KR-20260062089-A - 석고 보드 제조 방법 및 장치

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Abstract

석고 보드 제조 방법 및 장치로서, 수성 석고 슬러리를 제2 커버 시트(14)에 도포하고, 제2 커버 시트(14)를 제1 커버 시트(16) 위에 이격된 롤러(54) 위로 통과시켜 대부분의 수성 석고 슬러리가 제2 커버 시트(14)에서 떨어져 제1 커버 시트(16) 위에 침착되도록 하는 석고 보드 제조 방법 및 장치. 침착된 슬러리와 밀도가 다른 또 다른 수성 석고 슬러리를 침착된 슬러리 전 및/또는 후에 제1 커버 시트(14) 위에 도포한다. 이러한 방법 및 장치를 사용하여 밀도가 다른 층들을 갖는 석고 보드를 제조한다.

Inventors

헴필, 마크 케이
빌린스카, 안나마리아
상, 이준
암바디 오마나쿠탄 나이르, 수라지 쿠마르

Assignees

크나우프 깁스 카게

Dates

Publication Date: 20260506
Application Date: 20240703
Priority Date: 20240403

Claims (10)

석고 보드를 제조하는 방법으로서: 제1 및 제2 대향 표면을 갖는 전방 제1 커버 시트를 성형 표면 위에 침착시키고 상기 전방 제1 커버 시트를 상기 성형 표면을 따라 기계 방향으로 수평으로 이동시키는 단계; 선택적으로, 상기 기계 방향으로 이동하는 상기 전방 제1 커버 시트 상에 제1 수성 석고 슬러리를 침착시켜 상기 전방 제1 커버 시트의 상부 표면과 접촉하는 층 형태의 고밀도 영역으로서 제1 수성 석고 슬러리 층을 형성하는 단계로서, 상기 제1 수성 석고 슬러리 층은 75 내지 100 lbs/ft3의 제1 슬러리 밀도를 갖는, 단계; 상기 제1 수성 석고 슬러리 층이 존재하는 경우 상기 제1 수성 석고 슬러리 층 상에 발포 상태의 제2 수성 석고 슬러리를 침착시키거나, 또는 상기 제1 수성 석고 슬러리 층이 존재하지 않는 경우 상기 전방 제1 커버 시트 상에 발포 상태의 상기 제2 수성 석고 슬러리를 침착시켜 상기 제1 수성 석고 슬러리 층이 존재하는 경우 상기 제1 수성 석고 슬러리 층의 상부 표면과 접촉하는 층 형태의 중밀도 영역으로서 제2 수성 석고 슬러리 층을 형성하거나, 또는 상기 제1 수성 석고 슬러리 층이 존재하지 않는 경우 상기 전방 제1 커버 시트의 상부 표면과 접촉하는 층 형태의 중밀도 영역으로서 제2 수성 석고 슬러리 층을 형성하는 단계로서, 상기 제2 수성 석고 슬러리 층은 40 내지 65 lbs/ft3의 제2 슬러리 밀도를 갖고, 상기 제1 수성 석고 슬러리가 존재하는 경우 상기 제2 슬러리 밀도는 상기 제1 슬러리 밀도보다 낮은, 단계, 및 상기 제2 수성 석고 슬러리 층 상에 발포 상태의 제3 수성 석고 슬러리를 침착시켜 상기 제2 수성 석고 슬러리 층의 상부 표면과 접촉하는 층 형태의 저밀도 영역으로서 제3 수성 석고 슬러리 층을 형성하는 단계로서, 상기 제3 수성 석고 슬러리 층은 상기 제2 수성 슬러리 밀도보다 낮은 30 내지 55 lbs/ft3의 제3 슬러리 밀도를 갖는, 단계; (여기서, 상기 선택적인 제1 수성 석고 슬러리, 상기 제2 수성 석고 슬러리 및 상기 제3 수성 석고 슬러리는 각각 물 및 스투코의 혼합물을 포함하고, 상기 스투코는 황산칼슘 반수화물을 포함하고, 상기 선택적인 제1 수성 석고 슬러리, 상기 제2 수성 석고 슬러리 및 상기 제3 수성 석고 슬러리는 각각 건조(물 부재) 기준으로 적어도 60 중량%, 바람직하게는 적어도 70 중량%, 보다 바람직하게는 적어도 80 중량%, 더욱 바람직하게는 적어도 90 중량%, 가장 바람직하게는 적어도 95 중량%, 전형적으로는 60 내지 98 중량%의 상기 황산칼슘 반수화물, 및 물의 혼합물을 0.2:1 내지 1.2:1의 물 대 황산칼슘 반수화물의 중량비로 포함한다); 제3 및 제4 대향 표면을 갖는 후방 제2 커버 시트를 상기 전방 제1 커버 시트 위에 이격된 제1 전이 롤러(transition roller) 위로 통과시킨 다음, 상기 후방 제2 커버 시트를 상기 제3 수성 석고 슬러리 층 위에 적용하여 상기 전방 제1 커버 시트, 선택적으로 상기 제1 커버 시트 상의 상기 제1 수성 석고 슬러리 층, 상기 제1 층이 존재하는 경우 상기 제1 층 상에, 또는 상기 제1 층이 존재하지 않는 경우 상기 제1 커버 시트 상에 위치하는 상기 제2 층 상의 상기 제2 수성 석고 슬러리 층, 상기 제2 수성 석고 슬러리 층 상의 상기 제3 수성 석고 슬러리 층, 및 상기 제3 수성 석고 슬러리 층과 대면하는(facing) 상기 제2 후방 커버 시트의 상기 제3 표면을 갖는 상기 제3 수성 석고 슬러리 층, 바람직하게는 상기 제2 수성 석고 슬러리 층과 접촉하는 상기 제3 수성 석고 슬러리 층 위의 상기 후방 제2 커버 시트를 포함하는 다층 조립체를 형성하는 단계; 상기 다층 조립체를 상기 다층 조립체를 형성하기 위한 성형 스테이션에 통과시키는 단계로서, 바람직하게는 상기 다층 조립체는 상기 성형 스테이션의 성형 플레이트 아래로 통과하는, 단계; 상기 황산칼슘 반수화물을 상기 선택적인 제1 수성 석고 슬러리 층, 상기 제2 수성 석고 슬러리 층, 및 상기 제3 수성 석고 슬러리 층의 물과 각각 반응시킴으로써 상기 선택적인 제1 수성 석고 슬러리 층, 상기 제2 수성 석고 슬러리 층, 및 상기 제3 수성 석고 슬러리 층의 상기 황산칼슘 반수화물을 각각 경화시켜 상기 전방 제1 커버 시트와 후방 제2 커버 시트 사이에 황산칼슘 이수화물을 포함하는 선택적인 제1 보드 층, 황산칼슘 이수화물을 포함하는 제2 보드 층, 및 황산칼슘 이수화물을 포함하는 제3 보드 층의 석고 코어를 포함하는 패널을 형성하는 단계, (여기서, 상기 제1 보드 층은, 존재하는 경우, 제1 보드 층 밀도를 갖고, 상기 제2 보드 층은 제2 보드 층 밀도를 갖고, 상기 제1 보드 층이 존재하는 경우 상기 제2 보드 층 밀도는 상기 제1 보드 층 밀도보다 낮으며, 상기 제3 보드 층은 상기 제2 보드 층 밀도보다 낮은 제3 보드 층 밀도를 갖는다); 및 상기 패널을 상기 석고 보드로 절단하여 건조하는 단계를 포함하며; 상기 방법은: A) 상기 제3 수성 석고 슬러리의 침착 단계로서, 상기 제3 수성 석고 슬러리를 상기 후방 제2 커버 시트의 상기 제3 표면 상에 도포하고, 상기 제3 수성 석고 슬러리가 도포된 상기 후방 제2 커버 시트를 상기 제1 전방 커버 시트 위에 이격된 상기 제1 전이 롤러 위로 통과시키는 동시에, 상기 후방 제2 커버 시트의 상기 제4 표면을 상기 제1 전이 롤러와 접촉시켜, 대부분의 상기 제3 수성 석고 슬러리가 상기 후방 제2 커버 시트에서 상기 전방 제1 커버 시트 위의 상기 제2 수성 석고 슬러리 상으로 떨어지도록 하는 것을 포함하는, 제3 수성 석고 슬러리의 침착 단계; 또는 B) 상기 제2 수성 석고 슬러리의 침착 단계로서, 상기 제2 수성 석고 슬러리를 상기 후방 제2 커버 시트의 상기 제3 표면 상에 도포하고, 상기 제2 수성 석고 슬러리가 도포된 상기 후방 제2 커버 시트를 상기 전방 제1 커버 시트 위에 이격된 상기 제1 전이 롤러 위로 통과시키는 동시에, 상기 후방 제2 커버 시트의 상기 제4 표면을 상기 제1 전이 롤러와 접촉시켜, 대부분의 상기 제2 수성 석고 슬러리가 상기 후방 제2 커버 시트에서 상기 침착된 제1 수성 석고 슬러리(존재하는 경우) 상으로 떨어지도록 하거나 또는, 상기 제1 수성 석고 슬러리가 존재하지 않는 경우, 상기 전방 제1 커버 시트 상으로 떨어지도록 하고, 이어서 상기 제3 수성 석고 슬러리를 상기 침착된 제2 수성 석고 슬러리 상에 침착시키는 것을 포함하는, 제2 수성 석고 슬러리의 침착 단계를 포함하는, 석고 보드를 제조하는 방법.
제1항에 있어서, 상기 후방 제2 커버 시트는 0도, 5도, 10도, 15도, 또는 20도의 최소값 및 20도, 30도, 45도, 또는 60도의 최대값을 갖고, 최소값은 최대값과 동등하거나 최대값 미만이며, 예를 들어, 적합한 범위는 최소값 20도 및 최대값 30도를 갖는 범위에서 상기 제1 전이 롤러 아래의 성형 표면 상으로 이동하는 상기 제1 커버 시트에 대해 입사각 "A"를 정의하는 경사면을 따라 이동하는 제1 경로 세그먼트의 하류 부분을 따라 이동하는, 방법.
제1항에 있어서, 상기 발포 제2 수성 석고 슬러리 또는 발포 제3 수성 석고 슬러리는 상기 후방 제2 커버 시트의 이동 방향과 병행류(concurrent flow) 방향으로 배출되어 상기 제1 경로 세그먼트에서 상기 후방 제2 커버 시트의 상기 제3 표면과 접촉하고, 이러한 접촉은 0도 내지 90도 범위의 입사각 "B"로 이루어지며, 전형적으로 최소값은 0도, 5도, 10도 또는 15도이고, 최대값은 5도, 10도, 15도, 30도, 45도 또는 60도이며, 여기서 상기 최소값은 상기 최대값 이하이고, 예를 들어 상기 후방 제2 커버 시트의 상기 제3 표면에 대해 0도 내지 5도, 또는 5도 내지 20도인, 방법.
제1항에 있어서, 상기 제1 전이 롤러는 상기 후방 커버 시트의 상기 이동 방향을 상기 기계 방향으로 제2 수평 이동 성분 및 제2 수직 이동 성분을 갖는 제2 경로 세그먼트의 제1 부분을 따른 이동으로 변경하고, 상기 제2 수직 이동 성분은 상기 제2 수평 이동 성분만을 따른 이동을 제공하도록 상향, 또는 하향, 또는 중립이고, 전형적으로 상기 제2 수직 이동 성분은 상기 페이스 커버 시트 상의 상기 고밀도 영역으로부터 멀어지는 상향 방향으로의 이동인, 방법.
제1항에 있어서, 상기 제2 경로 세그먼트는 제1 부분 및 제2 부분을 갖고, 상기 제2 경로 세그먼트의 상기 제1 부분의 하류 단부에서 상기 후방 커버 시트는 제2 전이 롤러 위로 통과하여 상기 후방 커버 시트를 상기 제2 경로 세그먼트의 상기 제2 부분으로 공급하고 상기 후방 커버 시트의 상기 이동 방향을 변경하는, 방법.
제1항에 있어서, 상기 제2 경로 세그먼트의 상기 하류 단부에서, 상기 페이스 커버 시트 상의 수성 석고 슬러리의 제2 부분 상에 상기 후방 커버 시트를 침착시켜 수성 석고 슬러리의 상기 제2 부분 상의 상기 후방 커버 시트를 포함하는 다층 조립체로서, 바람직하게는 상기 전방 커버 시트, 상기 제1 커버 시트 상의 수성 석고 슬러리 층의 제1 부분, 수성 석고 슬러리 층의 상기 제1 부분 상의 수성 석고 슬러리 층의 상기 제2 부분, 및 수성 석고 슬러리 층의 상기 제2 부분 상의 상기 후방 커버 시트를 포함하는 다층 조립체를 형성하는, 방법.
제1항에 있어서, 상기 제3 수성 석고 슬러리의 침착 단계는 상기 제3 수성 석고 슬러리를 상기 후방 제2 커버 시트의 상기 제3 표면 상에 도포하고, 상기 제3 수성 석고 슬러리가 도포된 상기 후방 제2 커버 시트를 상기 제1 전방 커버 시트 위에 이격된 상기 제1 전이 롤러 위로 통과시키는 동시에, 상기 후방 제2 커버 시트의 상기 제4 표면을 상기 제1 전이 롤러와 접촉시킴으로써, 대부분의 상기 제3 수성 석고 슬러리가 상기 후방 제2 커버 시트에서 상기 전방 제1 커버 시트 상의 상기 제2 수성 석고 슬러리 상으로 떨어지도록 하는 것을 포함하는, 방법.
제1항에 있어서, 상기 제2 수성 석고 슬러리의 침착 단계는 상기 제2 수성 석고 슬러리를 상기 후방 제2 커버 시트의 상기 제3 표면 상에 도포하고, 상기 제2 수성 석고 슬러리가 도포된 상기 후방 제2 커버 시트를 상기 전방 제1 커버 시트 위에 이격된 상기 제1 전이 롤러 위로 통과시키는 동시에, 상기 후방 제2 커버 시트의 상기 제4 표면을 상기 제1 전이 롤러와 접촉시킴으로써, 대부분의 상기 제2 수성 석고 슬러리가 상기 후방 제2 커버 시트에서 상기 침착된 제1 수성 석고 슬러리(존재하는 경우) 상으로 떨어지도록 하거나 또는, 상기 제1 수성 석고 슬러리가 존재하지 않는 경우, 상기 전방 제1 커버 시트 상으로 떨어지도록 하고, 이어서 상기 제3 수성 석고 슬러리를 상기 침착된 제2 수성 석고 슬러리 상에 침착시키는 것을 포함하는, 방법.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 방법에 따라 석고 보드를 제조하는 장치로서, 제1 및 제2 대향 표면을 갖는 전방 제1 커버 시트를 그 위에 침착시키고, 상기 전방 제1 커버 시트를 성형 표면을 따라 기계 방향으로 수평으로 이동시키기 위한 상기 성형 표면; 선택적으로, 상기 기계 방향으로 이동하는 상기 전방 제1 커버 시트 상에 제1 수성 석고 슬러리를 침착시켜 상기 전방 커버 시트의 상부 표면과 접촉하는 층 형태의 고밀도 영역으로서 제1 수성 석고 슬러리 층을 형성하기 위한 상기 제1 수성 석고 슬러리의 공급원으로서, 상기 제1 수성 석고 슬러리 층은 75 내지 100 lbs/ft3의 제1 슬러리 밀도를 갖는, 상기 제1 수성 석고 슬러리의 공급원; 상기 제1 수성 석고 슬러리 층이 존재하는 경우 상기 제1 수성 석고 슬러리 층 상에 제2 수성 석고 슬러리를 침착시키거나, 또는 상기 제1 수성 석고 슬러리 층이 존재하지 않는 경우 상기 전방 제1 커버 시트 상에 상기 제2 수성 석고 슬러리를 침착시켜 상기 제1 수성 석고 슬러리 층의 상부 표면과 접촉하는 층 형태의 중밀도 영역으로서 제2 수성 석고 슬러리 층을 형성하기 위한 발포 상태의 상기 제2 수성 석고 슬러리의 공급원으로서, 상기 제2 수성 석고 슬러리 층은 40 내지 65 lbs/ft3의 제2 슬러리 밀도를 갖고, 상기 제1 수성 석고 슬러리가 존재하는 경우 상기 제2 슬러리 밀도는 상기 제1 슬러리 밀도보다 낮은, 발포 상태의 상기 제2 수성 석고 슬러리의 공급원, 상기 제2 수성 석고 슬러리 층 상에 제3 수성 석고 슬러리를 침착시켜 상기 제2 수성 석고 슬러리 층의 상부 표면과 접촉하는 층 형태의 저밀도 영역으로서 제3 수성 석고 슬러리 층을 형성하기 위한 발포 상태의 상기 제3 수성 석고 슬러리의 공급원으로서, 상기 제3 수성 석고 슬러리 층은 상기 제2 슬러리 밀도보다 낮은 30 내지 55 lbs/ft3의 제3 슬러리 밀도를 갖는, 발포 상태의 상기 제3 수성 석고 슬러리의 공급원, (여기서, 상기 선택적인 제1 수성 석고 슬러리, 상기 제2 수성 석고 슬러리 및 상기 제3 수성 석고 슬러리는 각각 물 및 스투코의 혼합물을 포함하고, 상기 스투코는 황산칼슘 반수화물을 포함하고, 상기 선택적인 제1 수성 석고 슬러리, 상기 제2 수성 석고 슬러리 및 상기 제3 수성 석고 슬러리는 각각 건조(물 부재) 기준으로 적어도 60 중량%, 바람직하게는 적어도 70 중량%, 보다 바람직하게는 적어도 80 중량%, 더욱 바람직하게는 적어도 90 중량%, 가장 바람직하게는 적어도 95 중량%, 전형적으로는 60 내지 98 중량%의 상기 황산칼슘 반수화물, 및 물의 혼합물을 0.2:1 내지 1.2:1의 물 대 황산칼슘 반수화물의 중량비로 포함한다); 및 제3 및 제4 대향 표면을 갖는 후방 제2 커버 시트를 후방 제2 커버 시트 경로를 따라 이동시키고, 이어서 상기 후방 제2 커버 시트를 상기 제3 수성 석고 슬러리 층 위에 적용하여 상기 전방 제1 커버 시트, 선택적으로 상기 제1 커버 시트 상의 상기 제1 수성 석고 슬러리 층, 상기 제1 수성 석고 슬러리 층이 존재하는 경우 상기 제1 수성 석고 슬러리 층에, 또는 상기 제1 수성 석고 슬러리 층이 존재하지 않는 경우 상기 전방 제1 커버 시트 상에 상기 제2 수성 석고 슬러리 층, 상기 제2 수성 석고 슬러리 층 상의 상기 제3 수성 석고 슬러리 층, 및 상기 제3 수성 석고 슬러리 층과 대면하는 상기 후방 제2 커버 시트의 상기 제3 표면을 갖는 상기 제3 수성 석고 슬러리 층 위의 상기 후방 제2 커버 시트를 포함하는 다층 조립체를 형성하기 위한, 상기 전방 제1 커버 시트 위에 이격된 제1 전이 롤러를 포함하는 후방 제2 커버 시트 구동부; 상기 다층 조립체를 형성하기 위한 성형 스테이션(forming station)으로서, 바람직하게는 상기 성형 스테이션은 상기 다층 조립체를 상기 성형 스테이션의 성형 플레이트 아래로 통과시키기 위한 상기 성형 플레이트를 포함하는, 상기 성형 스테이션; 및 상기 황산칼슘 반수화물을 상기 선택적인 제1 수성 석고 슬러리 층, 상기 제2 수성 석고 슬러리 층, 및 상기 제3 수성 석고 슬러리 층의 물과 각각 반응시킴으로써 상기 선택적인 제1 수성 석고 슬러리 층, 상기 제2 수성 석고 슬러리 층, 및 상기 제3 수성 석고 슬러리 층의 상기 황산칼슘 반수화물을 각각 경화시켜 상기 전방 제1 커버 시트와 후방 제2 커버 시트 사이에 황산칼슘 이수화물을 포함하는 선택적인 제1 보드 층, 황산칼슘 이수화물을 포함하는 제2 보드 층, 및 황산칼슘 이수화물을 포함하는 제3 보드 층의 석고 코어를 포함하는 패널을 형성하기 위한 위치(location); (여기서, 상기 제1 보드 층은, 존재하는 경우, 제1 보드 층 밀도를 갖고, 상기 제2 보드 층은 제2 보드 층 밀도를 갖고, 상기 제1 보드 층이 존재하는 경우 상기 제2 보드 층 밀도는 상기 제1 보드 층 밀도보다 낮으며, 상기 제3 보드 층은 상기 제2 보드 층 밀도보다 낮은 제3 보드 층 밀도를 갖는다); 및 상기 패널을 상기 석고 보드로 절단하기 위한 절단 스테이션; 상기 석고 보드를 건조하기 위한 건조 스테이션을 포함하며; 상기 장치는: A) 상기 제3 수성 석고 슬러리를 상기 후방 제2 커버 시트의 상기 제3 표면 상에 도포하고, 상기 제1 전이 롤러를 조정하고 구성하여 상기 제3 수성 석고 슬러리가 도포된 상기 후방 제2 커버 시트를 상기 제1 전방 커버 시트 위에 이격된 상기 제1 전이 롤러 위로 통과시키는 동시에, 상기 후방 제2 커버 시트의 상기 제4 표면을 상기 제1 전이 롤러와 접촉시켜, 대부분의 상기 제3 부분 수성 석고 슬러리가 상기 후방 제2 커버 시트에서 상기 전방 제1 커버 시트 상의 수성 석고 슬러리의 상기 제2 부분 상으로 떨어지도록 함으로써 상기 제3 수성 석고 슬러리를 침착하기 위한 발포 상태의 상기 제3 수성 석고 슬러리의 공급원; 또는 B) 상기 제2 수성 석고 슬러리를 상기 후방 제2 커버 시트의 상기 제3 표면 상에 도포하고, 상기 제1 전이 롤러를 조정하고 구성하여 상기 제2 수성 석고 슬러리가 도포된 상기 후방 제2 커버 시트를 상기 제1 커버 시트 위에 이격된 상기 제1 전이 롤러 위로 통과시키는 동시에, 상기 후방 제2 커버 시트의 상기 제4 표면을 상기 제1 전이 롤러와 접촉시켜, 대부분의 상기 제2 부분 수성 석고 슬러리가 상기 후방 제2 커버 시트에서 수성 석고 슬러리의 상기 침착된 제1 부분(존재하는 경우) 상으로 떨어지도록 하거나, 또는 수성 석고 슬러리의 상기 제1 부분이 존재하지 않는 경우 상기 전방 제1 커버 시트 상으로 떨어지도록 함으로써 상기 제2 수성 석고 슬러리를 침착하도록 조정되고 구성된 상기 발포 상태의 상기 제2 수성 석고 슬러리의 공급원, 및 상기 발포 상태의 상기 제3 수성 석고 슬러리를 상기 침착된 제2 수성 석고 슬러리 상에 참착하도록 조정되고 구성된 상기 발포 상태의 상기 제3 수성 석고 슬러리의 공급원을 포함하는, 석고 보드를 제조하는 장치.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된 석고 보드.

Description

석고 보드 제조 방법 및 장치 본 개시내용은 다양한 밀도를 갖는 석고 보드를 제조하는 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 다양한 밀도를 갖는 석고 보드를 제조하기 위한 수성 석고 슬러리의 분배 방법 및 장치에 관한 것이다. 건물의 시공 시에, 가장 보편적인 건물 요소 중 하나는 벽 및/또는 천장의 시공 시에 사용되는, 석고 패널류, 석고 건축 패널, 석고 패널, 또는 벽판(wallboard)으로도 알려진 석고 보드이다. 석고 벽판으로 만든 벽은 전통적으로 패널을 목재 스터드 또는 금속 프레임류에 부착하고, 인접한 패널들 사이의 조인트를 조인트 컴파운드라고 하는 특수 제작 접착제로 처리함으로써 시공한다. 석고 보드는 포틀랜드 시멘트와 같은 시멘트로 주로 구성된 시멘트 보드와는 달리 주로 석고로 만들어진다. 특히, 석고 보드는 주로 황산칼슘 이수화물로 구성된다. 석고 보드는 황산칼슘 반수화물이 경화되어 황산칼슘 이수화물(석고)을 형성하도록 물과 스투코(stucco)(소석고로도 알려짐)를 반응시킴으로써 제조된다. 스투코는 석고를 하소하여 만들며, 통상적으로 주로 황산칼슘 반수화물로 구성되고 황산칼슘 경석고를 또한 함유할 수 있다. 황산칼슘 이수화물은 황산칼슘 이수화물을 하소하여 황산칼슘 이수화물을 부분적으로 탈수함으로써 생성된다. 스투코를 물과 혼합하면 황산칼슘 반수화물 입자가 반응하여 재수화되어 경화 석고가 된다. 소석고(스투코)를 물에 균일하게 분산시켜 수성 석고 슬러리(예를 들어, 스투코 및 물을 함유하는 혼합물)를 형성함으로써 석고 보드를 생산하는 것이 잘 알려져 있다. 이러한 설명의 목적을 위해, 초기에 소석고를 함유하고 이어서 경화되어 석고를 형성하는 수성 슬러리는 석고 슬러리로 지칭된다. 수성 석고 슬러리는 전형적으로, 내용물을 교반하여 균일한 석고 슬러리를 형성하기 위한 수단을 포함하는 혼합기 내에 스투코 및 물 및 선택적인 다른 첨가제를 투입함으로써 연속 방식으로 생산된다. 첨가제는, 예를 들어, 지연제, 촉진제, 발포제, 습윤 강도 향상 재료, 살생제, 처짐 방지(sag resistant) 성분, 셀룰로오스 섬유, 유리 섬유, 난연성 재료, 결합제, 발수성 성분, 분진 완화제(dust mitigator), 전분뿐만 아니라 당업계에 공지된 다른 성분 또는 강화 재료를 포함할 수 있다. 슬러리는 혼합기의 배출 출구를 향해 그리고 이를 통해 혼합기의 배출 출구에 연결된 배출 도관 내로 연속적으로 보내진다. 완성된 석고 보드의 전체 중량을 감소시키기 위해, 공기를 버블 또는 공기 포켓으로서 수성 석고 슬러리에 혼입하여, (공기 버블이라고도 하는) 공기 공극을 갖는 발포 또는 버블링 석고 코어를 갖는 석고 보드를 생성할 수 있다. 예를 들어, 공기를 제공하기 위해, 수성 발포체(foam)는 혼합기 및/또는 배출 도관 내에서 수성 석고 슬러리와 조합될 수 있다. 슬러리의 스트림은 배출 도관을 통과하고, 성형 테이블에 의해 지지되는, 종이 또는 섬유질 매트의 페이서(facer) 시트와 같은 커버 시트 재료의 이동하는 웹(web) 상에 연속적으로 침착된다. 슬러리는 전진하는 웹 위로 확산된다. 석고 코어를 형성할 수성 석고 슬러리가 2개의 페이싱 재료(facing material) 사이에 있도록, 커버 시트 재료의 제2 웹, 전형적으로는 종이 또는 섬유질 매트의 또 다른 페이서 시트를 적용하여 슬러리를 덮고 연속 벽판 예비성형체(preform)의 다층 구조를 형성한다. 벽판 예비성형체는 예컨대 통상적인 성형 스테이션에서 원하는 두께를 얻도록 성형 과정을 거친다. 벽판 예비성형체가 제조 라인 아래로 이동함에 따라 소석고가 벽판 예비성형체 내의 물과 반응하여 경화된다(예를 들어, 경화 석고로 지칭되는 황산칼슘 이수화물의 인터로킹 매트릭스(interlocking matrix)를 형성한다). 벽판 예비성형체는 벽판 예비성형체가 충분히 경화된 라인을 따라 소정 지점에서 단편으로 절단하고, 단편을 뒤집고, (예를 들어, 가마에서) 건조하여 과량의 물을 제거한 다음, 이를 가공하여 원하는 치수를 갖는 최종 벽판 제품을 제공한다. 생산된 석고 보드를 당업계에 공지된 바와 같이 추가로 가공한 다음, 묶어서 출하 준비를 할 수 있다. 리(Li) 등의 미국 특허 제10,421,250호는 보드 코어 및 상당한 두께의 밀집 층을 포함하는 복합 보드를 개시한다. 밀집 층은 보드 코어보다 밀도가 더 높다. 수(Xu) 등의 미국 특허출원공개 제2012/0207989호는 못 당김(nail-pull) 저항이 증가된 다층 코어 시멘트질 보드를 개시한다. 보드는 시멘트질 조성물의 둘 이상의 층을 포함할 수 있고, 여기서 각각의 층은 상이한 밀도를 가질 수 있다. 석고 벽판의 생산과 연관된 일부 운영상의 문제점을 해결하기 위한 종래의 장치 및 방법은 미국 특허 제5,683,635호; 제5,643,510호; 제6,494,609호; 제6,874,930호; 제7,007,914호; 및 제7,296,919호; Rago 등의 미국 특허 제9,999,989호; Wittbold 등의 미국 특허 제10,076,853호; Wittbold 등의 미국 특허 제9,909,718호; Li 등의 미국 특허 제10,286,572호; Li 등의 미국 특허 제10,052,753호; Li 등의 미국 특허 제10,239,230호; Li 등의 미국 특허 제9,616,591호에 개시되어 있다. 석고 벽판의 생산과 연관된 일부 운영상의 문제점을 해결하기 위한 다른 종래의 장치 및 방법은 Martin 등의 국제공개 WO 2015185251-A1호 및 Martin 등의 국제공개 WO 2015185143-A1호에 개시되어 있다. 통상적인 제조 라인은 코어 슬러리를 (호스를 통해) 페이스 페이퍼(face paper) 상의 치밀화 층으로 향하게 한다. 이러한 공정은 충격 지점에서 페이스 페이퍼 상의 치밀화 층의 일부를 제거할 수 있다. 본 명세서의 목적을 위해, 이러한 제거는 워시아웃(washout)으로 지칭된다. 본 발명은 석고 보드를 제공하며, 석고 보드는: 석고 보드의 대향면(opposed side) 상에 있는 전방 제1 커버 시트 및 후방 제2 커버 시트로서, 전방 제1 커버 시트는 제1 및 제2 대향 표면(opposed surface)을 갖고, 후방 제2 커버 시트는 제3 및 제4 대향 표면을 갖는, 전방 제1 커버 시트 및 후방 제2 커버 시트; 선택적으로, 전방 제1 커버 시트와 접촉하는 황산칼슘 이수화물을 포함하는 석고를 포함하는 제1 보드 층으로서, 제1 보드 층은 45 내지 55 lbs/ft3의 제1 보드 층 밀도를 갖는, 제1 보드 층, 황산칼슘 이수화물을 포함하는 석고를 포함하는 제2 보드 층으로서, 제2 보드 층은 33 내지 43 lbs/ft3의 제2 보드 층 밀도를 갖고, 제1 보드 층이 존재하는 경우, 제2 보드 층 밀도는 제1 보드 층 밀도보다 낮은, 제2 보드 층, 황산칼슘 이수화물을 포함하는 석고를 포함하는 제3 보드 층으로서, 제3 보드 층은 제2 보드 층 밀도보다 낮은 22 내지 30 lbs/ft3의 제3 보드 층 밀도를 갖는, 제3 보드 층을 포함하고, 제1 보드 층(존재하는 경우), 제2 보드 층 및 제3 보드 층은 전방 제1 커버 시트와 후방 제2 커버 시트 사이에 위치하고, 제1 보드 층의 대향면은, 제1 보드 층이 존재하는 경우, 제2 보드 층 및 전방 제1 커버 시트의 제1 표면과 각각 접촉하고, 제2 보드 층의 대향면은 제1 보드 층(존재하는 경우) 및 제3 보드 층과 각각 접촉하고, 제1 보드 층이 존재하지 않는 경우, 제2 보드 층의 대향면은 전방 제1 커버 시트 및 제3 보드 층과 각각 접촉하고, 제3 보드 층의 대향면은 제2 보드 층 및 후방 제2 커버 시트의 제3 표면과 각각 접촉하고; 제1 보드 층(존재하는 경우), 제2 보드 층 및 제3 보드 층은 적어도 60 중량%, 바람직하게는 적어도 70 중량%, 보다 바람직하게는 적어도 80 중량%, 더욱 바람직하게는 적어도 90 중량%, 가장 바람직하게는 적어도 95 중량%, 전형적으로는 60 내지 98 중량%의 황산칼슘 이수화물을 포함한다. 각각의 층의 건조 밀도에 대한 전형적인 범위는 다음과 같다: 가장 높은 밀도 층을 갖는 제1 보드 층(22)(존재하는 경우)은 45 내지 55 lbs/ft3, 전형적으로는 50 내지 52 lbs/ft3의 밀도를 갖는다. 중밀도 층인 제2 보드 층(23)은 33 내지 43 lbs/ft3, 전형적으로는 38 내지 40 lbs/ft3의 밀도를 갖는다. 가장 낮은 밀도 층인 제3 보드 층(12)은 22 내지 30 lbs/ft3, 전형적으로는 25 내지 27 lbs/ft3의 밀도를 갖는다. 본 발명은 석고 보드를 제조하는 방법을 제공하며, 방법은: 제1 및 제2 대향 표면을 갖는 전방 제1 커버 시트를 성형 표면 위에 침착시키고 전방 제1 커버 시트를 성형 표면을 따라 기계 방향으로 수평으로 이동시키는 단계; 선택적으로, 기계 방향으로 이동하는 전방 제1 커버 시트 상에 제1 수성 석고 슬러리를 침착시켜 전방 제1 커버 시트의 상부 표면과 접촉하는 층 형태의 고밀도 영역으로서 제1 수성 석고 슬러리 층을 형성하는 단계로서, 제1 수성 석고 슬러리 층은 75 내지 100 lbs/ft3의 제1 슬러리 밀도를 갖는, 단계; 제1 수성 석고 슬러리 층이 존재하는 경우 제1 수성 석고 슬러리 층 상에 발포 상태의 제2 수성 석고 슬러리를 침착시키거나, 또는 제1 수성 석고 슬러리 층이 존재하지 않는 경우 전방 제1 커버 시트 상에 발포 상태의 제2 수성 석고 슬러리를 침착시켜 제1 수성 석고 슬러리 층이 존재하는 경우 제1 수성 석고 슬러리 층의 상부 표면과 접촉하는 층 형태의 중밀도 영역으로서 제2 수성 석고 슬러리 층을 형성하거나, 또는 제1 수성 석고 슬러리 층이 존재하지 않는 경우 전방 제1 커버 시트의 상부 표면과 접촉하는 층 형태의 중밀도 영역으로서 제2 수성 석고 슬러리 층을 형성하는 단계로서, 제2 수성 석고 슬러리 층은 40 내지 65 lbs/ft3의 제2 슬러리 밀도를 갖고, 제1 수성 석고 슬러리가 존재하는 경우 제2 슬러리 밀도는 제1 슬러리 밀도보다 낮은, 단계, 및 제2 수성