Search

KR-20260062062-A - ORGANIC ELECTROLUMINESCENT MATERIALS AND DEVICES

KR20260062062AKR 20260062062 AKR20260062062 AKR 20260062062AKR-20260062062-A

Abstract

화학식 I, 의 구조를 포함하는 제1 리간드 L A 를 갖는 화합물이 제공된다. 화학식 I에서, 모이어티 B는 모노시클릭 고리 또는 폴리시클릭 융합 고리계이고; X 1 내지 X 6 각각은 C 또는 N이고; Y는 연결기이고; K는 직접 결합 또는 연결기이고; 각각의 치환기는 수소 또는 본원에 정의된 일반 치환기이고; 다음 조건 중 적어도 하나가 사실이며: (1) R A 치환기는 R B 치환기와 연결되어 하나 이상의 R AB 치환기로 치환될 수 있는 고리 AB를 형성함; 또는 (2) X 5 및 X 6 은 C이고, 해당하는 2개의 R A 치환기는 연결되어 하나 이상의 R A1 치환기로 치환될 수 있는 시클릭 모이어티 A1을 형성하며; 모이어티 B는 폴리시클릭 융합 고리계임. 상기 화합물을 포함하는 배합물, OLED 및 소비자 제품이 또한 제공된다.

Inventors

  • 지 지치앙
  • 루 통시앙

Assignees

  • 유니버셜 디스플레이 코포레이션

Dates

Publication Date
20260506
Application Date
20251027
Priority Date
20251015

Claims (15)

  1. 하기 화학식 I의 구조를 포함하는 제1 리간드 L A 를 갖는 화합물: 화학식 I 식 중, 모이어티 B는 모노시클릭 고리 또는 폴리시클릭 융합 고리계이고, 모노시클릭 고리, 또는 폴리시클릭 융합 고리계의 각각의 고리는 독립적으로 5원 내지 10원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리이며; X 1 내지 X 6 각각은 독립적으로 C 또는 N이고; Y는 BR, BRR', NR, PR, P(O)R, O, S, Se, C=S, C=Se, C=NR, C=CRR', S=O, SO 2 , CR, CRR', SiRR', 및 GeRR'로 이루어진 군에서 선택되고; K는 직접 결합, O, S, Se, N(R α ), P(R α ), B(R α ), C(R α )(R β ), 및 Si(R α )(R β )로 이루어진 군에서 선택되고; R A , R B , 및 R C 각각은 독립적으로 일치환 내지 최대 허용가능한 치환, 또는 비치환을 나타내고; 각각의 R, R', R α , R β , R A , R A1 ; R AB ; R B , 및 R C 는 독립적으로 수소, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 보릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 셀레닐, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고; 하기 조건 중 적어도 하나는 사실이며: (1) R A 치환기는 R B 치환기와 연결되어 하나 이상의 R AB 치환기로 치환될 수 있는 고리 AB를 형성함; 또는 (2) X 5 및 X 6 은 C이고, 해당하는 2개의 R A 치환기는 연결되어 하나 이상의 R A1 치환기로 치환될 수 있는 시클릭 모이어티 A1을 형성하며; 모이어티 B는 폴리시클릭 융합 고리계임; L A 는 금속 M에 배위결합되고; 금속 M은 Ir, Rh, Re, Ru, Os, Pt, Pd, Ag, Au, 및 Cu로 이루어진 군에서 선택되고; 금속 M은 다른 리간드에 배위결합될 수 있고; L A 는 다른 리간드와 연결되어 3좌, 4좌, 5좌, 또는 6좌 리간드를 구성할 수 있고; 임의의 2개의 치환기는 연결되거나 융합되어 고리를 형성할 수 있다.
  2. 제1항에 있어서, 모이어티 B는 벤젠, 피리딘, 피리미딘, 피리다진, 피라진, 트리아진, 이미다졸, 피라졸, 피롤, 옥사졸, 푸란, 티오펜, 티아졸, 트리아졸, 나프탈렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 벤조푸란, 아자-벤조푸란, 페난트로[3,2-b]벤조푸란, 벤즈옥사졸, 아자-벤즈옥사졸, 벤조티오펜, 아자-벤조티오펜, 벤조티아졸, 아자-벤조티아졸, 벤조셀레노펜, 아자-벤조셀레노펜, 인덴, 아자-인덴, 인돌, 아자-인돌, 벤즈이미다졸, 아자-벤즈이미다졸, 벤조벤즈이미다졸, 아자-벤조벤즈이미다졸, 카르바졸, 아자-카르바졸, 디벤조푸란, 아자-디벤조푸란, 디벤조티오펜, 아자-디벤조티오펜, 퀴녹살린, 프탈라진, 페난트렌, 아자-페난트렌, 안트라센, 아자-안트라센, 페난트리딘, 플루오렌, 및 아자-플루오렌으로 이루어진 군에서 선택되고; 및/또는 X 1 내지 X 4 중 적어도 하나는 N이거나, X 1 내지 X 4 각각은 C이고; 및/또는 X 5 내지 X 6 중 적어도 하나는 N이거나, X 5 및 X 6 각각은 C이고; 및/또는 Y는 O, S, NR, SiRR', GeRR' 및 Se로 이루어진 군에서 선택되고; 및/또는 K는 직접 결합, O 또는 S인 화합물.
  3. 제1항에 있어서, R A 치환기는 R B 치환기와 연결되어 고리 AB를 형성하고; 및/또는 고리 AB는 벤젠, 피리딘, 피리미딘, 피리다진, 피라진, 트리아진, 이미다졸, 피라졸, 피롤, 옥사졸, 푸란, 티오펜, 티아졸 및 트리아졸로 이루어진 군에서 선택되는 화합물.
  4. 제1항에 있어서, X 5 및 X 6 은 C이고, 해당하는 2개의 R A 치환기는 연결되어 시클릭 모이어티 A1을 형성하고; 및/또는 모이어티 A1은 벤젠, 피리딘, 피리미딘, 피리다진, 피라진, 트리아진, 이미다졸, 피라졸, 피롤, 옥사졸, 푸란, 티오펜, 티아졸, 트리아졸, 나프탈렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 벤조푸란, 아자-벤조푸란, 벤즈옥사졸, 아자-벤즈옥사졸, 벤조티오펜, 아자-벤조티오펜, 벤조티아졸, 아자-벤조티아졸, 벤조셀레노펜, 아자-벤조셀레노펜, 인덴, 아자-인덴, 인돌, 아자-인돌, 벤즈이미다졸, 아자-벤즈이미다졸, 카르바졸, 아자-카르바졸, 디벤조푸란, 아자-디벤조푸란, 디벤조티오펜, 아자-디벤조티오펜, 퀴녹살린, 프탈라진, 페난트렌, 아자-페난트렌, 안트라센, 아자-안트라센, 페난트리딘, 플루오렌 및 아자-플루오렌으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물.
  5. 제1항에 있어서, 리간드 L A 는 하기 구조로 이루어진 군에서 선택되는 화합물: 식 중, X 5 는 C-R A 또는 N이며; X 7 내지 X 12 각각은 독립적으로 C 또는 N이고; L K , Y A1 , Y A2 , 및 Y AB 각각은 독립적으로 BR, BRR', NR, PR, P(O)R, O, S, Se, C=O, C=S, C=Se, C=NR, C=CRR', S=O, SO 2 , CRR', SiRR', 및 GeRR'로 이루어진 군에서 선택되고; W는 B, N, P, 또는 ln이며; R A1 및 R AB 각각은 독립적으로 일치환 내지 최대 허용가능한 치환, 또는 비치환을 나타내고; R, R', R A1 , 및 R AB 각각은 독립적으로 수소, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 보릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 셀레닐, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고; 나머지 변수는 이전에 정의된 바와 동일하고; 임의의 2개의 치환기는 연결되거나 융합되어 고리를 형성할 수 있다.
  6. 제1항에 있어서, 리간드 L A 는 하기 구조로 이루어진 군에서 선택되는 화합물: 식 중, X 5 는 C-R A 또는 N이며; X 7 내지 X 18 각각은 독립적으로 C 또는 N이고; L K , Y A1 , Y A2 , Y AB , 및 Y B1 은 BR, BRR', NR, PR, P(O)R, O, S, Se, C=O, C=S, C=Se, C=NR, C=CRR', S=O, SO 2 , CRR', SiRR', 및 GeRR'로 이루어진 군에서 선택되며; W는 B, N, P, 또는 ln이며; R A1 , R AB , 및 R BB 각각은 독립적으로 일치환 내지 최대 허용가능한 치환, 또는 비치환을 나타내고; 각각의 R A1 , R AB , 및 R BB 는 독립적으로 수소, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 보릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 셀레닐, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고; 나머지 변수는 이전에 정의된 바와 동일하고; 임의의 2개의 치환기는 연결되거나 융합되어 고리를 형성할 수 있다.
  7. 제1항에 있어서, 리간드 L A 는 L Ai (R EA )(R EB )(R EC )(R ED )(R EE )에서 선택되고, 여기서 i는 1 내지 26의 정수이고, R EA , R EB , R EC , R ED , 및 R EE 각각은 독립적으로 U1 내지 U126으로 이루어진 군에서 선택되며; L A1 (U1)(U1)(U1)(U1)(U1) 내지 L A26 (U126)(U126)(U126)(U126)(U126) 각각은 하기와 같이 정의되는 화합물: 여기서, U1 내지 U126은 하기 리스트에 정의된 구조를 갖는다:
  8. 제1항에 있어서, 화합물은 M(L A ) p (L B ) q (L C ) r 의 화학식을 갖고, 식 중, L B 및 L C 는 각각 2좌 리간드이고; p는 1, 2, 또는 3이고; q는 0, 1, 또는 2이고; r은 0, 1, 또는 2이고; p+q+r은 금속 M의 산화 상태인 화합물.
  9. 제8항에 있어서, 화합물은 Ir(L A ) 3 , Ir(L A )(L B ) 2 , Ir(L A ) 2 (L B ), Ir(L A ) 2 (L C ), 및 Ir(L A )(L B )(L C )로 이루어진 군에서 선택되는 화학식을 갖고, 여기서 L A , L B , 및 L C 는 서로 상이하거나; 또는 화합물은 Pt(L A )(L B )의 화학식을 갖고, 여기서 L A 및 L B 는 동일하거나 상이할 수 있는 화합물.
  10. 제8항에 있어서, L B 및 L C 는 각각 독립적으로 하기 구조로 이루어진 군에서 선택되는 화합물: 식 중, T는 B, Al, Ga 및 In으로 이루어진 군에서 선택되고; K 1' 는 단일 결합, O, S, NR e , PR e , BR e , CR e R f 및 SiR e R f 로 이루어진 군에서 선택되고; Y 1 내지 Y 13 각각은 독립적으로 C 및 N으로 이루어진 군에서 선택되고; Y'는 BR e , BR e R f , NR e , PR e , P(O)R e , O, S, Se, C=O, C=S, C=Se, C=NR e , C=CR e R f , S=O, SO 2 , CR e R f , SiR e R f , 및 GeR e R f 로 이루어진 군에서 선택되고; R e 및 R f 는 융합되거나 연결되어 고리를 형성할 수 있고; 각각의 R a , R b , R c 및 R d 는 독립적으로 일치환 내지 최대 허용되는 수의 치환, 또는 비치환을 나타내고; R a1 , R b1 , R c1 , R d1 , R a , R b , R c , R d , R e 및 R f 각각은 독립적으로 수소, 또는 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 보릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 셀레닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고; R a1 , R b1 , R c1 , R d1 , R a , R b , R c 및 R d 중 임의의 2개의 치환기는 융합되거나 연결되어, 고리를 형성하거나 다좌 리간드를 형성할 수 있다.
  11. 제8항에 있어서, 화합물은 화학식 Ir(L A ) 3 , 화학식 Ir(L A )(L B k ) 2 , 화학식 Ir(L A ) 2 (L B k ), 화학식 Ir(L A ) 2 (L C j -I ) 또는 화학식 Ir(L A ) 2 (L C j -II )를 갖고, 식 중, L A 는 화학식 I에 따른 것이고; k는 1 내지 543의 정수이고, 각 L B k 는 하기와 같이 정의된 구조를 갖고: 여기서, 각각의 L C j -I 는 화학식 에 기초한 구조를 갖고; 각각의 L C j -II 는 화학식 에 기초한 구조를 갖고, 여기서 L C j -I 및 L C j -II 의 각각의 L C j 에 대해, R 201 및 R 202 는 각각 독립적으로 하기 리스트에 정의되고: ; 여기서, R D1 내지 R D246 은 하기와 같이 정의된 구조를 갖는 화합물:
  12. 제1항에 있어서, 화합물은 하기 구조로 이루어진 군에서 선택되는 화합물:
  13. 제8항에 있어서, 하기 화학식 II의 구조를 포함하는 화합물: 화학식 II 식 중, M 1 은 Pd 또는 Pt이고; 모이어티 E 및 F는 각각 독립적으로 모노시클릭 또는 폴리시클릭 고리 구조이고, 모노시클릭 고리, 또는 폴리시클릭 융합 고리계의 각각의 고리는 독립적으로 5원 내지 10원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리이고; Z 3 및 Z 4 는 각각 독립적으로 C 또는 N이고; K, K 3 , 및 K 4 는 각각 독립적으로 직접 결합, O, 및 S로 이루어진 군에서 선택되고, 여기서 이들 중 적어도 2개는 직접 결합이고; L 1 , L 2 및 L 3 은 각각 독립적으로 부재하거나, 또는 직접 결합, BR, BRR', NR, PR, P(O)R, O, S, Se, C=O, C=S, C=Se, C=NR, C=CRR', S=O, SO 2 , CR, CRR', SiRR', GeRR', 알킬렌, 시클로알킬, 아릴, 시클로알킬렌, 아릴렌, 헤테로아릴렌, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고; L 1 또는 L 2 중 적어도 하나는 존재하고; R E 및 R F 는 각각 독립적으로 비치환, 일치환, 또는 허용되는 최대수까지의 치환을 나타내고; R, R', R E , 및 R F 각각은 독립적으로 수소, 또는 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 보릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 셀레닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고; 2개의 인접한 R A , R A1 , R AB , R B , R C , R E , 및 R F 는 함께 연결되거나 융합되어 고리를 형성할 수 있다.
  14. 애노드; 캐소드; 및 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기층으로서, 하기 화학식 I의 구조를 포함하는 제1 리간드 L A 를 갖는 화합물을 포함하는 유기층 을 포함하는 유기 발광 디바이스(OLED): 화학식 I 식 중, 모이어티 B는 모노시클릭 고리 또는 폴리시클릭 융합 고리계이고, 모노시클릭 고리, 또는 폴리시클릭 융합 고리계의 각각의 고리는 독립적으로 5원 내지 10원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리이며; X 1 내지 X 6 각각은 독립적으로 C 또는 N이고; Y는 BR, BRR', NR, PR, P(O)R, O, S, Se, C=S, C=Se, C=NR, C=CRR', S=O, SO 2 , CR, CRR', SiRR', 및 GeRR'로 이루어진 군에서 선택되고; K는 직접 결합, O, S, Se, N(R α ), P(R α ), B(R α ), C(R α )(R β ), 및 Si(R α )(R β )로 이루어진 군에서 선택되고; R A , R B , 및 R C 각각은 독립적으로 일치환 내지 최대 허용가능한 치환, 또는 비치환을 나타내고; 각각의 R, R', R α , R β , R A , R A1 ; R AB ; R B , 및 R C 는 독립적으로 수소, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 보릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 셀레닐, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고; 하기 조건 중 적어도 하나는 사실이며: (1) R A 치환기는 R B 치환기와 연결되어 하나 이상의 R AB 치환기로 치환될 수 있는 고리 AB를 형성함; 또는 (2) X 5 및 X 6 은 C이고, 해당하는 2개의 R A 치환기는 연결되어 하나 이상의 R A1 치환기로 치환될 수 있는 시클릭 모이어티 A1을 형성하며; 모이어티 B는 폴리시클릭 융합 고리계임; L A 는 금속 M에 배위결합되고; 금속 M은 Ir, Rh, Re, Ru, Os, Pt, Pd, Ag, Au, 및 Cu로 이루어진 군에서 선택되고; 금속 M은 다른 리간드에 배위결합될 수 있고; L A 는 다른 리간드와 연결되어 3좌, 4좌, 5좌, 또는 6좌 리간드를 구성할 수 있고; 임의의 2개의 치환기는 연결되거나 융합되어 고리를 형성할 수 있다.
  15. 애노드; 캐소드; 및 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기층으로서, 하기 화학식 I의 구조를 포함하는 제1 리간드 L A 를 갖는 화합물을 포함하는 유기층 을 포함하는 유기 발광 디바이스(OLED)를 포함하는 소비자 제품: 화학식 I 식 중, 모이어티 B는 모노시클릭 고리 또는 폴리시클릭 융합 고리계이고, 모노시클릭 고리, 또는 폴리시클릭 융합 고리계의 각각의 고리는 독립적으로 5원 내지 10원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리이며; X 1 내지 X 6 각각은 독립적으로 C 또는 N이고; Y는 BR, BRR', NR, PR, P(O)R, O, S, Se, C=S, C=Se, C=NR, C=CRR', S=O, SO 2 , CR, CRR', SiRR', 및 GeRR'로 이루어진 군에서 선택되고; K는 직접 결합, O, S, Se, N(R α ), P(R α ), B(R α ), C(R α )(R β ), 및 Si(R α )(R β )로 이루어진 군에서 선택되고; R A , R B , 및 R C 각각은 독립적으로 일치환 내지 최대 허용가능한 치환, 또는 비치환을 나타내고; 각각의 R, R', R α , R β , R A , R A1 ; R AB ; R B , 및 R C 는 독립적으로 수소, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 보릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 셀레닐, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고; 하기 조건 중 적어도 하나는 사실이며: (1) R A 치환기는 R B 치환기와 연결되어 하나 이상의 R AB 치환기로 치환될 수 있는 고리 AB를 형성함; 또는 (2) X 5 및 X 6 은 C이고, 해당하는 2개의 R A 치환기는 연결되어 하나 이상의 R A1 치환기로 치환될 수 있는 시클릭 모이어티 A1을 형성하며; 모이어티 B는 폴리시클릭 융합 고리계임; L A 는 금속 M에 배위결합되고; 금속 M은 Ir, Rh, Re, Ru, Os, Pt, Pd, Ag, Au, 및 Cu로 이루어진 군에서 선택되고; 금속 M은 다른 리간드에 배위결합될 수 있고; L A 는 다른 리간드와 연결되어 3좌, 4좌, 5좌, 또는 6좌 리간드를 구성할 수 있고; 임의의 2개의 치환기는 연결되거나 융합되어 고리를 형성할 수 있다.

Description

유기 전계발광 물질 및 디바이스{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT MATERIALS AND DEVICES} 관련 출원에 대한 상호 참조 본 출원은 35 U.S.C.§ 119(e) 하에서 2024년 10월 28일에 출원된 미국 가출원 제63/712,842호에 대해 우선권을 주장하며, 상기 가출원의 전체 내용은 본원에 참조로 포함된다. 기술분야 본 개시내용은 일반적으로는 유기 또는 금속 배위결합 화합물 및 배합물, 그리고 유기 발광 다이오드 및 관련 전자 디바이스와 같은 디바이스 및 소비자 제품에서의 이미터, 증감제, 전하 수송체 또는 엑시톤 수송체로서의 용도를 포함하는 그들의 다양한 용도에 관한 것이다. 유기 물질을 사용하는 광전자 디바이스는 여러 이유로 인하여 점차로 중요해지고 있다. 이와 같은 디바이스를 제조하는 데 사용되는 다수의 물질들은 비교적 저렴하기 때문에, 유기 광전자 디바이스는 무기 디바이스에 비하여 비용 이점면에서 잠재성을 갖는다. 또한, 유기 물질의 고유한 특성, 예컨대 이의 가요성은 그 유기 물질이 가요성 기판 상에서의 제작과 같은 특정 적용예에 매우 적합하게 할 수 있다. 유기 광전자 디바이스의 예로는 유기 발광 다이오드/디바이스(OLED), 유기 광트랜지스터, 유기 광전지, 유기 신틸레이터 및 유기 광검출기를 들 수 있다. OLED의 경우, 유기 물질은 통상의 물질에 비하여 성능 면에서의 이점을 가질 수 있다. OLED는 디바이스에 전압을 인가할 때 광을 방출하는 유기 박막을 사용한다. OLED는 디스플레이, 조명 및 백라이팅과 같은 적용예의 용도에 있어 점차로 중요해지는 기술이다. 발광 분자에 대한 하나의 적용예는 풀 컬러 디스플레이이다. 이러한 디스플레이에 대한 산업적 기준은 "포화" 색상으로 지칭되는 특정 색상을 방출하도록 조정된 픽셀을 필요로 한다. 특히, 이러한 기준은 포화 적색, 녹색 및 청색 픽셀을 필요로 한다. 대안적으로 OLED는 백색 광을 방출하도록 디자인될 수 있다. 통상적인 액정 디스플레이에서, 백색 백라이트에서 나온 발광이 흡수 필터를 사용하여 여과되어 적색, 녹색 및 청색 발광을 생성한다. 동일한 기법이 또한 OLED에도 사용될 수 있다. 백색 OLED는 단일 발광층(EML) 디바이스 또는 스택 구조일 수 있다. 색상은 당업계에 주지된 CIE 좌표를 사용하여 측정될 수 있다. 한 양태에서, 본 개시내용은 하기 화학식 I의 구조를 포함하는 제1 리간드 LA를 갖는 화합물을 제공한다: 화학식 I 화학식 I에서: 모이어티 B는 모노시클릭 고리 또는 폴리시클릭 융합 고리계이고, 모노시클릭 고리, 또는 폴리시클릭 융합 고리계의 각각의 고리는 독립적으로 5원 내지 10원 카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리이며; X1 내지 X6 각각은 독립적으로 C 또는 N이고; Y는 BR, BRR', NR, PR, P(O)R, O, S, Se, C=S, C=Se, C=NR, C=CRR', S=O, SO2, CR, CRR', SiRR', 및 GeRR'로 이루어진 군에서 선택되고; K는 직접 결합, O, S, Se, N(Rα), P(Rα), B(Rα), C(Rα)(Rβ), 및 Si(Rα)(Rβ)로 이루어진 군에서 선택되고; RA, RB, 및 RC 각각은 독립적으로 일치환 내지 최대 허용가능한 치환, 또는 비치환을 나타내고; 각각의 R, R', Rα, Rβ, RA, RA1; RAB; RB, 및 RC는 독립적으로 수소, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 게르밀, 보릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 셀레닐, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고; LA는 금속 M에 배위결합되고; 금속 M은 Ir, Rh, Re, Ru, Os, Pt, Pd, Ag, Au, 및 Cu로 이루어진 군에서 선택되고; 금속 M은 다른 리간드에 배위결합될 수 있고; LA는 다른 리간드와 연결되어 3좌, 4좌, 5좌, 또는 6좌 리간드를 구성할 수 있고; 임의의 2개의 치환기는 연결되거나 융합되어 고리를 형성할 수 있다. 다른 양태에서, 본 개시내용은 본원에 기술된 화학식 I의 구조를 포함하는 제1 리간드 LA를 갖는 화합물을 포함하는 배합물을 제공한다. 또 다른 양태에서, 본 개시내용은 본원에 기술된 화학식 I의 구조를 포함하는 제1 리간드 LA를 갖는 화합물을 포함하는 유기층을 갖는 OLED를 제공한다. 또 다른 양태에서, 본 개시내용은 본원에 기술된 화학식 I의 구조를 포함하는 제1 리간드 LA를 갖는 화합물을 포함하는 유기층을 갖는 OLED를 포함하는 소비자 제품을 제공한다. 도 1은 유기 발광 디바이스를 도시한다. 도 2는 별도의 전자 수송층을 갖지 않는 역구조 유기 발광 디바이스를 도시한다. A. 용어 달리 명시된 바가 없다면, 본원에서 사용된 이하의 용어들은 하기와 같이 정의된다: 본원에서 사용한 바와 같이, "상단부"는 기판으로부터 가장 멀리 떨어졌다는 것을 의미하며, "하단부"는 기판에 가장 근접하다는 것을 의미한다. 제1층이 제2층의 "위에 배치되는" 것으로 기재되는 경우, 제1층은 기판으로부터 멀리 떨어져 배치된다. 제1층이 제2층과 "접촉되어 있는" 것으로 명시되지 않는다면 제1층과 제2층 사이에는 다른 층이 존재할 수 있다. 예를 들면, 캐소드와 애노드의 사이에 다양한 유기층이 존재한다고 해도, 캐소드는 애노드의 "위에 배치되는" 것으로 기재될 수 있다. 본원에서 사용한 바와 같이, "용액 가공성"은 용액 또는 현탁액 형태로 액체 매체에 용해, 분산 또는 수송될 수 있고/있거나 액체 매체로부터 증착될 수 있다는 것을 의미한다. 본원에서 사용한 바와 같이, 그리고 일반적으로 당업자가 이해하고 있는 바와 같이, 제1 에너지 준위가 진공 에너지 준위에 더 근접하는 경우, 제1 "최고 점유 분자 궤도"(HOMO) 또는 "최저 비점유 분자 궤도"(LUMO) 에너지 준위는 제2 HOMO 또는 LUMO 에너지 준위보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 이온화 전위(IP)가 진공 준위에 대하여 음의 에너지로서 측정되므로, 더 높은 HOMO 에너지 준위는 더 작은 절댓값을 갖는 IP(더 적게 음성인 IP)에 해당한다. 마찬가지로, 더 높은 LUMO 에너지 준위는 절댓값이 더 작은 전자 친화도(EA)(더 적게 음성인 EA)에 해당한다. 상단부에서 진공 준위를 갖는 통상의 에너지 준위 다이아그램에서, 물질의 LUMO 에너지 준위는 동일한 물질의 HOMO 에너지 준위보다 더 높다. "더 높은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위는 "더 낮은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위보다 상기 다이아그램의 상단부에 더 근접하게 나타난다. 본원에서 사용한 바와 같이, 그리고 일반적으로 당업자가 이해하는 바와 같이, 제1 일함수의 절댓값이 더 클 경우, 제1 일함수는 제2 일함수보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 일함수는 일반적으로 진공 준위에 대하여 음의 수로서 측정되므로, 이는 "더 높은" 일함수가 더 음성임을 의미한다. 상단부에서 진공 준위를 갖는 통상의 에너지 준위 다이아그램에서, "더 높은" 일함수는 진공 준위로부터 아래 방향으로 더 먼 것으로서 예시된다. 따라서, HOMO 및 LUMO 에너지 준위의 정의는 일함수와는 상이한 관례를 따른다. 층, 물질, 영역, 및 디바이스는 이들이 방출하는 광의 색상에 관하여 본원에서 기술될 수 있다. 일반적으로, 본원에 사용된 바와 같이, 광의 특정 색상을 생성하는 것으로 기술된 발광 영역은 스택에서 서로 위에 배치된 하나 이상의 발광층을 포함할 수 있다. 본원에 사용된 바와 같이, "NIR", "적색", "녹색", "청색", "황색" 층, 물질, 영역 또는 디바이스는 각각 약 700-1500 nm, 580-700 nm, 500-600 nm, 400-500 nm, 540-600 nm의 파장 범위의 광을 방출하는 층, 물질, 영역 또는 디바이스, 또는 각 파장 영역에서 발광 스펙트럼의 가장 높은 피크를 갖는 층, 물질, 영역 또는 디바이스를 나타낸다. 일부 배열에서, 별도의 영역, 층, 물질 또는 디바이스가 별도의 "진청색" 및 "담청색" 방출을 제공할 수 있다. 본원에 사용된 바와 같이, "진청색" 방출 구성요소는 "담청색" 방출 구성요소의 피크 방출 파장보다 적어도 약 4 nm 더 작은 피크 방출 파장을 갖는 방출을 나타낸다. 통상, "담청색" 방출 구성요소는 약 465-500 nm 범위의 피크 방출 파장을 갖고, "진청색" 방출 구성요소는 약 400-470 nm 범위의 피크 방출 파장을 갖지만, 이들 범위는 일부 구성에 따라 달라질 수 있다. 일부 배열에서, 다른 층에 의해 방출된 광의 색상을 상이한 파장을 갖는 방출로 변환, 수정 또는 이동시키는 색 변경층이 제공된다. 이러한 색 변경층은, 방출된 광의 파장과 생성된 광의 파장의 차이에 의해 측정되는 바와 같이, 정의된 양만큼 다른 층에 의해 방출되는 광의 파장을 이동시키도록 배합될 수 있다. 일반적으로, 색 변경층에는 불필요한 파장의 광을 제거하여 스펙트럼을 수정하는 컬러 필터와, 더 높은 에너지의 광자를 더 낮은 에너지로 변환하는 색 변경층의 두 가지 클래스가 있다. 예를 들어, 입력 광을 필터링하여 약 580-700 nm 범위 밖의 파장을 갖는 광을 제거하기 위해 "적색" 컬러 필터가 존재할 수 있다. "색상의" 구성요소는, 활성화되거나 사용되는 경우, 앞서 기술된 특정 색상을 갖는 광을 생성하거나 그렇지 않은 경우 방출하는 구성요소를 나타낸다. 예를 들어, "제1 색상의 제1 발광 영역" 및 "제1 색상과 상이한 제2 색상의 제2 발광 영역"은, 디바이스 내에서 활성화되는 경우, 앞서 기술된 두 가지 상이한 색상을 방출하는 2개의 발광 영역을 기술한다. 본원에 사용된 바와 같이, 발광 물질, 층, 및 영역은 동일한 또는 상이한 구조에 의해 최종적으로 방출되는 광과는 대조적인, 물질, 층 또는 영역에 의해 초기에 생성된 광에 기초하여 서로 및 다른 구조와 구별될 수 있다. 통상적으로 초기 광 생성은 광자의 방출을 유발하는 에너지 준위 변화의 결과이다.