의 「알킬티오기」는, 메틸티오기, 에틸티오기, 프로필티오기, 부틸티오기, 옥틸티오기 또는 2-에틸헥실티오기를 들 수 있다. 본 명세서에서의 「알케닐기」는, 에티닐기, 1-프로피닐기, 2-프로피닐기, 2-부티닐기, 펜티닐기, 헥시닐기, 비닐기, 알릴기 또는 이소프로페닐기 등을 들 수 있다. 또한, 「알케닐렌기」는, 상기 「알케닐기」로부터 임의의 수소 원자를 1개 제외한 2가의 기를 들 수 있다. 본 명세서에서의 「알콕시기」는, 예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 2-에틸헥실옥시기, 옥틸옥시기 또는 노닐옥시기 등을 들 수 있다. 본 명세서에서의 「아릴기」는, 예를 들면, 페닐기, 톨릴기, 메틸페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기 등의 나프틸기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트릴기, 아줄레닐기, 인데닐기, 인다닐기, 테트랄리닐기(tetralinyl group) 등을 들 수 있다. 또한, 당해 「아릴기」는, 당해 아릴기 중의 방향족 환의 수소 원자가, 예를 들면, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기 또는 할로겐 원자로 치환되어도 된다. 본 명세서에서의 「아랄킬기」로서는, 예를 들면, 벤질기, 1-페닐에틸기, 2-페닐에틸기, 디페닐메틸기, 비페닐기, 나프틸메틸기 등을 들 수 있다. 당해 아랄킬기 중의 방향족 환의 수소 원자가, 예를 들면, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기 또는 할로겐 원자로 치환되어도 된다. 본 명세서에서의 「아릴옥시기」는, 페녹시기, 나프틸옥시기, 안트릴옥시기, 페난트릴옥시기 또는 피레닐옥시기 등을 들 수 있다. 본 명세서에서의 「아릴티오기」는, 페닐티오기, 나프틸티오기, 안트릴티오기, 페난트릴티오기 또는 피레닐티오기 등의 아릴티오기를 들 수 있다. 본 명세서에서의 「할로겐 원자」는, 예를 들면, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자 등을 들 수 있다. 본 명세서에서의 「알킬렌기」는, 예를 들면, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 1-메틸메틸렌기, 1,1-디메틸메틸렌기, 1-메틸에틸렌기, 1,1-디메틸에틸렌기, 1,2-디메틸에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 1-메틸프로필렌기, 2-메틸프로필렌기, 펜틸렌기, 헥실렌기, 헵틸렌기, 옥틸렌기, 노닐렌기, 데실렌기, 운데실렌기, 도데실렌기 등을 들 수 있다. 본 명세서에서의 「알킬렌옥시기」는, 예를 들면, 옥시메틸렌기, 옥시에틸렌기, 옥시프로필렌기, 옥시(1-메틸메틸렌)기, 옥시(1,1-디메틸메틸렌)기, 옥시(1-메틸에틸렌)기, 옥시(1,1-디메틸에틸렌)기, 옥시(1,2-디메틸에틸렌)기, 옥시부틸렌기, 옥시(1-메틸프로필렌)기, 옥시(2-메틸프로필렌)기, 옥시펜틸렌기, 옥시헥실렌기, 옥시헵틸렌기, 옥시옥틸렌기, 옥시노닐렌기, 옥시데실렌기, 옥시운데실렌기, 옥시도데실렌기 등을 들 수 있다. 본 명세서에서의 「탄화수소기」는, 1가의 기이며, 직쇄상, 분기상 또는 환상의 포화 탄화수소, 불포화 탄화수소, 혹은 방향족기를 포함한다. 예를 들면, 「탄화수소기」는, 알킬기(예를 들면, 상기 알킬기), 알케닐기(예를 들면, 상기 알케닐기), 아릴기(예를 들면, 상기 아릴기), 아릴옥시기(예를 들면, 상기 아릴옥시기), 아랄킬기(예를 들면, 상기 아랄킬기) 및 알콕시기(예를 들면, 상기 알콕시기)로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 기이며, 또한 당해 기 중의 1 이상의 -CH2-가, 서로 인접하지 않도록, -O-, -C(＝O)- 또는 -S-로 치환되어도 되고, 혹은 당해 알킬기 중의 1 이상의 -CH2-CH2-가, 서로 인접하지 않도록, -CH＝CH-로 치환되어도 된다. 본 명세서에서의 「프로페닐기」는, 예를 들면, 1-프로페닐기, 2-프로페닐기를 들 수 있다. 본 명세서에서, 아크릴로일기는, H2C＝CH-C(＝O)-를 나타내고, 메타크릴로일기는, H2C＝C(CH3)-C(＝O)-를 나타낸다. ＜아릴메틸리덴플루오렌 수지＞ 본 실시형태의 아릴메틸리덴플루오렌 수지는, 하기 일반식(1)으로 표시되는 것을 특징으로 한다 . (상기 일반식(1) 중, R11a 및 R11b는, 각각 독립하여, 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 아릴기, 비닐기, 프로페