KR-20260062058-A - ENERGY SENSITIVITY ADHESIVE COMPOSITION, AND MANUFACTURING METHOD OF LAMINATE
Abstract
[과제] 기판과, 상층과, 기판 및 상층의 사이에 위치하고 또한 상층에 접하는 밀착제층을 가지는 적층체에 있어서, 밀착제층을 형성하기 위해서 이용되는, 에너지 감수성 밀착제 조성물로서, 밀착제층에 있어서의 에폭시기의 양을 저감할 수 있는 에너지 감수성 밀착제 조성물, 및 적층체의 제조 방법을 제공하는 것. [해결 수단] 기판과, 상층과, 기판 및 상층의 사이에 위치하고 또한 상층에 접하는 밀착제층을 가지는 적층체에 있어서, 밀착제층을 형성하기 위해서 이용되는, 에너지 감수성 밀착제 조성물로서, 수지(A)와, 열산 발생제(B)와, 용제(C)를 함유하고, 수지(A)는, 에폭시기를 가지는 구성 단위(a1)를 포함하는 수지(A1)를 포함한다.
Inventors
- 이소베 신고
- 호시노 겐타
- 아키사와 겐토
Assignees
- 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤
Dates
- Publication Date
- 20260506
- Application Date
- 20251024
- Priority Date
- 20241028
Claims (9)
- 기판과, 상층과, 상기 기판 및 상기 상층의 사이에 위치하고 또한 상기 상층에 접하는 밀착제층을 가지는 적층체에 있어서, 상기 밀착제층을 형성하기 위해서 이용되는, 에너지 감수성 밀착제 조성물로서, 수지(A)와, 열산 발생제(B)와, 용제(C)를 함유하고, 상기 수지(A)는, 에폭시기를 가지는 구성 단위(a1)를 포함하는 수지(A1)를 포함하는, 에너지 감수성 밀착제 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 수지(A1)는, 페놀성 수산기를 가지는 구성 단위(a2)를 포함하는, 에너지 감수성 밀착제 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 수지(A1)는, 아크릴 수지인, 에너지 감수성 밀착제 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 열산 발생제(B)가, 하기 식(b1)로 나타내는 음이온부, 또는, 하기 식(b2)로 나타내는 음이온부를 포함하는 오늄염을 포함하는, 에너지 감수성 밀착제 조성물. [화 1] (식(b1) 중, R 1b ~R 4b 는, 각각 독립적으로, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄화수소기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 복소환기를 나타내고, R 1b ~R 4b 중 적어도 1개가 치환기를 가지고 있어도 되는 방향족 탄화수소기를 나타낸다.) [화 2] (식(b2) 중, R 5b ~R 8b 는, 각각 독립적으로, 치환기를 가지고 있어도 되는 탄화수소기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 복소환기를 나타내고, R 5b ~R 8b 중 적어도 1개가 치환기를 가지고 있어도 되는 방향족 탄화수소기를 나타낸다.)
- 청구항 1에 있어서, 상기 열산 발생제(B)가, 암모늄염, 설포늄염 또는 요오도늄염을 포함하는, 에너지 감수성 밀착제 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 시차주사 열량 측정에 있어서 관측되는 상기 열산 발생제(B)의 산 발생 온도가, 100℃ 이상 200℃ 이하인, 에너지 감수성 밀착제 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 상층이, 안료를 포함하는 수지막인, 에너지 감수성 밀착제 조성물.
- 기판과, 상층과, 상기 기판 및 상기 상층의 사이에 위치하고 또한 상기 상층에 접하는 밀착제층을 가지는 적층체의 제조 방법으로서, 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항의 에너지 감수성 밀착제 조성물을 상기 기판 상에 도포하여 도포막을 형성하는 도포막 형성 공정과, 상기 도포막을 가열하여, 상기 밀착제층을 형성하는 가열 공정과, 상기 가열 공정 후, 상기 밀착제층 상에 상기 상층을 형성하는 상층 형성 공정 을 포함하는, 적층체의 제조 방법.
- 청구항 8에 있어서, 상기 가열 공정에 있어서의 가열 온도가 180℃ 이상 220℃ 이하인, 적층체의 제조 방법.
Description
에너지 감수성 밀착제 조성물, 및 적층체의 제조 방법{ENERGY SENSITIVITY ADHESIVE COMPOSITION, AND MANUFACTURING METHOD OF LAMINATE} 본 발명은, 기판과, 상층과, 기판 및 상층의 사이에 위치하고 또한 상층에 접하는 밀착제층을 가지는 적층체에 있어서, 밀착제층을 형성하기 위해서 이용되는 에너지 감수성 밀착제 조성물, 및 적층체의 제조 방법에 관한 것이다. 종래, 카메라, 비디오 카메라 등에는, 고체 촬상 소자가 이용되고 있다. 이 고체 촬상 소자에는, CCD(charge-coupled device) 이미지 센서나, CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) 이미지 센서 등이 이용되고 있다. 이미지 센서에는, 예를 들면, 포토 다이오드, 컬러 필터, 및 집광율의 향상을 목적으로 한 미세한 집광 렌즈(이하, 마이크로 렌즈라고 한다.)가 설치되어 있다. 이미지 센서의 제조에서는, 예를 들면, 실리콘 웨이퍼 등의 기판에 형성된 포토 다이오드상에 직접 컬러 필터를 적층 형성하는 온칩 컬러 필터(OCF) 공정을 가진다. 컬러 필터와, 컬러 필터의 하층(포토 다이오드가 설치된 기판 등)과의 밀착성을 향상시키기 위해서, 컬러 필터와 하층과의 사이에, 컬러 필터에 접하는, 밀착제층을 마련하는 것을 생각할 수 있다. 밀착제층을 형성하기 위한 조성물로서, 예를 들면, 에폭시기를 가지는 구성 단위를 포함하는 수지를 함유하는 표면 개질 재료를 이용할 수 있다(특허문헌 1 참조). ≪에너지 감수성 밀착제 조성물≫ 에너지 감수성 밀착제 조성물은, 기판과, 상층과, 기판 및 상층의 사이에 위치하고 또한 상층에 접하는 밀착제층을 가지는 적층체에 있어서, 밀착제층을 형성하기 위해서 이용되는, 에너지 감수성 밀착제 조성물이다. 에너지 감수성 밀착제 조성물은, 수지(A)와, 열산 발생제(B)와, 용제(C)를 함유한다. 수지(A)는, 에폭시기를 가지는 구성 단위(a1)를 포함하는 수지(A1)를 포함한다. 수지(A)와, 열산 발생제(B)와, 용제(C)를 함유하고, 수지(A)는, 에폭시기를 가지는 구성 단위(a1)를 포함하는 수지(A1)를 포함하는 에너지 감수성 밀착제 조성물을 이용하여, 기판과, 상층과, 기판 및 상층의 사이에 위치하고 또한 상층에 접하는 밀착제층을 가지는 적층체에 있어서의, 밀착제층을 형성하는 것에 의해, 후술하는 실시예에 나타나는 대로, 밀착제층에 있어서의 에폭시기의 양(에폭시기 잔존율)을 저감할 수 있다. 이 때문에, 당해 적층체에 있어서, 밀착제층 상에 상층을 형성할 때에 생기는 현상 잔사를 억제할 수 있다. 또한, 밀착제층에 있어서의 에폭시기의 양(에폭시기 잔존율)은, 밀착제층을 형성할 때에 고온으로 밀착제층을 가열함으로써도, 저감할 수 있다. 밀착제층을 형성할 때의 가열 온도는, 후술하는 가열 공정에 있어서의 가열 온도(포스트 베이크 온도)에 상당한다. 그렇지만, 가열 온도가 높으면, 적층체에 있어서, 내열성이 낮은 부재에 악영향이 생길 수 있다. 또한, 가열 온도의 변경은, 공장에서의 대량 생산에는 부적합한 경우가 있다. 한편, 상술의 에너지 감수성 밀착제 조성물을 이용하는 것에 의해, 밀착제층을 형성할 때의 가열 온도를 높게 하지 않아도, 밀착제층에 있어서의 에폭시기의 양을 저감할 수 있다. 이하의 이유에 의해, 밀착제층에 있어서의 에폭시기의 양을 저감할 수 있고, 밀착제층 상에 상층을 형성할 때에 생기는 현상 잔사를 억제할 수 있다고 추측된다. 밀착제층은, 수지(A)와, 열산 발생제(B)와, 용제(C)를 함유하고, 수지(A)는, 에폭시기를 가지는 구성 단위(a1)를 포함하는 수지(A1)를 포함하는 에너지 감수성 밀착제 조성물을 기판 상에 도포하여 형성한 도포막을 가열하여 형성된다. 가열 시에, 에너지 감수성 밀착제 조성물 중의 에폭시기가 반응(가교)하여 경화한다. 한편으로, 가열 시에 반응하지 않고 밀착제층에 잔존하는 에폭시기가, 밀착제층의 상층을 형성하기 위한 조성물의 성분과 결합하는 것에 의해, 밀착제층의 상층과의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 밀착제층의 상층을 형성하기 위한 조성물로서는, 예를 들면, 안료, 및 염료 등의 착색제, 및 수지 등을 포함하는, 컬러 필터 형성용의 컬러 레지스트를 들 수 있다. 여기서, 밀착제층에 잔존하는 에폭시기와, 밀착제층의 상층을 형성하기 위한 조성물의 성분과의 결합이 많은 경우, 결합이 강해지기 때문에, 밀착제층의 상층 형성시의 현상 공정에 있어서, 밀착제층 상의, 현상에 의해 제거되어야 할 영역에, 밀착제층의 상층을 형성하기 위한 조성물에 유래하는 잔사(현상 잔사)가 생긴다. 특히, 화소의 미세화에 따라 상층을 형성하는 조성물로서의 컬러 레지스트의 안료 함유율을 높게 하면, 잔사가 생기기 쉽다. 그렇지만, 열산 발생제(B)를 포함하는 것에 의해, 상기 가열에 의한 에폭시기의 반응이 촉진되고, 밀착제층에 잔존하는 에폭시기의 양이 저감되어, 밀착제층 상에 상층을 형성할 때에 생기는 현상 잔사를 억제할 수 있다. 또한, 상술의 에너지 감수성 밀착제 조성물에 의하면, 내약품성이 뛰어난 밀착제층을 형성할 수 있다. 이 때문에, 밀착제층을 형성한 후에, 밀착제층이 아세톤 등의 약품에 접촉하는 공정을 가지고 있어도, 밀착제층의 약품에의 용해를 억제할 수 있다. 밀착제층의 상층으로서는, 밀착제층 상에 도포 등에 의해 에폭시기와 반응할 수 있는 물질을 포함하는 감광성층을 형성한 후, 감광성층에 대해서 선택적인 노광 및 현상을 하여 형성되는 패턴화된 막을 들 수 있다. 구체적으로는, 상층으로서는, 컬러 필터나 블랙 매트릭스 등의, 안료를 포함하는 수지막을 들 수 있다. 밀착제층의 하층으로서는, 유기 또는 무기의 포토 다이오드가 설치된 기판, 유리 기판이나, 전극이 설치된 유리 기판 등을 들 수 있다. 적층체를 가지는 소자로서는, CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) 이미지 센서, CCD(charge-coupled device) 이미지 센서 등의 고체 촬상 소자나, 액정 표시 소자를 들 수 있다. 적층체를 구성하는 기판 및 상층은, 적층체의 용도에 따라 정해진다. 예를 들면, CMOS나 CCD에서는, 기판은 포토 다이오드나 배선 등의 부재가 설치된 실리콘 웨이퍼이며, 상층은 컬러 필터이다. 또한, 액정 표시 소자에서는, 기판은 유리 기판이나 전극 등의 부재가 설치된 유리 기판이며, 상층은 컬러 필터나 블랙 매트릭스이다. 밀착제층은, 기판 및 상층의 사이에 위치하고 또한 상층에 접하고 있으면 된다. 밀착제층은, 상층의 기판측의 표면의 전면에 설치되어 있어도 되지만, 적어도 일부에 설치되어 있으면 된다. 밀착제층의 막 두께는 특별히 한정되지 않지만, 특히 CMOS 이미지 센서, CCD 이미지 센서 등의 고체 촬상 소자나, 액정 표시 소자의 경우, 광을 투과하기 쉽게 하기 때문에, 박막인 것이 바람직하다. 밀착제층의 막 두께는, 예를 들면, 1μm 이하가 바람직하고, 0.1 nm 이상 50 nm 이하가 바람직하고, 0.1 nm 이상 5 nm 이하가 보다 바람직하다. 이하, 에너지 감수성 밀착제 조성물이 포함하는, 필수, 또는 임의의 성분에 대하여 설명한다. <수지(A)> 에너지 감수성 밀착제 조성물은, 수지(A)를 포함한다. 수지(A)는, 에폭시기를 가지는 구성 단위(a1)를 포함하는 수지(A1)를 포함한다. 수지(A1)는, 아크릴 수지인 것이 바람직하다. 본 명세서에 있어서, 「아크릴 수지」는, (메타)아크릴산 또는 (메타)아크릴산 유도체에 유래하는 구성 단위인 아크릴 구성 단위를 80 몰% 이상 포함하는 수지를 의미한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「(메타)아크릴」이란, 「아크릴」 및 「메타크릴」의 양자를 의미한다. 「(메타)아크릴레이트」란, 「아크릴레이트」 및 「메타크릴레이트」의 양자를 의미한다. 아크릴 수지는, (메타)아크릴산 및 (메타)아크릴산 유도체 이외의 단량체에 유래하는 구성 단위를, 20 몰% 이하 포함하고 있어도 된다. 에폭시기를 가지는 구성 단위(a1)로서는, 하기 식(a1)로 나타내는 구성 단위를 들 수 있다. (식(a1) 중, R1a는, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X1은, -O- 또는 -NH-를 나타내고, Y1은, 단결합 또는 알킬렌기를 나타내고, R2a는, 에폭시기 함유기를 나타낸다.) 식(a1) 중, X1은, -O-(산소 원자)인 것이 바람직하다. Y1로서의 알킬렌기의 탄소 원자수는, 1 이상 5 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1 이상 4 이하, 더욱 바람직하게는 1 이상 3 이하, 특히 바람직하게는 1 또는 2이다. 알킬렌기의 구체예로서는, 메틸렌기, 에탄-1,2-디일기(에틸렌기), 에탄-1,1-디일기, 프로판-1,3-디일기, 프로판-1,2-디일기, 프로판-2,2-디일기, 프로판-1,1-디일기, 부탄-1,4-디일기, 및 펜탄-1,5-디일기 등을 들 수 있다. R2a로서의 에폭시기 함유기는, 에폭시기를 포함하는 기이면 특별히 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서, 에폭시기란, 옥시란 환구조를 가지는 기를 의미하고, 옥시란(C2H4O)이 가지는 1개 또는 2개의 수소 원자를 제외한 기 및 지환식 에폭시기를 포함하는 개념이다. 본 명세서에 있어서, 지환식 에폭시기란, 지환식 화합물의 지환식 구조를 형성하는 탄소 원자 중 2개의 탄소 원자(통상은 서로 인접하는 탄소 원자)에 공통의 산소 원자 1개가 결합하여 형성된 에폭시기를 말한다. 지환식 에폭시기를 구성하는 지환식기는, 단환이어도 다환이어도 된다. 단환의 지환식기로서는, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다. 또한, 다환의 지환식기로서는, 노르보르닐기, 이소보닐기, 트리시클로노닐기, 트리시클로데실기, 테트라시클로도데실기 등을 들 수 있다. 예를 들면, 식(a1)에 있어서, -Y1-R2a로 나타내는 기가, 글리시딜기인 것이 바람직하다. 즉, 식(a1)으로서는, 하기 식(a1-1)이 바람직하다. 식(a1-1) 중, R1a 및 X1은, 각각 식(a1)에 있어서의 R1a 및 X1과 같다. R2a로서의 에폭시기 함유기로서는, 지환식 에폭시기를 포함하는 기도 들 수 있다. R2a로서 지환식 에폭시기를 포함하는 기를 가지는 식(a1)으로서는,